Exercicio Resolvido Os transistores bipolares de porta isolada são conhecidos por possuírem a união das qualidades dos transistores BJT e MOSFET. Em relação aos IGBTs, é correto afirmar I.Para alterar

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Os transistores bipolares de porta isolada são conhecidos por possuírem a união das qualidades dos transistores BJT e MOSFET. Em relação aos IGBTs, é correto afirmar:
I. Para alterar o estado de um dispositivo IGBT para ligado, basta aplicar uma ddp em seus terminais maior que 1 V. 
II. II. Para alterar o estado de um dispositivo IGBT para ligado, basta interromper a tensão de porta. 
III. III. Para alterar o estado de um dispositivo IGBT para o estado desligado, basta eliminar a tensão na porta. 
IV. IV. Para alterar o estado de ligado de um IGBT, basta polarizar negativamente o pino coletor em relação ao emissor. 
a. Somente as afirmativas II e III estão corretas.
 b. Somente as afirmativas I e III estão corretas. 
 c. Todas as afirmativas estão corretas. 
 d. Somente a afirmativa III está correta. 
 e. Somente as afirmativas I, II e IV estão corretas.
Os transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) são conhecidos por possuírem a união das qualidades dos transistores BJT e MOSFET. Eles combinam as características de comutação dos transistores bipolares de potência com a alta impedância de entrada dos transistores de efeito de campo.
Em relação às afirmativas apresentadas, a alternativa correta é a letra d, pois somente a afirmativa III está correta. Para alterar o estado de um dispositivo IGBT para o estado desligado, basta eliminar a tensão na porta. As demais afirmativas não estão corretas.