2) Quando o JFET está saturado (na região ôhmica), a tensão VDS situa-se entre 0V e 4V, dependendo da reta de carga. A tensão de saturação mais alt...

2) Quando o JFET está saturado (na região ôhmica), a tensão VDS situa-se entre 0V e 4V, dependendo da reta de carga. A tensão de saturação mais alta (4V) é igual à intensidade da tensão de corte da porta-fonte (VGS(Off) = - 4V). Esta é uma propriedade inerente a todos os JFET. Quando se trabalha com a polarização cuja a V subscript G S end subscript é constante podemos fazer algumas considerações com relação ao comportamento esperado do transistor JFET. Com base nesse comportamento, avalie as seguintes afirmativas assinalando (V) para as verdadeiras ou (F) para as falsas: ( ) A impedância vista pelo terminal da GATE (porta) é muito alta, devido a função esta polarizada reversamente; ( ) Quando nos referimos a tensão no terminal gate, temos : V subscript G S Q end subscript equals space space minus space V subscript G G end subscript ; ( ) A resistência R subscript G é utilizada para definir a impedância de entrada no circuito, não influenciando no JFET. ( ) O responsável pela polarização é o resistor R subscript D, cuja a fórmula é R subscript D equals fraction numerator space V subscript D D end subscript space minus space V subscript D S Q end subscript over denominator I subscript D Q end subscript end fraction A seguir assinale a alternativa com a sequência correta. Alternativas: a) V-V-F-V. b) V-F-F-F. c) V-V-V-V. d) F-V-F-F. e) F-V-V-V.