AOL2 Eletronica de Potencia 2022

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Osciladores de relaxação podem ser implementados tanto com TUJs como com TUPs. Por causa do capacitor presente 
nesses circuitos, o sinal tipicamente observado na saída desses osciladores é uma onda da forma:
O IGBT é um dispositivo híbrido que possui características do TJB e do MOSFET e é amplamente utilizado em inversores 
de frequência. 
Quantos eletrodos há em um IGBT e como eles são chamados?
Pergunta 1
Pulsada.
Senoidal.
Resposta corretaDente de serra.
Quadrada.
Triangular.
Pergunta 2
Resposta correta3 - porta, emissor e coletor.
4 - porta, base, fonte e dreno.
4 - porta, base, emissor e coletor.
2 - base e emissor.
3 - base, fonte e dreno.
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Módulo A - 72729 . 7 - Eletrônica de Potência - T.20221.A
Avaliação On-Line 2 (AOL 2) - Questionário
Nota final
O TJB foi o primeiro transistor a ser criado, porém, o MOSFET é o transistor mais largamente utilizado atualmente. 
Assinale a alternativa incorreta quanto às vantagens do MOSFETs de potência em relação aos TJBs de potência:
O TJB é um dispositivo semicondutor composto, principalmente, por silício e bastante empregado em operações de 
chaveamento. 
Como são chamados os três terminais do TJB?
Pergunta 3
Resposta corretaDispensam diodos de proteção.
Consomem pouca energia no controle.
Baixa resistência no estado ligado.
Circuito de excitação mais simples.
Coeficiente de temperatura negativo.
Pergunta 4
Ânodo, porta e cátodo.
Fonte, base e dreno.
Fonte, porta e coletor.
Resposta corretaEmissor, base e coletor.
Emissor, base e dreno.
Embora TJBs e MOSFETs tenham semelhanças entre si, também têm muitas diferenças, como a impedância de entrada. 
Por que a impedância porta-fonte do MOSFET é considerada infinita?
A frequência de operação do oscilador de relaxação com TUJ pode ser ajustada alterando-se o valor do resistor 
conectado ao emissor do TUJ. 
Então, o período desse oscilador é definido como:
Pergunta 5
Resposta corretaPorque a porta do MOSFET é isolada por uma camada de óxido metálico.
Porque o MOSFET tem altas velocidades de comutação.
Porque o MOSFET é controlado por tensão.
Porque a fabricação do MOSFET resulta em um diodo parasita.
Porque o MOSFET é pouco sensível à temperatura.
Pergunta 6
Resposta corretao tempo de carga mais o tempo de descarga do capacitor.
a razão entre o tempo de descarga e o tempo de carga do capacitor.
o tempo de descarga do capacitor.
o tempo de carga do capacitor.
o tempo de carga menos o tempo de descarga do capacitor.
O DIAC é um dispositivo que apresenta uma região de impedância negativa sob determinas condições de operação. Seu 
comportamento é simétrico, porém parecido com a característica de outro dispositivo semicondutor. 
Marque a alternativa com o nome de tal dispositivo:
Os IGBTs assimétricos têm a capacidade de bloquear apenas a tensão direta, enquanto os IGBTs simétricos bloqueiam a 
tensão direta e a tensão reversa.
Assinale a alternativa correta acerca dos IGBTs assimétricos:
Pergunta 7
Diodo gunn.
Diodo schottky.
Diodo retificador.
Diodo túnel.
Resposta corretaDiodo zener.
Pergunta 8
São mais termicamente estáveis.
Resposta corretaSão integrados junto com um diodo.
São aplicados em conversores com entrada CA.
Possuem borda de descida mais lenta.
Possuem altas perdas por condução.
Conhecer a simbologia dos elementos elétricos e eletrônica facilita o projeto, a leitura e a interpretação de circuitos. 
Qual dos terminais do TJB é representado por uma seta em seu símbolo?
O TUP é um dispositivo da família dos tiristores destinado ao disparo de SCRs e TRIACs. 
Qual alternativa indica o ponto em que o TUP entra na região de impedância negativa - onde operam os osciladores de 
relaxação?
Pergunta 9
Cátodo.
Base.
Resposta corretaEmissor.
Coletor.
Ânodo.
Pergunta 10
Tensão direta.
Tensão de ruptura.
Resposta corretaTensão de pico.
Tensão de vale.
Tensão de reversa.