PSub - Turmas 3 e 4

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UERJ – FEN – DETEL 
Prova substitutiva de Eletrônica II - 2015/01 – Turmas 3 e 4 Data:
Nome:
2 – No circuito abaixo determine: (4.5 pontos)
(a) A corrente IE de cada BJT (0.3)
(b) Desenhe o circuito na aproximação de sinais pequenos para frequências intermediárias (0.2)
(c) Resistência de entrada do primeiro e do segundo estágio para frequências intermediária (0.3)
(d) Resistência de saída do primeiro e do segundo estágio para frequências intermediárias (0.3)
(e) Resistência de entrada e de saída do amplificador completo (0.4)
(f) O ganho de tensão de circuito aberto. (1.0)
(g) O ganho de tensão com resistência RL = 4.7 kΩ (1.0)
(h) A tensão de saída caso a tensão de entrada seja de 25 µV. (1.0)
1 – No circuito abaixo, o MOSFET tem Vth = 1.5 V, k’n(W/L) = 1 mA/V2. Considere que 
VA = 75 V. (2.0 pontos)
(a) Determine VOV. (0.4)
(b) Determine VG, VS e VD. (0.6)(c) Determine gm e ro (0.4)
(d) Estime a maior amplitude de 
tensão no dreno em que o 
MOSFET se mantém na 
saturação. (0.6)
Formulário
A resolução pode ser feita a lápis, mas as respostas devem ser apresentadas a caneta.
Coloque seu nome em todas as folhas de prova.
É permitido o uso de calculadora científica.
Boa prova!
Teorema de Miller
3 – No circuito abaixo, gm = 1mA/V, RD = 15 KΩ, Rsig = 50 Ω e RL = 15 KΩ. (3.5 pontos)
(a) Desenhe o circuito na aproximação de 
sinais pequenos para frequências 
intermediárias. (0.2)
(b) Determine a resistência de entrada. (0.5)
(c) Determine a resistência de saída. (0.5)
(d) Determine o ganho de tensão de circuito 
aberto. (0.5)
(e) Determine o ganho de tensão total. (1.0)
(f) Considerando que o capacitor CC2 = ∞, 
determine a capacitância CC1 de modo que a 
frequência de corte seja de 20 Hz. (0.8)