P1 - Turmas 3 e 4

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UERJ – FEN – DETEL 
Primeira prova de Eletrônica II - 2015/01 – Turmas 3 e 4 Data:
Nome:
1 – Determine as tensões V1 e V2 para o circuito abaixo. Os transistores NMOS são todos 
idênticos com Vt = 1V e k´nW/L = 2 mA/V2. Considere que λ=0.
2 – O MOSFET do circuito abaixo possui Vt = 2V, kn = 1 mA/V2, VGS = 4V, VDD = 10V e 
RD = 3.6kΩ. 
(a) Calcule ID e VD(considere λ = 0)
(b) Calcule gm no ponto de polarização 
(considere λ = 0)
(c) Calcule o ganho de tensão
(d) Se o MOSFET tem λ = 0.01 V-1, 
determine ro no ponto de polarização e 
calcule o ganho de tensão.
3 – O MOSFET no circuito abaixo tem Vt = 1.2 V, λ=0, k´n = 80 µA/V2, W = 240µm e 
L = 6µm. A corrente de dreno é de 2 mA e a queda de tensão nos resistores RD e RS é de 
um terço da tensão total.
(a)Determine os valores das resistências. Use um resistor de 22MΩ para o resistor de maior 
resistência entre RG1 e RG2. 
(b)Quanto a tensão de dreno pode variar ainda mantendo o MOSFET na saturação?
Desejamos utilizar este circuito de 
polarização na configuração de dreno 
comum.
(c) Redesenhe o circuito incluindo a 
fonte de tensão ac (despreze a 
resistência interna da fonte de sinal ac) 
e a resistência de carga RL. Inclua os 
capacitores de desacoplamento no seu 
desenho. 
(d) Determine a resistência de entrada 
(e) Determine a resistência de saída
+10V
+5V
V1 V2
1KΩ
-5V
VGS
vgs
+-
RD
RD
RS
RG1
RG2
+15V
+15V
4 – Um amplificador de porta comum construído com um MOSFET tipo intensificação e com 
RD = 5 KΩ é alimentado por uma fonte de tensão alternada com resistência interna de 
100Ω. Considere que a carga tem uma resistência RL = 1kΩ.
(a)Desenhe o modelo de circuito equivalente na aproximação de pequenos sinais para esta 
configuração (Escolha o modelo que você achar mais conveniente). Inclua RL no seu 
desenho e considere que λ = 0 e gm = 5 mA/V. 
(b)Determine a resistência de entrada do amplificador.
(c)Determine a resistência de saída do amplificador.
(d)Determine o ganho de tensão total (Gv).
Se aumentarmos a corrente do circuito por um fator 4 (mantendo o transistor em operação 
linear), determine:
(e) a nova transcondutância gm
(f) a resistência de entrada
(g) a resistência de saída
(h) o ganho de tensão total (Gv)
Formulário
A resolução pode ser feita a lápis, mas as respostas devem ser apresentadas a caneta.
Coloque seu nome em todas as folhas de prova.
É permitido o uso de calculadora científica.
Boa prova!