AV2 - Eletrônica

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NOTA:10 
Questão 1 - ELETRONICA 
 O semicondutor é um elemento com propriedades elétricas ente as do condutor e as do 
isolante, o silício é um exemplo. Assinale a alternativa incorreta. 
 
A) 
O germânio atualmente tem sua utilização reduzida na fabricação de componentes 
semicondutores. 
 
B) 
O silício é o semicondutor mais utilizado na produção de componentes eletrônicos tais 
como diodo. 
 
C) 
Em temperatura ambiente o cristal de silício é um bom condutor de eletricidade. 
 
D) 
Na camada de valência cada átomo e seus vizinhos compartilham seus elétrons. 
 
E) 
Um átomo de silício tem 14 prótons e 14 elétrons sendo 4 deles na última camada de 
valência. 
 
Questão 2 - ELETRONICA 
Código da questão: 14829 
(Adaptada- Cesgranrio 2010) Considere os seguintes dados de projeto relativos ao 
circuito abaixo: o diodo zener tem 6,8V de tensão nominal e opera com correntes: 
IZmin = 15mA e IZmax = 80 mA; o transistor de potência opera com VBE = 0,7V, β = 
50 e RB = 140Ω; a corrente de carga varia de 0 (sem carga) a IL = 2,25 A (plena 
carga). 
 
Para que o regulador opere normalmente, a tensão de entrada Ve pode variar, em V, 
entre os limites: 
 
A) 
10 e 12 
 
B) 
18,0 e 25,0 
 
C) 
12,4 e 15,8 
 
D) 
15,2 e 18,0 
 
E) 
10,5 e 14,0 
 
Questão 3 - ELETRONICA 
Código da questão: 14814 
Dopagem é o processo que consiste na introdução de átomos de impurezas conhecida ao 
material do tipo: 
 
A) 
Cristal Intrínseco. 
 
B) 
Cristal Extrínseco e Intrínseco 
 
C) 
Semicondutor extrínseco. 
 
D) 
Semicondutor intrínseco. 
 
E) 
Cristal Extrínseco 
 
Questão 4 - ELETRONICA 
Código da questão: 14833 
Dado o retificador de meia onda abaixo: 
 
Adotando Vs=15V;VDO=0,7V;R=250Ω, calcule o valor da corrente máxima de 
condução do diodo? 
 
A) 
100,02mA. 
 
B) 
60,25mA 
 
C) 
10mA 
 
D) 
82,05mA 
 
E) 
1,50A 
 
Questão 5 - ELETRONICA 
Código da questão: 14841 
Para acionar um relé a partir de um circuito de controle digital, um engenheiro montou o 
circuito apresentado abaixo. Quando a tensão na entrada VIN for igual a + 5,0 V (nível 
lógico alto), o transistor Q1 fará passar uma corrente pela bobina do relé, provocando o 
fechamento da chave. No projeto, o engenheiro empregou um transistor cujo parâmetro 
β pode assumir valores entre 100 e 400, de acordo com o manual do fabricante. 
Considerando que Q1 apresenta VBE = 0,7 V e VCE = 0,2 V no modo de saturação, qual o 
limite máximo que a resistência RB pode assumir de maneira a garantir que Q1 opere na 
saturação quando VIN = + 5,0 V? 
 
 
A) 
34,6 kΩ 
 
B) 
18,5 kΩ 
 
C) 
21,5 kΩ 
 
D) 
31,2 kΩ 
 
E) 
27,2 kΩ 
 
Questão 6 - ELETRONICA 
Código da questão: 14836 
A figura abaixo apresenta um circuito ativo, utilizado na implementação de 
compensadores de primeira ordem de atraso de fase ou de avanço de fase. O 
amplificador operacional do circuito pode ser considerado como ideal. Para que o polo 
da função de transferência do compensador esteja localizado em s = -5, a resistência de 
R, em ohms, deverá ser: 
 
 
A) 
1000 
 
B) 
5000 
 
C) 
2000 
 
D) 
8000 
 
E) 
500 
 
Questão 7 - ELETRONICA 
Código da questão: 14825 
Uma junção PN é a base de construção de muitos equipamentos semicondutores que 
constituem os dispositivos eletrônicos como diodos e transistores. Ao aplicar uma fonte 
de tensão VD a uma junção PN, conforme mostrado pela figura, assinale a alternativa 
correta. 
 
 
A) 
Se a tensão for positiva, o campo elétrico produzido pela fonte de tensão VD contribuirá 
com o alargamento da região de depleção, impedindo o fluxo de portadores de carga 
majoritários através da junção. 
 
B) 
Se a tensão for nula, ainda assim haverá um campo elétrico na região de depleção 
impedindo o fluxo de difusão de elétrons e lacunas através da junção em equilíbrio. 
 
C) 
Se a tensão for positiva, o campo elétrico produzido pela fonte de tensão VD contribuirá 
com a elevação do campo elétrico na região de depleção, dando início à corrente de 
deriva de elétrons livres e lacunas através da junção. 
 
D) 
Se a tensão for negativa, as lacunas presentes na região p da junção serão atraídas pelo 
polo negativo da fonte de tensão VD, e os elétrons presentes na região N serão atraídos 
pelo polo positivo, levando ao fluxo de portadores de carga majoritário através da 
junção. 
 
E) 
Se a tensão for negativa, a largura da região de depleção se tornará gradualmente mais 
estreita conforme o módulo da tensão VD for elevado. 
 
Questão 8 - ELETRONICA 
Código da questão: 135665 
A queda de tensão entre base e emissor, em um transistor do tipo TBJ de silício, é igual 
a: 
 
A) 
0,9V. 
 
B) 
5,4V. 
 
C) 
0,7V. 
 
D) 
2,3V. 
 
E) 
2V. 
 
Questão 9 - ELETRONICA 
Código da questão: 14848 
No circuito abaixo, o valor de Ib (corrente de base do transistor) vale: 
(Considere a queda de tensão entre a base e o emissor de 0,7V e ignore os capacitores 
no cálculo.) 
 
 
A) 
47,08 μA. 
 
B) 
77,12 μA. 
 
C) 
35,28 μA. 
 
D) 
12,88 μA. 
 
E) 
35,62 μA. 
 
Questão 10 - ELETRONICA 
Código da questão: 14856 
Sabendo que um isolante é um elemento que apresenta alta resistência elétrica 
dificultando, assim, a condução de corrente elétrica. Marque a alternativa que apresenta 
um elemento isolante elétrico: 
 
A) 
Tungstênio. 
 
B) 
Cromo. 
 
C) 
Cobre. 
 
D) 
Alumínio. 
 
E) 
Teflon.