Experiencia 1

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1º Experiência
	
Grupo: Rachel Reuters
 Jéssica Rangel
 Vinício Mendes
1)
T1 - Transistor – (BC 549B) , f=200 Hz
a) 
I0 = hfe IB + hoe v0
v0 = -I0 (RC//RL)
I0 = hfe IB – I0 (RC//RL) hoe
Ii ≈ IB pois praticamente toda a corrente Ii passará por hie
 
Vi=hieIi + hreVCE
Vce = V0
 
Vi=hieIi+hreVo
Vo=-Io(RCRL/RC+RL)
Io=AiIi
Vi=hieIi –hre (RCRL/RC+RL)Io
Pela definição , para calcular Zo tem q fazer
b) 
Vs = [(RS // RB) + hie] IB
VL = -hfe IB (RC // RL)
Avs = = 
Avi =Avs , considerando rs≈ 0
Avi = 
Ai = = hfe
Zi =R1 // R2 // hie
Z0 = RC // RL
c) 
corte,: Vcc= Vce, => Ic = 0.
saturação: Ic = Icmáx,=> Vce = 0
ativa: 0< Vce< Vcc
d) 
Arbitrando Rc = 2k Ω
1,5
-1,5
 
	
	 Q()
 
 	 t
1,5V 1,5V
		 
t
,	
,	
 
 
 
 
 
,
,
 
 => 0,82k Ω 
 => 10k Ω 
 
 =>68k Ω 
Fazendo os cálculos com os valores comerciais (β=240):
 
 
 
 
 
 
 
Gráfico CC:
Gráfico CA:
VCE=0:0.1:18
IC=10.33-0.741.*VCE
plot(VCE,IC)
hold on
ICX = 6.38-0.3546.*VCE
plot(VCE,ICX)
title('VCE X IC')
xlabel('VCE') 
ylabel('IC')
e) 
	
	R1
	R2
	RE
	RC
	RL
	RB
	VBB
	IE
	IC
	VCE
	Excursão
	Antes
	10
	68
	0,82
	2
	1
	8,71
	2,31
	1,88
	1,87
	12,71
	11,21-14,21
	e1
	22
	68
	0,82
	2
	1
	16,62
	4,4
	4,16
	4,14
	6,31
	4,81-7,81
	e2
	5,6
	68
	0,82
	2
	1
	5,17
	1,37
	0,80
	0,79
	15,76
	14,3-17,3
	e3
	22
	82
	0,82
	2
	1
	17,35
	3,81
	3,49
	3,47
	8,2
	6,7-9,7
	e4
	22
	33
	0,82
	2
	1
	13,2
	7,2
	7,43
	7,4
	-2,89
	-4,4 –(-1,4)
Retas de carga do item e:
f) 
R1 = 6,8 kΩ
R2 = 56 kΩ
RE = 0,62 kΩ
RC = 2 kΩ
RL = 1 kΩ
hfe = β = 240
hie = 4,28
hoe = 18*10-6
hre = 1,5*10-4
Icq = 2,8mA 
g) 
	
	MODELO “h-completo”
	MODELO “h-simplificado”
	Ri
	2,8kΩ
	2,5 kΩ
	R0
	0,666kΩ
	0,666 kΩ
	Avi
	-38,05
	-37,47
	Avs
	-38,05
	-37,47
	Ai
	240
	250 
MatLab - Gráfico
2)
a) 
Ao variar a amplitude no gerador de sinais, a forma de onda inicialmente apresentada no osciloscópio, foi a de onda quadrada.
Para valores mais altos de amplitude, havia o corte. Para valores muito inferiores ao Vcemín foi possível observar a saturação.
b) 
Primeiro satura.
c) 
Variando os valores dos resistores e .
d) 
Mudamos o valor de para 4,7k Ω.
e) Medir a excursão de sinal na saída com o ponto quiescente centrado na reta de carga.
f) 
 Osciloscópio: 
 = Multímetro:
 Osciloscópio: 
	 Multímetro:
g) 
Resistência de entrada: a tensão qualquer nela, com este valor é feito o calculo da corrente. Feito isto aplica-se a seguinte formula: e obtêm-se o valor desejado.
Para medir a resistência de saída repete-se o procedimento medindo a corrente na resistência representando a carga.
h) Medir as resistências de entrada e saída.
 
I)
	
	MODELO “h-completo”
	MODELO “h-simplificado”
	Medidas no Laboratório
	Ri
	2,8kΩ
	2,5 kΩ
	2,7kΩ
	R0
	0,666kΩ
	0,666 kΩ
	0,5kΩ
	Avi
	-38,05
	-37,47
	-39,94
	Avs
	-38,05
	-37,47
	-37,3
 
j) 
A excursão de sinal na saída máxima foi de 3,12 Vpp.
k) 
 Os valores de VL e Vce são idênticos e foram medidos com as pontas de prova do osciloscópio diretamente conectadas à carga (RL =1 kΩ).
Os valores de vg e vi foram considerados os mesmos devido rs ser pequeno. Eles foram medidos diretamente sobre o gerador de sinais.
Os valores de vB, vC e vE foram medidos de cada terminal do transistor à terra.
 O valor de vRC foi encontrado diretamente sobre a resistência que estava em série com o coletor. 
Gráficos
V0 x t = VL
->V0 com uma faixa de erro de 0,5Vpp
|
2*10
-3
2sen (400 
Π 
t)
Vi x t
|
2*10
-3
Gráfico de VC
Vc = 5,01 + sen( 400 Π t)
Gráfico de VB
VB= 0,6+ 0,4 sen (400 Π t)
Simulação no Multisim: