Unidade 1 - Eletronica analogica

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02/05/2023, 20:51 Unidade 1 - Exercícios de fixação: Revisão da tentativa
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Iniciado em sábado, 25 abr 2020, 10:43
Estado Finalizada
Concluída em sábado, 25 abr 2020, 10:52
Tempo
empregado
8 minutos 51 segundos
Notas 9,00 de um máximo de 10,00(90%)
Questão 1
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Questão 2
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Encontre a soma de z1 + z2, sabendo-se que: z1 = 7 + j3 e z2 = 4 - j8. 
Escolha uma opção:
a. 9 - j4.
b. 11 + j5.
c. 7 - j4.
d. 4 - j5.
e. 11 - j5 . 
A resposta correta é: 11 - j5 .
Os semicondutores são materiais com características intermediárias entre os condutores
e os isolantes, ou seja, necessitam de mais energia que os condutores para os elétrons de
valência passarem para a banda de condução e proporcionam mais corrente elétrica que
os isolantes. Os semicondutores intrínsecos são os semicondutores que:
Escolha uma opção:
a. são materiais semicondutores sem impurezas, normalmente com quatro elétrons na última camada de
valência.

b. são elementos compostos por impurezas de átomos trivalentes, que ajudam a isolar a passagem de corrente
elétrica.
c. são elementos compostos por uma mistura controlada de 70% de Silício e 30% de Germânio, sempre nessa
mesma proporção atômica.
d. são elementos compostos por impurezas de átomos pentavalentes, que ampli�cam a corrente elétrica.
e. são elementos obtidos a partir do processo de dopagem de semicondutores, que contam, normalmente, com
quatro elétrons na última camada de valência.
A resposta correta é: são materiais semicondutores sem impurezas, normalmente com quatro elétrons na última
camada de valência.
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Questão 3
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Questão 4
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Nos materiais semicondutores, os locais onde existe falta de elétron são chamados de
lacunas. Em relação à quantidade de lacunas nos semicondutores intrínsecos, podemos
a�rmar que: 
Escolha uma opção:
a. Em um semicondutor intrínseco, a quantidade de lacunas é sempre muito maior do que a quantidade de
elétrons, pois as ligações covalentes são geradas pelas dopagens.
b. Em um semicondutor intrínseco, a quantidade de lacunas é sempre igual ao número de elétrons livres dos
átomos pentavalentes das impurezas dopadas no semicondutor, pois as lacunas são atraídas pelos elétrons.
c. Em um semicondutor intrínseco, a quantidade de lacunas é sempre igual ao número de elétrons do átomo
utilizado no processo de dopagem, pois é ele que cede seus elétrons ao semicondutor.
d. Em um semicondutor intrínseco, a quantidade de lacunas é sempre igual ao número de elétrons
covalentes, pois sempre que uma ligação covalente é gerada ou rompida, um par elétron-lacuna é
formado ou destruído no processo.

e. Nos semicondutores intrínsecos, sempre há três ou cinco lacunas, de acordo com o seu tipo, que pode ser
tipo – P ou tipo – N.
A resposta correta é: Em um semicondutor intrínseco, a quantidade de lacunas é sempre igual ao número de elétrons
covalentes, pois sempre que uma ligação covalente é gerada ou rompida, um par elétron-lacuna é formado ou
destruído no processo.
O principal processo para possibilitar a utilização dos materiais semicondutores na
indústria é a dopagem. Qual das alternativas explica corretamente esse processo?
Escolha uma opção:
a. É o processo industrial onde se coloca, de maneira controlada, determinadas impurezas no material
semicondutor.

b. É o processo industrial onde se coloca, de maneira controlada, determinadas quantidades de lacunas
condutoras no material semicondutor.
c. É o processo industrial onde se coloca, de maneira controlada, determinadas quantidades de elétrons
isolantes no material semicondutor.
d. É o processo industrial onde se puri�ca o material semicondutor, retirando de maneira controlada as
impurezas contidas nos átomos.
e. É o processo industrial onde se troca, de maneira controlada, os átomos do silício pelos átomos do germânio.
A resposta correta é: É o processo industrial onde se coloca, de maneira controlada, determinadas impurezas no
material semicondutor.
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Questão 5
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Questão 6
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Transforme a seguinte senoide na forma fasorial: v(t) = -4 sen(30t + 50º) V .
Escolha uma opção:
a. 4∠ 50º V.
b. -4∠ 140º V.
c. 6∠ 50º V.
d. 5∠ 140º V.
e. 4∠ 140º V. 
A resposta correta é: 4∠ 140º V.
A “ausência de elétron” que encontramos nos semicondutores é chamada de lacuna. A
alternativa que melhor explica o processo de surgimento dessas lacunas é: 
Escolha uma opção:
a. Quando se aumenta a temperatura dos semicondutores, os dois elétrons da camada de valência se fundem
através do processo de dopagem, originando as lacunas.
b. Quando se coloca impurezas trivalentes em um semicondutor pelo processo de dopagem, 5 elétrons
trivalentes aumentam sua energia e �cam livres gerando as lacunas covalentes.
c. A única maneira de formar as lacunas é por meio da dopagem covalente, que acrescenta duas impurezas ao
material semicondutor, uma trivalente e uma pentavalente, fazendo assim surgir as lacunas livres.
d. Nos semicondutores, quando um elétron passa da banda de valência para a banda de condução, �cando
livre, ocorre uma “ausência de elétron” na ligação covalente de onde este elétron saiu. Esse local onde
estava o elétron na ligação covalente passa a �car vazio e essa falta de elétron é chamada de lacuna.

e. Quando se coloca impurezas tetravalentes em um semicondutor pelo processo de dopagem, 3 elétrons
tetravalentes aumentam sua energia e �cam livres, gerando as lacunas covalentes.
A resposta correta é: Nos semicondutores, quando um elétron passa da banda de valência para a banda de condução,
�cando livre, ocorre uma “ausência de elétron” na ligação covalente de onde este elétron saiu. Esse local onde estava
o elétron na ligação covalente passa a �car vazio e essa falta de elétron é chamada de lacuna.
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Questão 7
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Questão 8
Incorreto Atingiu 0,00 de 1,00
Determine a senoide correspondente ao fasor: I = j(12-j5) A.
Escolha uma opção:
a. i(t) é igual a 13 cos(wt + 67,38º) A. 
b. i(t) é igual a 13 cos(wt - 67,38º) A.
c. i(t) é igual a 12 cos(wt + 67,38º) A.
d. i(t) é igual a 12 cos(wt - 50,38º) A.
e. i(t) é igual a 13 cos(wt + 80º) A.
A resposta correta é: i(t) é igual a 13 cos(wt + 67,38º) A.
Transforme a seguinte senoide na forma fasorial: i(t) = 6 cos(50t - 40º) A.
Escolha uma opção:
a. 6∠ 40º A.
b. 50∠ 40º A.
c. 6∠ 50º A. 
d. 6∠ -50º A.
e. 6∠ -40º A.
A resposta correta é: 6∠ -40º A.
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Questão 9
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Questão 10
Correto Atingiu 1,00 de 1,00
Determine a senoide correspondente ao fasor: V= -25 ∠40º V.
Escolha uma opção:
a. V(t) = 25 cos(wt + 140) V.
b. V(t) = 25 cos(wt - 140) V. 
c. V(t) = 25 cos(wt + 40) V.
d. V(t) =25 cos(wt - 220) V.
e. V(t) = 25 cos(wt - 40) V.
A resposta correta é: V(t) = 25 cos(wt - 140) V.
O diodo é o componente semicondutor mais simples utilizado pela indústria e seu
funcionamento está descrito corretamente em qual alternativa? 
Escolha uma opção:
a. O diodo é um componente semicondutor que serve para ampli�car um sinal, por meio da passagem de
corrente pelas suas três camadas intercaladas de semicondutor dos tipos P e N.
b. O diodo é um componente semicondutor que bloqueia a passagem de corrente em apenas um sentido,
permitindo a passagem de corrente em outro sentido, mediante o rompimento da sua barreira de
potencial.

c. O diodo é um componente de alta tecnologia que tem na sua construção milhões de transistores do tipo PNP
ou NPN.
d. O diodo é um componente semicondutor que ampli�ca as lacunas em apenas um sentido, ampli�cando os
elétrons em outro sentido, mediante o rompimento da sua barreira de potencial.
e. O diodo é um componente semicondutor do tipo fotovoltaico, que gera tensão elétrica quando exposto à
ação de um �uxo luminoso, por meio do aquecimento solar da barreira de potencial do matéria.
A resposta correta é: O diodo é um componente semicondutor que bloqueia a passagem de corrente em apenas um
sentido, permitindo a passagem de corrente em outro sentido, mediante o rompimento da sua barreira de potencial.
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