Avaliação II - Individual

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GABARITO | Avaliação II - Individual (Cod.:954993)
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Prova 77047573
Qtd. de Questões 10
Acertos/Erros 9/1
Nota 9,00
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da 
prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. Conecte o multímetro ao transistor para 
realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e 
selecionando a opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 10 kohms. Com o sistema 
montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível realizar 
alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso.
Sendo que a corrente apresentada no multímetro permanecerá a mesma.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter aceso.
Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado.
Mas a corrente apresentada no multímetro irá aumentar.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, a corrente apresentada no
multímetro será de 69,43 mA.
O dispositivo eletrônico mais desenvolvido e recrutado grande interesse entre 1904 e 1947 foi a 
válvula (diodo criada por J. A. Fleming em 1904). Algo importante a ser citado é que impulsionado 
pelo rádio e a televisão, tendo uma ampliação de aproximadamente 1 milhão de válvulas em 1922 
para cerca de 10 milhões de válvulas em 1937. Este setor ao passar dos anos apresentou grandes 
avanços em diversos setores, sendo projeto, técnica de fabricação, miniaturização além de aplicações 
em alta potência e alta frequência. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Em 23 de dezembro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H.
Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
B Em 27 de janeiro de 1948, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H. Brattain
e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
C Em 23 de dezembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H.
Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
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D Em 25 de novembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley, Walter H.
Brattain e John Baedeen, demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor.
O JFET é um dispositivo controlado por tensão de entrada que controla uma corrente de saída. O 
nome "efeito de campo" do JFET vem das zonas de depleção que rodeiam cada zona p e onde os 
elétrons livres da zona n se recombinam com as lacunas da zona p. Com base nesse contexto, 
classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A fonte de pressão de água pode ser comparada com à tensão aplicada do dreno para a fonte e 
estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte no JFET). A "porta" 
através da aplicação de um sinal (tensão) controla o fluxo de água (carga) para o dreno.
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão da porta 
(G - gate) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos o dreno (D - drain). 
( ) Na construção de um MOSFET de canal p é possível verificar que a maior parte do material 
constituinte é do tipo pn, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo np.
( ) O FET tem portadores majoritários mas não tem portadores minoritários.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - V - F - F.
B F - V - F - V.
C F - V - V - F.
D V - F - F - V.
O transistor NPN possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) 
para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) NPN. Esse é 
acionado com carga positiva em relação ao emissor. Com base nesse contexto, classifique V para as 
sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) A aplicação de transistores não se limita somente à amplificação de sinais, realizando um projeto 
apropriado, podem ser utilizados como chaves de computadores e aplicações de controle.
( ) Os transistores PNP operam com valores positivo - negativo - positivo, o transistor PNP possui 
duas junções PN, acomodadas uma voltada para outra, os cristais negativos ficam um em contato com 
o outro, sendo assim, temos a formação do transistor de junção bipolar (TJB) PNP.
( ) Um projeto apropriado para o transistor atuar como um PNP exige que o ponto de operação 
alterne do ponto de corte ao ponto de saturação sobre a mesma reta tangente do coletor e do emissor.
( ) O transistor PNP possui suas junções NP uma voltada contra a outra, com o cristal P (positivo) 
para as costas da outra junção, formando, então, o transistor de junção bipolar (TJB) PNP. Esse é 
acionado com carga positiva em relação ao emissor.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - V - F - F.
B F - V - F - V.
C V - F - V - F.
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D F - V - V - F.
São muitas as aplicações onde os transistores são usados, mas basicamente podemos citar que 
eles podem trabalhar como amplificadores, osciladores, retificadores, comutadores e interruptores. As 
utilizações mais comuns dos transistores são: transistor operando como amplificador - nesse tipo de 
operação, o transistor é capaz de amplificar um sinal elétrico de baixa amplitude; é muito utilizado em 
sistemas de telecomunicações e sistemas de som onde os sinais necessitam ser amplificados para 
utilização em algum outro equipamento; transistor operando como chave - nesse tipo de operação, o 
transistor consegue ligar e desligar cargas de maior potência apenas recebendo um sinal de baixa 
amplitude; como exemplo, podemos citar os transistores utilizados em inversores de frequência, que 
conseguem fazer o chaveamento (ligar e desligar rapidamente) e fazer o acionamento de um motor 
utilizando PWM (modulação por largura de pulso). Com base nesse contexto, classifique V para as 
sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Há vários tipos de transistores FET, por exemplo: o transistor de efeito de campo de junção: 
JFET; o transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor: MOSFET e o transistor de efeito de 
campo metal-semicondutor: MESFET.
( ) O JFET é um dispositivo de três terminais, de modo que um deles controla a corrente entre os 
outros dois.
( ) O MOSFET é um dispositivo de oito terminais, de modo que um deles controla a corrente e os 
demais controlam a tensão.
( ) O MESFET é um dispositivo de cinco terminais, de modo que três deles controlam a corrente e 
os outros dois controlam a tensão.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A V - F - V - F.
B F - V - F - V.
C V - V - F - F.
D F - V - V - F.
Um modelo é a combinação de elementos de circuito, apropriadamente selecionados, que se 
assemelham tanto quanto possível ao funcionamento real de um dispositivo semicondutor sob 
condições específicas de operação. Com base no exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o
modelo ry, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
B Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o
modelo rh, o modelo pi híbrido e o modelo hibrido equivalente.
C Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o
modelo ra, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
D Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para pequenos sinais: o
modelo re, o modelo pi híbrido e o modelo híbrido equivalente.
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O JFET oujunção FET é um transistor de efeito de campo que usa materiais portadores de carga 
colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a 
passagem de corrente elétrica. Em dispositivos JFET canal N, a corrente de dreno (Id) é controlada 
aplicando-se uma tensão reversa em sua porta-fonte (GATE-SOURCE). Deste modo uma barreira é 
formada na camada tipo P, expandindo-a e estreitando a passagem da corrente no canal N. Com base 
nesse contexto, classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Na construção de um JFET de canal n é possível verificar que a maior parte do material 
constituinte é do tipo n, que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. 
( ) Na parte superior do material do tipo n por meio de um contato ôhmico temos a conexão do 
dreno (D - drain) e na parte inferior do mesmo através de outro contato ôhmico temos a fonte (S - 
source). 
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G - gate).
( ) Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (D - drain).
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:
A F - V - V - F.
B V - F - V - F.
C F - V - F - V.
D V - V - V - F.
Os transistores estão presentes nos circuitos integrados, que compõem as portas lógicas 
utilizadas em circuitos elétricos de diversas máquinas, eletrodomésticos, computadores, celulares etc. 
Com base nesse contexto, analise as sentenças a seguir:
I- Os transistores têm três regiões que são: o emissor (E), a base (B) e o coletor (C). 
II- O coletor é fortemente dopado, uma vez que deve enviar portadores de corrente para a base e 
posteriormente ao emissor, a base e emissor possuem dopagem leve. 
III- O coletor reúne os portadores, o emissor envia os portadores e a base funciona como uma válvula 
de controle de portadores do emissor para o coletor.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças II e III estão corretas.
B Somente a sentença II está correta.
C As sentenças I e III estão corretas.
D As sentenças I e II estão corretas.
[Laboratório Virtual – Eletrônica Analógica – Iluminação de Emergência com Transistor] Através da 
prática virtual, o canal 1 da fonte será ajustado para 9 V. Conecte o multímetro ao transistor para 
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realizar a medição da corrente, basta clicar sobre o transistor com botão direito do mouse e 
selecionando a opção “Medir Corrente”. Ajuste o potenciômetro em 50 kohms. Com o sistema 
montado, seguindo o auxílio do roteiro do laboratório virtual e os dados da questão, é possível realizar 
alguns experimentos relacionados à Iluminação de Emergência com o Transistor.
Com relação ao experimento exposto, assinale a alternativa CORRETA:
A Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que
o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.
B Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado.
Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência diminuída.
C Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá acender. Visto que
o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.
D Ao desligar as luzes, na opção “iluminação” do laboratório virtual, o LED irá se manter apagado.
Visto que o LDR (resistor dependente de luz) terá a resistência aumentada.
O transistor é um dispositivo feito de material semicondutor que é largamente utilizado em 
circuitos eletrônicos e em chips de computador. Com base nesse contexto, analise as sentenças a 
seguir:
I- A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária, de modo que a troca 
de um transistor npn por um pnp não é possível em circuitos eletrônicos, pois cada um dos tipos 
possui uma polarização característica. 
II- Para que o transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida reversamente 
polarizada, deste modo tem-se que o coletor em um transistor npn deve ser positivo em relação à base 
e em um transistor pnp o coletor deve ser negativo em relação à base.
III- Os TBJs - do inglês "tetrapolar junction transistor" são conhecidos no Brasil como transistores 
tetrapolares de junção pois têm quatro pernas.
Assinale a alternativa CORRETA:
A As sentenças II e III estão corretas.
B As sentenças I e II estão corretas.
C Somente a sentença II está correta.
D As sentenças I e III estão corretas.
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