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UFPI - UNIVERSIDADE FEDERAL DO PIAUÍ CENTRO DE TECNOLOGIA DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA ELETRÔNICA I – Prof. MARCOS ZURITA - Outubro / 2010 MOSFETS – EXERCÍCIOS 1ª PARTE – TEORIA 1.1) Quais as principais diferenças e semelhanças entre um MOSFET tipo depleção e um JFET? 1.2) Explique as diferenças básicas entre um MOSFET tipo depleção e um tipo enriquecimento, do ponto de vista construtivo e de funcionamento. Esboce também as curvas características de dreno e de transferência para cada um deles (assuma ambos de canal n). 1.3) Com base em seus conhecimentos, que impactos você acredita que haveriam nas características eletrônicas de um nMOS se a espessura do óxido do gate fosse aumentada ou diminuída? E se fossem empregados óxidos cuja constante dielétrica fosse maior ou menor? 1.4) Esboce os diagramas de polarização fixa, autopolarização e por divisor de tensão de um MOSFET tipo depleção. 1.5) Esboce os diagramas de polarização fixa, por realimentação de dreno e por divisor de tensão de um MOSFET tipo intensificação. 1.6) Em projetos de microeletrônica é muito comum empregar MOSFETs tipo depleção com o terminal de gate diretamente conectado ao terminal fonte. Que finalidade há neste tipo de arranjo? E se o mesmo for feito com um MOSFET tipo intensificação? 1.7) Suponha que em um projeto você necessite de um resistor linear controlado por tensão e que para isto você decida empregar um nMOS (intensificação). Que cuidados devem ser observados na escolha dos parâmetros de operação deste dispositivo para garantir sua correta funcionalidade? 1.8) Explique os efeitos da aplicação de uma tensão inferior a zero entre os terminais de substrato e fonte de um nMOS tipo intensificação. 1.9) Explique as vantagens e desvantagens entre uma chave analógica nMOS e uma porta de transmissão CMOS. Esboce o diagrama elétrico da porta de transmissão CMOS e a contribuição de cada transistor para sua resistência de condução. 2ª PARTE – CÁLCULOS 2.1) No diagrama abaixo é apresentado um circuito a ser implementado em tecnologia CMOS cujos parâmetros são: VTn = 1 V, VTp = -1 V, k'n = 20 µA/V2, k'p = 10 µA/V2, W1/L1 = W3/L3 = 160, W2/L2 = 80, W4/L4 = 240. Determine o valor das correntes I1 e I2. 2.2) Considere no circuito a seguir VTn = 1 V, k'n = 20 µA/V2, W1/L1 = 100, W3/L3 = 100, W2/L2 = 200, W4/L4 = 100. Determine o valor das correntes I1 e I2. 2.3) Para o amplificador MOS esboçado na figura a seguir, considere IP = 1 mA, VT = 1,5 V, k'n(W/L) = 500 µA/V2, VA = 50 V. Determine: a) O ponto quiescente do nMOS (IDQ, VDSQ e VGSQ). b) O modelo para pequenos sinais do amplificador. c) As impedâncias de entrada e saída (Zin e Zout). d) O ganho de tensão do amplificador (Av). 2.4) O diagrama abaixo trata-se de um circuito para o qual M1 ≡ M2, VT = 1 V, k'n(W/L) = 250 µA/V2, VA → ∞. Determine: a) O ponto quiescente dos nMOS (IDQ, VDSQ e VGSQ). b) O modelo para pequenos sinais do amplificador. c) A expressão literal do ganho de tensão do amplificador (Av). d) O valor de R2 para obter Av = -5. e) As impedâncias de entrada e saída (Zin e Zout). 2.5) No diagrama a seguir é apresentado um circuito CMOS para o qual M1 ≡ M2, VT = 1 V, k'n = 1 mA/V2, W1/L1 = 20/14, W2/L2 = 28/10, VA → ∞. Determine: a) O ponto quiescente dos nMOS (IDQ, VDSQ e VGSQ). b) O modelo para pequenos sinais do amplificador. c) O ganho de tensão do amplificador (Av). d) As impedâncias de entrada e saída (Zin e Zout). 2.6) Considere o circuito CMOS a seguir cujos parâmetros da tecnologia são: VTn = 0,8 V, VTp = -1 V, k'n(W/L) = k'p(W/L) = 3 mA/V2, λ = 0. Determine: a) O ponto quiescente dos MOS (IDQ, VDSQ e VGSQ). b) O modelo para pequenos sinais do amplificador. c) O ganho de tensão do amplificador (Av). d) As impedâncias de entrada e saída (Zin e Zout). 2.7) Para o circuito nMOS abaixo, assuma M1 ≡ M2 ≡ M3, VT = 1 V, k'n(W/L) = 2 mA/V2, IP = 0,25 mA, VA → ∞. Determine: a) O ponto quiescente dos MOS (IDQ, VDSQ e VGSQ). b) O modelo para pequenos sinais do amplificador. c) O ganho de tensão do amplificador (Av). d) As impedâncias de entrada e saída (Zin e Zout). 2.8) Considere para o circuito MOS abaixo M1 ≡ M2, VP = -4 V, IDSS = 12 mA, VA → ∞. a) Demonstre que, para v1 = v2 = 0 V, o ponto quiescente de ambos os transistores pode ser expresso pela equação: V P 2 2 RS I DSS −2V PV GS1 V SS2 RS I DSS V P2V GS2 =0 b) Assumindo VDD = 12V e VSS = -12V, determine o valor dos resistores RD e RS de forma a obter I1 = I2 = 2 mA e VDSQ ≥ 4,5V. 2.9) Sabendo que, embora os termos VP e VT provenham de fenômenos físicos distintos, matematicamente ambos podem ser substituídos um pelo outro, prove que para um MOSFET tipo depleção, as equações abaixo são equivalentes. i D= I DSS1−V GSV P 2 i D= 1 2 nC oxWL V GS−V T 2 2.10) Projete o circuito da abaixo de modo que o transistor opere com ID = 0,4 mA e VD = +1V. O transistor nMOS tem VT = 2 V, µnCox = 20 µA/V2, L = 10 µm e W = 400 µm. Despreze a modulação do comprimento do canal (isto é, suponha λ = 0). 2.11) Projete o circuito da figura abaixo para obter uma corrente ID = 0,4 mA . Determine o valor necessário para R e calcule a tensão cc, VD. Suponha que o transistor nMOS tenha VT = 2 V, µnCox = 20 µA/V2, L = 10 µm e W = 100 µm. Despreze o efeito da modulação do comprimento do canal (isto é, suponha λ = 0). 2.12) Projete o circuito da figura abaixo para estabelecer uma tensão de reno de 0,1 V. Qual a resistência efetiva entre o dreno e a fonte nesse ponto de operação? Suponha VT = 1 V e k'n(W/L) = 1 mA/V2. 2.13) Analise o circuito mostrado na figura a seguir a fim de determinar todas as tensões dos nós e as correntes nas malhas. Suponha VT = 1 V e k'n(W/L) = 1 mA/V2. Despreze o efeito da modulação do comprimento do canal (isto é, suponha λ = 0). 2.14) Projete o circuito da figura abaixo de modo que o transistor opere na saturação com ID = 0,5 mA e VD = +3V. Suponha um transistor pMOS tipo enriquecimento tendo VT = -1 V, k'p(W/L) = 1 mA/V2. Suponha λ = 0. Qual o maior valor que RD pode ter para manter a operação na região de saturação? 2.15) Para o MOSFET tipo depleção mostrado no circuito da figura a seguir, suponha que a corrente através do resistor variável RD seja 100 µA. Se k'n = 20 µA/V2 e VT = -1V, obtenha o valor de W/L. Também obtenha a faixa de valores para RD de forma que a corrente permaneça constante em 100 µA. Assuma λ = 0. 2.16) Projete o circuito na figura a seguir de forma a estabelecer uma tensão cc de +9,9 V na fonte. Nesse ponto de operação, qual a resistência efetiva entre a fonte e o dreno do transistor?Suponha VT = -1 V e k'n(W/L) = 1 mA/V2. 2.17) Para um transistor nMOS tipo depleção com VT = -2V, k'n(W/L) = 2 mA/V2, encontre o valor mínimo de vds necessário para operar na região de saturação quando vGS = +1V. Qual o valor correspondente de iD? 2.18) O MOSFET tipo depleção na figura a seguir tem k'n(W/L) = 4 mA/V2 e VT = -2V. Desprezando o efeito de vDS sobre iD na região de saturação, encontre a tensão que aparece no terminal fonte. 2.19) Determine i como uma função de v para o circuito na figura a seguir. Despreze o efeito de vDS sobre iD na região de saturação. 2.20) Para o circuito projetado na Questão 2.10, encontre o maior valor que RD pode ter para manter o MOSFET na saturação. 2.21) Considere o circuito que foi projetado na Questão 2.11. Suponha agora que a tensão VD seja aplicada à porta de outro transistor Q2, conforme é mostrado na figura a seguir. Suponha que Q2 seja idêntico a Q1. Encontre a corrente de dreno e a tensão de Q2. (Suponha λ = 0). 2.22) Considere o circuito que foi projetado na Questão 2.12. Se o valor de RD for dobrado em relação ao encontrado na Questão 2.12, calcule os novos valores de VD, ID e rDS. 2.23) Considere o circuito da Questão 2.13 com novos valores de resistores. Projete o circuito para obter aproximadamente4 V na porta, uma corrente de dreno de cerca de 1 mA e uma tensão de dreno de cerca de 4V. O transistor tem k'n(W/L) = 2 mA/V2, VT = 2V e λ = 0. 2.24) Analise o circuito na figura abaixo para determinar ID e VD. O MOSFET de depleção tem VT = -1 V e k'n(W/L) = 1 mA/V2 e λ = 0. 2.25) Empregando o transistor nMOS 2N4351, cujo datasheet é dado em anexo, e uma fonte VDD = 20V, projete o amplificador da figura abaixo (sugira valores para R1, R2 e RD) de modo a obter um ganho de tensão Av = -4 V/V. Determine também as impe- dâncias de entrada e saída (Zin e Zout) para o amplificador projetado. 2.26) Um sinal de tensão de 10 µV pico-a-pico precisa ser amplificado 36 vezes a fim de poder ser tratado por um circuito externo. Para isso você sugere a implementação do circuito esboçado na figura abaixo, utilizando uma fonte VDD = 18V e dois transistores nMOS 2N4351, cujo datasheet é dado em anexo. Despreze o efeito da modulação do comprimento do canal. a) Sugira valores para todos os resistores de forma a atender o ganho na região linear. b) Esboce o modelo de pequenos sinais para o amplificador projetado. c) Determine as impedâncias de entrada e saída (Zin e Zout) para o amplificador projetado. d) Recalcule os valores de RD1 e RD2 de modo a obter o máximo ganho de tensão. RD1R1 R3 vin C1 C2 RD2R2 R4 C3 2.27) O circuito da figura abaixo será fabricado em tecnologia CMOS na qual VTn = 0,8 V, VTp = -0,9 V, k'n = 80 µA/V2, k'p= 20 µA/V2. Assumindo que todos os transistores serão fabricados com L = 2 µm, que a corrente IREF = 25 µA e que W1 = L1, determine o valor de R e as dimensões W2, W3, W4 e W5 de forma a obter I2 = 200 µA e I5 = 300 µA. 2.28) O circuito da Figura abaixo será fabricado em tecnologia MOS na qual VT = 1 V, VP = -3 V, µnCox = 100 µA/V2, (W/L)1 = 20µm/10µm, (W/L)2 = 80µm/5µm, (W/L)3 = 120µm/5µm, VA = 100V. Assumindo que a corrente IP = 200 µA, VDD = 10 V, VSS = -10 V determine: a) O ponto quiescente dos transistores (IDQ, VDSQ e VGSQ). b) O modelo para pequenos sinais do amplificador (considere M3 como o equivalente MOS de 3 terminais no modelo). c) O ganho de tensão do amplificador (Av). d) As impedâncias de entrada e saída (Zin e Zout). RD R1 R2 vin C1 C2 FEATURES DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 2N4351 HIGH DRAIN CURRENT ID = 100mA HIGH GAIN gfs = 1000µS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 1 @ 25 °C (unless otherwise stated) Maximum Temperatures Storage Temperature -65 to +200 °C Operating Junction Temperature -55 to +150 °C Maximum Power Dissipation Continuous Power Dissipation 375mW Maximum Current Drain to Source 100mA Maximum Voltages Drain to Body 25V Drain to Source 25V Peak Gate to Source 2 ±125V ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated) (VSB = 0V unless otherwise stated) SYMBOL CHARACTERISTIC MIN TYP MAX UNITS CONDITIONS BVDSS Drain to Source Breakdown Voltage 25 ID = 10µA, VGS = 0V VDS(on) Drain to Source "On" Voltage 1 ID = 2mA, VGS = 10V VGS(th) Gate to Source Threshold Voltage 1 5 V VDS = 10V, ID = 10µA IGSS Gate Leakage Current 10 pA VGS = ±30V, VDS = 0V IDSS Drain Leakage Current "Off" 10 nA VDS = 10V, VGS = 0V ID(on) Drain Current "On" 3 mA VGS = 10V, VDS = 10V gfs Forward Transconductance 1000 µS VDS = 10V, ID = 2mA, f = 1MHz rDS(on) Drain to Source "On" Resistance 300 VGS = 10V, ID = 0A, f = 1kHz Crss Reverse Transfer Capacitance 1.3 VDS = 0V, VGS = 0V, f = 140kHz Ciss Input Capacitance 5.0 VDS = 10V, VGS = 0V, f = 140kHz Cdb Drain to Body Capacitance 5.0 pF VDB = 10V, f = 140kHz * Body tied to Case. G S D C 2 1 4 3 BOTTOM VIEW TO-72 Linear Integrated Systems 2N4351 N-CHANNEL MOSFET ENHANCEMENT MODE Linear Integrated Systems • 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261
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