1ª prova

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1- Para um semicondutor extrínseco justificar as seguintes relações:
a) n > p		b) n < p		c) n = p
2- a) Explicar a existência dos níveis de energia doadores e aceitadores em semicondutores extrínsecos.
 b) Fazer o esboço do diagrama de bandas de energia de um semicondutor dopado com impurezas doadoras e aceitadoras. Indicar a localização dos níveis de energia doadores e aceitadores.
3- Deseja-se aumentar de 50% a condutividade de uma amostra semicondutora intrínseca de silício a temperatura ambiente de 300K, dopando a mesma com apenas impurezas doadoras. Pede-se: (a) As concentrações de elétrons e lacunas desta amostra. (b) A concentração dessas impurezas.
4- Para uma barra de silício tipo N, à temperatura ambiente de 300K, com resistência 100Ω.cm² e área seccional de 1cm², pede-se: (a) A condutividade desta amostra. (b) A corrente que flui através dessa barra, quando se aplica em suas extremidades um campo elétrico de 10 V/cm.
5- Uma amostra semicondutora de silício apresenta sob condições de equilíbrio numa temperatura ambiente Txx * uma concentração de lacunas de 10xx cm – x e uma concentração de elétrons de 2 x 10 xx cm - x. Sabendo que este semicondutor foi dopado com impurezas numa razão de 2/3. Determinar
(a) As concentrações dessas impurezas. (b) A temperatura ambiente TA.
*Nota do Pirateador: o índice xx indica que não consegui identificar o que estava na foto, embora possa ser Tab, referente a ambiente.