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AV1 Materiais Elétricos

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Avaliação: CCE0252_AV1_201407041665 (AG) » MATERIAIS ELÉTRICOS
	Tipo de Avaliação: AV1
	Aluno: 201407041665 - ELISSON XAVIER DE PONTES
	Professor:
	JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS
	Turma: 9004/AG
	Nota da Prova: 6,5 de 8,0  Nota do Trab.: 0    Nota de Partic.: 2  Data: 04/11/2015 17:53:17
	
Estação de trabalho liberada pelo CPF 05840895709 com o token 542671 em 04/11/2015 17:52:17.
	
	 1a Questão (Ref.: 201407145413)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	0,84 cm2
	 
	0,53 cm2
	
	0,97 cm2
	
	0,65 cm2
	
	0,72 cm2
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201407144157)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de 1,2 mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	120 Ω
	
	12,0 Ω
	
	3,4 Ω
	
	34 Ω
	 
	0,12 Ω
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201407206058)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microcircuitos com uma infinidade de componentes, observáveis as vezes somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa somente conceitos corretos.
		
	
	Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4).
	
	A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
 
	
	 
 Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4).
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
	 
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que apresentam impurezas.
 
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201407287004)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
		
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	 
	Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito.
	 
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201407054141)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-3  oC-1).
		
	
	3,89 Ω
	
	4,35 Ω
	 
	4,19 Ω
	
	3,4 Ω
	
	6,8 Ω
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201407132386)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
		
	
	Indutância
	
	Condutância
	
	 Resistividade
	
	Condutividade
	 
	Resistência
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201407697790)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Que átomos de impureza são utilizados na dopagem do silício para formar um semicondutor tipo p?
		
	 
	Átomos com 6 elétrons na camada de valência.
	 
	Átomos com 7 elétrons na camada de valência.
	 
	Átomos com 3 elétrons na camada de valência.
	 
	Átomos com 4 elétrons na camada de valência.
	 
	Átomos com 5 elétrons na camada de valência.
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201407772587)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A condutividade de um semicondutor varia com diversos parâmetros, entre os quais podemos citar a concentração de portadores de carga, a mobilidade destes portadores, o estado de deformação plástica do material e a temperatura, entre outros parâmetros. Com relação a dependência da temperatura em particular, tem-se que a condutividade varia segundo a expressão  = Cn T-3/2 e (-Eg/2kT), na qual "C" é uma constante associada ao material, "T" é a tempera em Kelvin, "Eg" é a "energia de gap" e "k" é a constante de Boltzmann, igual a 8,62 x 10-5 eV/K.
Com base na expressão anterior, PODEMOS afirmar que:
		
	 
	A medida que a temperatura aumenta, a condutividade diminui.
	
	A expressão apresentada possui um ponto de mínimo, indicando que até determinada temperatura a condutividade diminui, aumentando logo depois.
	
	A expressão apresentada possui um ponto de máximo, indicando que até determinada temperatura a condutividade aumenta, diminuindo logo depois
	
	A medida que a temperatura aumenta, a condutividade aumenta.
	
	O efeito da condutividade na temperatura é desprezível, de tal forma que podemos considerá-la constante a medida que a temperatura aumenta
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201407059343)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio.
		
	
	10 m
	 
	13,5 m
	
	5 m
	
	12 m
	
	15 m
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201407132394)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada?
 
 
		
	
	Logarítmica
	
	Quadrática
	
	Exponencial
 
	 
	Linear
	
	Trigonométrica

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