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Avaliação: CCE0252_AV1_201407041665 (AG) » MATERIAIS ELÉTRICOS Tipo de Avaliação: AV1 Aluno: 201407041665 - ELISSON XAVIER DE PONTES Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9004/AG Nota da Prova: 6,5 de 8,0 Nota do Trab.: 0 Nota de Partic.: 2 Data: 04/11/2015 17:53:17 Estação de trabalho liberada pelo CPF 05840895709 com o token 542671 em 04/11/2015 17:52:17. 1a Questão (Ref.: 201407145413) Pontos: 0,5 / 0,5 Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio. 0,84 cm2 0,53 cm2 0,97 cm2 0,65 cm2 0,72 cm2 2a Questão (Ref.: 201407144157) Pontos: 0,5 / 0,5 Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de 1,2 mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m. 120 Ω 12,0 Ω 3,4 Ω 34 Ω 0,12 Ω 3a Questão (Ref.: 201407206058) Pontos: 0,5 / 0,5 O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microcircuitos com uma infinidade de componentes, observáveis as vezes somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa somente conceitos corretos. Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4). A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem. Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4). Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema. Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que apresentam impurezas. 4a Questão (Ref.: 201407287004) Pontos: 0,0 / 0,5 Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA. Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões. Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe. Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade. À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito. À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita. 5a Questão (Ref.: 201407054141) Pontos: 1,0 / 1,0 A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-3 oC-1). 3,89 Ω 4,35 Ω 4,19 Ω 3,4 Ω 6,8 Ω 6a Questão (Ref.: 201407132386) Pontos: 1,0 / 1,0 Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm? Indutância Condutância Resistividade Condutividade Resistência 7a Questão (Ref.: 201407697790) Pontos: 0,0 / 1,0 Que átomos de impureza são utilizados na dopagem do silício para formar um semicondutor tipo p? Átomos com 6 elétrons na camada de valência. Átomos com 7 elétrons na camada de valência. Átomos com 3 elétrons na camada de valência. Átomos com 4 elétrons na camada de valência. Átomos com 5 elétrons na camada de valência. 8a Questão (Ref.: 201407772587) Pontos: 1,0 / 1,0 A condutividade de um semicondutor varia com diversos parâmetros, entre os quais podemos citar a concentração de portadores de carga, a mobilidade destes portadores, o estado de deformação plástica do material e a temperatura, entre outros parâmetros. Com relação a dependência da temperatura em particular, tem-se que a condutividade varia segundo a expressão = Cn T-3/2 e (-Eg/2kT), na qual "C" é uma constante associada ao material, "T" é a tempera em Kelvin, "Eg" é a "energia de gap" e "k" é a constante de Boltzmann, igual a 8,62 x 10-5 eV/K. Com base na expressão anterior, PODEMOS afirmar que: A medida que a temperatura aumenta, a condutividade diminui. A expressão apresentada possui um ponto de mínimo, indicando que até determinada temperatura a condutividade diminui, aumentando logo depois. A expressão apresentada possui um ponto de máximo, indicando que até determinada temperatura a condutividade aumenta, diminuindo logo depois A medida que a temperatura aumenta, a condutividade aumenta. O efeito da condutividade na temperatura é desprezível, de tal forma que podemos considerá-la constante a medida que a temperatura aumenta 9a Questão (Ref.: 201407059343) Pontos: 1,0 / 1,0 Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio. 10 m 13,5 m 5 m 12 m 15 m 10a Questão (Ref.: 201407132394) Pontos: 1,0 / 1,0 O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada? Logarítmica Quadrática Exponencial Linear Trigonométrica
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