Prova AV2 MATERIAIS ELÉTRICOS 1

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Nota da Prova: 8,0 de 8,0  Nota do Trab.: 0    Nota de Partic.: 0  Data: 24/11/2015 16:40:12
	
	 1a Questão (Ref.: 201308401120)
	Pontos: 1,5  / 1,5
	A resistividade do ouro é 2,45 x 10-8 m à 20 ºC, a resistividade da prata é 1,64 x 10-8 m à 20 ºC. Temos duas peças com mesma área de seção reta, sendo uma de ouro com comprimento igual a 8 cm e outra de prata com comprimento igual a 10 cm. Qual delas apresenta maior resistência entre suas extremidades? Justifique.
		
	
Resposta: A restividade é calculada pela formula R =p.1/A R (ouro)= 19,6/A R (prata)= 16,4/A portanto a peça de ouro apesar de ter comprimento menor, tem resistencia maior.
	
Gabarito: 
	
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta aceita.
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201308398884)
	Pontos: 1,5  / 1,5
	Podemos diminuir o valor da capacitância de um capacitor de placas paralelas aumentando-se a constante dielétrica do material isolante ou diminuindo a distância entre as placas, mantendo-se a área original. Certo ou errado? Justfique a sua resposta.
		
	
Resposta: Errado. pois a expressão C=er (A/d), nos indica que quanto maior a distância, menor a capacitância e que quando maior er, maior a capacitância.
	
Gabarito: Errado, pois a expressão C=er (A/d), nos indica que quanto maior a distância, menor a capacitância e que quando maior er, maior a capacitância.
	
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta aceita.
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201308460729)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Alunos do curso de Engenharia da UNESA realizaram um experimento básico representado na figura a seguir.
 
  
  
Entre os pontos A e B estabeleceram diversas diferenças de potencial, V, no condutor ôhmico designado por R, obtendo os valores de corrente, i, expressos na tabela a seguir.
 
	i (Ampère)
	2,60
	2,10
	2,00
	6,30
	V (volt)
	5,00
	4,30
	4,20
	12,60
 
Baseado nas informações anteriores, podemos concluir que a resistência do resistor ôhmico é melhor quantificada por.
 
 
		
	
	1,6 ohms
	
	2,5 ohms
	 
	2,0 ohms
	
	0,75 ohms
	
	0,5 ohms
	
	 4a Questão (Ref.: 201308460757)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por:
		
	
	V=R.i
	 
	v=E.e
	
	V=N.i.IpI.h
	
	v=s/t
	
	=W.A/l
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201308896426)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas, ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. Um resistor com coeficiente de variação de temperatura positivo de 4.10-3 ºC-1 apresenta o valor de 5KΩ a 25 C º. Qual sua resistência na temperatura de 75 C º?
		
	
	3KΩ
	 
	6KΩ
	
	25KΩ
	
	4,25KΩ
	
	1KΩ
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201308460787)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Alguns componentes eletrônicos fazem uso de semicondutores extrínsecos e intrínsecos conjuntamente, sendo necessário que na temperatura de trabalho, o semicondutor intrínseco possua condutividade inferior a condutividade do extrínseco. No gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013%. Baseado nestas informações, marque a opção correta. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
 
 
		
	
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico terá que ser montado utilizando-se somente os condutores extrínsecos mostrados no gráfico.
	
	Em nenhuma temperatura exposta no gráfico, haverá problemas de inversão de condutividade elétrica.
	
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco provavelmente apresentará problemas referentes a condutividade.
	
	A partir das informações expostas no gráfico, percebe-se que em todas as temperaturas a condutividade elétrica do semicondutor intrínseco é superior a dos semicondutores extrínsecos.
	 
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco provavelmente funcionará sem problemas referentes a condutividade.
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201308314039)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio.
		
	
	15 m
	
	10 m
	 
	13,5 m
	
	12 m
	
	5 m
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201308460863)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Contrariando o que se julgava definido, a partir de 1970, diversas linhas de pesquisa apresentaram como produto polímeros condutores, que chegavam a apresentar condutividade comparável a do Cobre.
Considerando os itens abaixo, assinale a opção correta:
		
	
	Todos os metais podem ser substituídos por polímeros condutores, nos casos que os primeiros atuam como condutores.
	
	Com o advento dos polímeros condutores, as luvas dos equipamentos de proteção individual poderão ser confeccionadas com este material.
	 
	Nos casos em que o peso do condutor é relevante, é interessante ter a opção de substituir o metal condutor por polímeros condutores.
	
	A condutividade de um polímero condutor nunca será comparável a de um condutor não polimérico.
	
	No caso dos polímeros, a corrente elétrica gerada não depende da estrutura de elétrons presente.
	
	 9a Questão (Ref.: 201308461174)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Georg Simon Ohm (1787-1854) lecionou Física na Universidade de Munique e em 1827 e foi um dos pioneiros na investigação de propriedades dos resistores, o que lhe conferiu a imortalidade científica através da associação de seu nome, Ohm, a quantificação da característica resistividade de um material.
Entre as informações referentes a um resistor, não podemos afirmar que: (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3)
		
	
	A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
	
	O coeficiente de temperatura do resistor (TCR) descreve o comportamento da variação do valor da resistência em função da temperatura.
	
	Temperatura, presença de impurezas e deformação mecânica são fatores que influenciam a resistividade de um material.
	 
	Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
	
	O TCR é um parâmetro importante pois é desejável conhecer este comportamento antes da operação do componente.
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201308461268)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Considere que um capacitor de placas paralelas separadas a 3 mm, com dimensões iguais a 100mm e 60 mm e constante dielétrica r igual a 6 foi submetido a uma diferença de potencial igual a 20V.
Sabe-se que a capacitância de um capacitor de placas paralelas é dada por C = o (A/l),onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e o= 9. 10-12 é a permissividade do vácuo.
 
Considerando as informações anteriores, determine o valor da carga armazenada em suas placas.
		
	 
	2.160 pC.
	
	20 pC.
	
	50 pC.
	
	1.080 pC.
	
	180 pC.