AV1 DE MATERIAIS ELETRICOS

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06/12/2015 BDQ Prova
http://bquestoes.estacio.br/entrada.asp?p0=58786560&p1=201308012811&p2=1769999&p3=CCE0252&p4=102207&p5=AV1&p6=03/10/2015&p10=28887894 1/4
 
Avaliação: CCE0252_AV1_201308012811 » MATERIAIS ELÉTRICOS
Tipo de Avaliação: AV1
Aluno: 201308012811 ­ RENILSON SANTOS FERREIRA
Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9001/AD
Nota da Prova: 6,5 de 8,0  Nota do Trab.: 0    Nota de Partic.: 2  Data: 03/10/2015 10:30:36
  1a Questão (Ref.: 201308174303) Pontos: 0,0  / 0,5
Em 1827, Georg Simon Ohm  (1787­1854),  professor  da Universidade  de Munique,  publicou  em  artigo  a  relação  que mais  tarde
levaria  seu  nome,  a  Lei  de Ohm. Contudo,  foi  somente  nas  décadas  seguintes  que  o  estudo  adquiriu  relevância  e  gerou  outros
conceitos  como  a  condutividade  e  a  resistividade  (MEYER HERBERT W.,  A History  of  Electricity  and Magnetism  .  Connecticut,
Norwalk, 1972, Chapter 4).
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa o conceito de resistividade:
  V=R.i
P=U.i
V=N.i.E
F=m.a
  V=R i.A/l
  2a Questão (Ref.: 201308174301) Pontos: 0,5  / 0,5
Nas  instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção  Individual  (EPI), que
devem  ser  utilizados  em  diversas  ocasiões,  cada  qual  com  sua  especificidade..  No  EPI  de  quem  mexe  com  eletricidade,  é
fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um
possível meio eletricamente carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória. Entre
os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento elétrico semelhante ao da borracha, podemos citar:
 
Silício, Ferro, água pura salgada.
  Isopor, madeira e água destilada e deionizada.
Madeira, borracha, vidro e isopor.
Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio.
Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
  3a Questão (Ref.: 201308174305) Pontos: 0,5  / 0,5
Os  metais  apresentam  em  sua  microestrutura  uma  periodicidade  na  disposição  dos  átomos  que  os  classifica  como  materiais
cristalinos. Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que influencia na velocidade de transporte dos eletros, ou
seja, quanto maior o número de falhas na estrutura cristalina, maior a dificuldade de deslocamento dos elétrons. Para descrever a
velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou­se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em
Inglês), dada por vd=E.e, onde E é a intensidade do campo elétrico e e é a mobilidade elétrica do elétron.
Sabendo­se que em um experimento, utilizou­se um campo elétrico igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja mobilidade
elétrica é igual a e=0,0012m2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o valor da velocidade de deslocamento dos elétrons.
50 m/s
  0,72 m/s.
500.000 m/s
06/12/2015 BDQ Prova
http://bquestoes.estacio.br/entrada.asp?p0=58786560&p1=201308012811&p2=1769999&p3=CCE0252&p4=102207&p5=AV1&p6=03/10/2015&p10=28887894 2/4
7,2 m/s
5 m/s
  4a Questão (Ref.: 201308174321) Pontos: 0,5  / 0,5
Um  campo  elétrico  aplicado  a  um material  condutor,  motiva  os  elétrons  a  se movimentarem  de  forma  ordenada,  criando  o  que
conhecemos como corrente elétrico.  Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os elétrons
sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve
este fenômeno é:
Resistividade elétrica.
Condutividade elétrica.
Supercondutividade elétrica.
Resistência elétrica.
  Mobilidade elétrica.
  5a Questão (Ref.: 201308174331) Pontos: 1,0  / 1,0
Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do
próprio Silício, criando­se as variações conhecidas como semicondutores do tipo­p e semicondutores do tipo­n. A expressão σ = N
ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 ­19 C), onde N e P são as densidades de cargas
negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos
(m2/V m),  respectivamente. Considerando­  se  um  semicondutor  extrínseco  de Silício,  no  qual  a  concentração  de  portadores  de
cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior
para:
  σ = P ІeІ µh.
A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de
alterar­se gravemente a precisão da condutividade.
σ = N ІeІ µh.
σ = 2 P ІeІ µh
σ = N ІeІ (µe + µh).
  6a Questão (Ref.: 201308174336) Pontos: 1,0  / 1,0
A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade
em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a
resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
  Reta.
Hipérbole.
Círculo.
Elipse.
Parábola.
  7a Questão (Ref.: 201308260476) Pontos: 1,0  / 1,0
O  século  XX  foi marcado  por  inúmeros  avanços  tecnológicos,  entre  os  quais  os  advento  dos  semicondutores
extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses
06/12/2015 BDQ Prova
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semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício.
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
  a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos".
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
  8a Questão (Ref.: 201308666051) Pontos: 0,0  / 1,0
Que átomos de impureza são utilizados na dopagem do silício para formar um semicondutor tipo p?
  Átomos com 6 elétrons na camada de valência.
  Átomos com 4 elétrons na camada de valência.
  Átomos com 5 elétrons na camada de valência.
  Átomos com 7 elétrons na camada de valência.
  Átomos com 3 elétrons na camada de valência.
  9a Questão (Ref.: 201308174412) Pontos: 1,0  / 1,0
Capacitor  é  um  sistema  composto  por  dois  condutores  (chamados  de  armaduras  ou  de  placas)  separados  por  um  dielétrico
(isolante). Considera­se, de forma simplificada, que a carga deste sistema quando submetido a uma diferença de potencial é a carga
em módulo de uma das placas, ou seja, se uma placa tem carga +Q e a outra possui carga ¿Q, dizemos que o capacitor tem carga
Q.
 
Considerando o exposto, indique a opção correta.
 
A borracha, o cerâmico genérico e o aço inoxidável são elementos tipicamente encontrados como
dielétricos.
A condutividade elétrica de um dielétrico deve ser alta, uma vez que deve haver condução de carga em
seu interior.
  Em um sistema constituído de uma pessoa (o corpo é um condutor) sobre uma prancha de madeira que
se encontra sobre um terreno (condutor), podemos dizer que se poderia formar um capacitor onde a
pessoa e a terra seriam as armaduras do capacitor e a prancha seria o dielétrico.
Um sistema constituído por duas placas condutoras paralelas submetidasa uma diferença de potencial e
com vácuo entre elas não pode ser considerado um capacitor.
A resistividade de um material dielétrico é da mesma ordem de grandeza que a resistividade de um
material condutor.
  10a Questão (Ref.: 201308174385) Pontos: 1,0  / 1,0
A  resistividade  de  um  material  expressa  a  resistência  que  este  apresenta  a  passagem  de  correta  elétrica.  Apesar  de  estar
relacionada a resistência elétrica R através da expressão =R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção
reta  do  condutor  no  formato  cilíndrico)  e  nem  l  (comprimento  do  condutor),  ou  seja,  quando  aumentamos  o  comprimento,  a
resistência  aumenta  e  quando  aumentamos  a  área  da  seção  reta,  a  resistência  diminui, mantendo,  desta  forma,  a  resistividade
constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a ­30oC,
pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
  À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
06/12/2015 BDQ Prova
http://bquestoes.estacio.br/entrada.asp?p0=58786560&p1=201308012811&p2=1769999&p3=CCE0252&p4=102207&p5=AV1&p6=03/10/2015&p10=28887894 4/4
Período de não visualização da prova: desde 01/10/2015 até 21/10/2015.