Materiais Elétricos Aula 04

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1a Questão (Ref.: 201301569255)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre
as opções a seguir, aquela que  identifica um  fenômeno  físico que pode  fornecer esta  informação. (CALLISTER, WILLIAM D.  Jr.
Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Efeito Joule.
Efeito Tcherenkov.
Efeito Fischer.
  Efeito Hall.
Lei de Ohm.
  2a Questão (Ref.: 201301655347)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
O  século  XX  foi marcado  por  inúmeros  avanços  tecnológicos,  entre  os  quais  os  advento  dos  semicondutores
extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses
semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício.
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
  a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos".
a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
 Gabarito Comentado
  3a Questão (Ref.: 201301569253)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do
Silício,  originando  portadores  de  carga  na  forma  de  buracos,  presentes  nos  condutores  tipo­p,  ou  elétrons,  presentes  nos
condutores tipo­n.
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
  A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo­p.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo­n.
  4a Questão (Ref.: 201301495521)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Qual é a principal caracterís�ca dos materiais semicondutores?
São somente supercondutores.
São somente isolantes
  São condutores e isolantes.
São somente condutores
Não são condutores e isolantes.
 
  5a Questão (Ref.: 201301569252)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Semicondutores  extrínsecos  são  obtidos  através  da  inserção  de  elementos  ¿impureza¿  na  rede  cristalina  do  Silício,  originando
portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo­p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo­n.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
  A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo­n.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo­p.
 Gabarito Comentado
  6a Questão (Ref.: 201301569223)  Fórum de Dúvidas (0)       Saiba   (0)
Alguns componentes eletrônicos fazem uso de semicondutores extrínsecos e intrínsecos conjuntamente, sendo necessário que na
temperatura de trabalho, o semicondutor intrínseco possua condutividade inferior a condutividade do extrínseco. No gráfico a seguir,
no qual  no eixo horizontal  tem­se  temperatura  (oC e K) e no eixo  vertical  tem­se a  condutividade elétrica  (ohm.m)  ­1,  podem­se
observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor  intrínseco de Silício, denominado no gráfico de  intrinsic,  e de
dois  semicondutores  extrínsecos  com  concentrações  de Boro  de  0,0052%  e  0,0013%.  Baseado  nestas  informações, marque  a
opção correta. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997,
Chapter 19).
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
 
 
Em nenhuma temperatura exposta no gráfico, haverá problemas de inversão de condutividade elétrica.
  A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco
provavelmente funcionará sem problemas referentes a condutividade.
A partir das informações expostas no gráfico, percebe­se que em todas as temperaturas a
condutividade elétrica do semicondutor intrínseco é superior a dos semicondutores extrínsecos.
A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco
provavelmente apresentará problemas referentes a condutividade.
A temperatura de 100oC, o componente eletrônico terá que ser montado utilizando­se somente os
condutores extrínsecos mostrados no gráfico.