prova materiasi eletricos 2016.1

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Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,5 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2. (Ref.: 201504787008)	
1 ponto
3,33 ohms
4,44 ohms
2,22 ohms
1,11 ohms certoooooooooooooo
0,99 ohms
2.
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio. (Ref.: 201504787013)	
1 ponto
4,09 cm2
2,09 cm2
3,09 cm2
0,09 cm2 certoooooooooooooooo
1,09 cm2
3.
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado. (Ref.: 201504787011)	
1 ponto	
1,22x 10-6 Ω.cm
1,88x 10-6 Ω.cm
1,11 x 10-6 Ω.cm
1,44 x 10-6 Ω.cm certoooooooooo
0,99 x 10-6 Ω.cm
4.
Um pedaço de fio de alumínio tem resistência de 2 W. Se pedaço de fio de cobre tem a mesmas dimensões do fio de alumínio, qual será sua resistência?
r alunínio = 2,825 x 10 -6 W.cm à 20 ºC
r cobre = 1,723 x 10 -6 W.cm à 20 ºC
 (Ref.: 201504788472)	
1 ponto
	c) R = 0,328 Ω
	e) R = 2,83 Ω
	a) R = 3,28 Ω
	d) R = 0,122 Ω
	b) R = 1,22 Ω certoooooooooooo
5.
Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vibração se transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia quantizada denominada de fônon. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). Com relação ao exposto, podemos afirmar que: (Ref.: 201504928633)	
1 ponto
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e isolante uando submetidos a mesma diferença de potencial.
Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero.
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. certoooooooooooo
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material isolante sob campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito.
6.
Em 1949, William O. Shockley, pesquisador da "Bell Telephone Laboratories", publicou no "Bell System Technnical Journal" um artigo estabelecendo a teoria referente ao comportamento de transistores, uma aplicação direta dos semicndutores. Estava claro que o aparecimento destes novos materiais havia desencadeado um imediato avanço na modelagem físico-matemática associada ao assunto, nos oferecendo expressões como a condutividade intrínseca, dada por s = p | e | mb + n | e | me..
Com relação a expressão anterior, só NÃO PODEMOS afirmar que:
 (Ref.: 201505414186)	
1 ponto
Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos buracos.
Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga positiva.
Condutividade intrínseca depende do campo elétrico criado pelos elétrons.
Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga negativa.
Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos elétrons.
7.
Que átomos de impureza são utilizados na dopagem do silício para formar um semicondutor tipo p? (Ref.: 201505339391)	
1 ponto
Átomos com 3 elétrons na camada de valência.
Átomos com 5 elétrons na camada de valência.
Átomos com 7 elétrons na camada de valência.
Átomos com 6 elétrons na camada de valência.
Átomos com 4 elétrons na camada de valência.
8.
O Germânio foi um dos elementos testados no início da microeletrônica para ser utilizado como semicondutor; porém, o mesmo possui algumas características diferentes com relação ao Silício; por exemplo, é muito comum em projetos de microcircuitos, utilizar como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m) -1.
Considerando-se o exposto anteriormente e sabendo-se que a condutividade elétrica do semicondutor de Germânio em função da temperatura é dada por ln s = 14 - 4.000. T-1 aproximadamente, onde T é a temperatura de trabalho em Kelvin, marque a opção correta abaixo:
 (Ref.: 201504847698)	
1 ponto
	O componente só poderá trabalhar a temperatura ambiente de 25oC, que corresponde a 298K na escala Kelvin.
	O componente poderá trabalhar a temperatura de 150oC, que corresponde a temperatura de 423K na escala Kelvin.
	O componente poderá trabalhar até a temperatura de 200oC, que corresponde a 473K.
	O componente possui temperatura limite de trabalho igual a 170oC, que corresponde a 443K na escala Kelvin.
	O componente não apresentará limitações quanto a temperatura de trabalho.
9.
Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio. (Ref.: 201504700944)	
1 ponto
5 m
12 m
13,5 m
15 m
10 m
10.
O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada?
 (Ref.: 201504773995)	
1 ponto
Quadrática
Trigonométrica
Linear
Exponencial
	
Logarítmica