AV1 MATERIAIS ELÉTRICOS

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1a Questão (Ref.: 201301507289) Pontos: 1,0  / 1,0
Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de
1,2 mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
34 Ω
120 Ω
3,4 Ω
  0,12 Ω
12,0 Ω
  2a Questão (Ref.: 201301569167) Pontos: 1,0  / 1,0
Entre  as  diversas  propriedades  físicas  associadas  ao  comportamento  elétrico  de  um material,  existe  a  resistividade,  que  é  uma
propriedade  física  intensiva,  ou  seja,  não  depende  da  geometria  e  nem  da  quantidade  de  massa  apresentada  pelo  material.
Matematicamente, a resistividade, , está relacionada a resistência R do material através da relação = R.A/l, onde A é a área da
seção reta e l é o comprimento do material condutor, como ilustrado na figura a seguir.
 
 
 
 
 Considerando­se que houve necessidade de estirar (esticar) o condutor, o que triplicou o seu comprimento e reduziu a sua área a
um quarto da original, assinale entre as respostas a seguir aquela que melhor representa a nova resistência do condutor em função
da resistência anterior R.
0,67R.
8R.
  12R.
0,75R.
2,5R.
  3a Questão (Ref.: 201301509149) Pontos: 1,0  / 1,0
Considere as seguintes afirmações:
I.       Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20ºC
II.       Os materiais considerados isolantes têm um valor de condutividade grande.
III.       A condutividade é o inverso da resistividade.
IV.       A unidade da resistividade no SI é o Ω/m.
V.       Resistividade é a resistência específica de um material.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
As afirmações I, IV e V.
  As afirmações III e V.
As afirmações III e IV.
As afirmações I, II e IV.
Somente a afirmação III.
  4a Questão (Ref.: 201301508541) Pontos: 1,0  / 1,0
Deseja‐se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será uĕlizado um condutor de seção reta igual a
0,38 mm2 e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da resisĕvidade do material a ser uĕlizado.
  3,65 x 10‐6 Ω.cm
4,12 x 10‐6 Ω.cm
5,21 x 10‐6 Ω.cm
6,13 x 10‐6 Ω.cm
7,12 x 10‐6 Ω.cm
  5a Questão (Ref.: 201301569210) Pontos: 1,0  / 1,0
Do ponto de vista tecnológico,  a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para
a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o
Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell
Laboratories,  William  G.  Pfann,  engenheiro  metalúrgico,  desenvolveu  um método  adequado  para  a  requerida  purificação  destes
materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou
portadores de carga positivas.
  A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo­n ou extrínseco do
tipo­p.
  6a Questão (Ref.: 201301569615) Pontos: 1,0  / 1,0
Polarização, como mostra a figura a seguir, é o alinhamento de momentos dipolares atômicos ou moleculares,
permanentes ou induzidos, com um campo elétrico aplicado externamente. Das opções abaixo, indique aquela
que não representa um tipo de polarização:
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ­ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Eletrônica + iônica
  Magnética.
De orientação.
Iônica.
Eletrônica.
  7a Questão (Ref.: 201301569215) Pontos: 1,0  / 1,0
A quantidade de buracos e elétrons em um semicondutor é uma função da temperatura a que este é submetido. Baseado no gráfico
a  seguir,  no  qual  no  eixo  horizontal  tem­se  temperatura  (oC  e  K)  e  no  eixo  vertical  tem­se  a  condutividade  elétrica  (ohm.m)  ­1,
podem­se  observar  curvas  de  evolução  da  condutividade  de  um  semicondutor  intrínseco  de  Silício,  denominado  no  gráfico
deintrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013% (CALLISTER, WILLIAM D.
Jr.Materials Science and Engineering ­ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
 
 
 
 
 
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
A 400oC aproximadamente, as condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos se igualam.
A uma dada temperatura, quanto menor a concentração de Boro, maior será a condutividade do
semicondutor.
As condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos e intrínsecos nunca se igualam.
  A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco aumenta acentuadamente com o aumento da temperatura.
 
A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco diminui acentuadamente com o aumento da
temperatura.
  8a Questão (Ref.: 201301569229) Pontos: 1,0  / 1,0
O Germânio  foi  um dos elementos  testados no  início da microeletrônica para ser utilizado como semicondutor;  porém, o mesmo
possui algumas características diferentes com relação ao Silício; por exemplo, é muito comum em projetos de microcircuitos, utilizar
como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m) ­1.
Considerando­se o exposto anteriormente e sabendo­se que a condutividade elétrica do semicondutor de Germânio em função da
temperatura é dada por  ln  = 14 ­ 4.000. T­1 aproximadamente, onde T é a  temperatura de  trabalho em Kelvin, marque a opção
correta abaixo:
O componente possui temperatura limite de trabalho igual a 170oC, que corresponde a 443K na escala
Kelvin.
O componente não apresentará limitações quanto a temperatura de trabalho.
  O componente poderá trabalhar a temperatura de 150oC, que corresponde a temperatura de 423K na
escala Kelvin.
O componente poderá trabalhar até a temperatura de 200oC, que corresponde a 473K.
O componente só poderá trabalhar a temperatura ambiente de 25oC, que corresponde a 298K na escala
Kelvin.
  9a Questão (Ref.: 201301507290) Pontos: 1,0  / 1,0
Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é
percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor.
Considere a conduĕvidade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
1,2 V
120 mV
  64 mV
6,4 V
640 mV
  10a Questão (Ref.: 201301508553) Pontos: 1,0  / 1,0
Deseja‐se construir um capacitor de 18 nF uĕlizando‐se duas placas paralelas com 240 cm2 de área cada
uma e espaçadas de 0,02 mm. Determine o valor da constante dielétrica do material a ser uĕlizado.
  1,7
1,5
1,3
1,9
2,1