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Eletrônica de PotênciaEletrônica de Potência 1.3 Dispositivos Semicondutores de Potência1.3 Dispositivos Semicondutores de Potência �Diodos de Potência; �O SCR (primeiro tiristor); �Transistores de junção bipolar (BJTs);�Transistores de junção bipolar (BJTs); �MOSFETs de potência; �Transistores Bipolares de porta isolada (IGBTs); �Transistores de indução estática (SITs); TIPOS DE DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA � (6) Curva Característica de um Diodo Diversos Tipos de Diodo de Potência Diversos Tipos de Diodo de Potência Classificação dos Diodos de PotênciaClassificação dos Diodos de Potência �Genéricos, de uso geral, são fornecidos em até 3000 V, 3500 A e tempo de recuperação reversa trr de 10 µs; �Alta velocidade ou recuperação rápida, são �Alta velocidade ou recuperação rápida, são fornecidos em até 3000 V, 1000 A e valores típicos de trr de 0,1 e 5,0 µs; �Diodos Schottky (very fast) trr da ordem de nano-segundos ; EQUAÇÃO DO DIODO SCHOCKLEY EQUAÇÃO DO DIODO SCHOCKLEY EQUAÇÃO DO DIODO SCHOCKLEY Calcular a corrente correspondente do diodo ID considerando uma pequena tensão no diodo VD = 0,1 V, n = 1 e VT = 25,8 mV. Exemplo EQUAÇÃO DO DIODO SCHOCKLEY Calcular a corrente correspondente do diodo ID considerando uma pequena tensão no diodo VD = 0,1 V, n = 1 e VT = 25,8 mV. Exemplo � Exemplo EQUAÇÃO DO DIODO SCHOCKLEY Calcular a corrente de saturação IS considerando uma queda de tensão direta no diodo de potência VD = 1,2 V, n = 2, VT = 25,8 mV e ID = 300 A. Exemplo EQUAÇÃO DO DIODO SCHOCKLEY Calcular a corrente de saturação IS considerando uma queda de tensão direta no diodo de potência VD = 1,2 V, n = 2, VT = 25,8 mV e ID = 300 A. � Caso especial para quando tb for desprezível com relação a ta. � trr = tempo de recuperação reversa do diodo ( do inglês reverse recovery time) trr = ta + tb ta = ao tempo de armazenamento de cargas na região de depleção da junção tb = ao tempo de armazenamento de cargas no material semicondutor A relação tb/ta é conhecida como fator de suavidade ( do inglês softness factor - SF) Obs: O tipo de recuperação suave ( do inglês soft-recovery) é mais comum nos diodos. IF = corrente direta do diodo QRR = carga armazenada no diodo que depende da corrente direta. Exemplo O tempo de recuperação reversa de um diodo é trr = 3 µs e a taxa de decaimento da corrente do diodo é di/dt = 30 A/µs. Determinar: a) A carga armazenada QRR; b) A corrente reversa de pico IRR. Exemplo O tempo de recuperação reversa de um diodo é trr = 3 µs e a taxa de decaimento da corrente do diodo é di/dt = 30 A/µs. Determinar: a) A carga armazenada QRR; b) A corrente reversa de pico IRR. Modo 1: chave CH1 fechada no instante t0. Modo 2: chave CH1 aberta, depois de ser fechada. Formas de onda típicas de comutação de um diodo de potência. Formas de onda típicas de comutação de um diodo de potência.
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