AV2 materiais elétricos

Esta é uma pré-visualização de arquivo. Entre para ver o arquivo original

Fechar 
 
Avaliação: CCE0252_AV2_201408486547 » MATERIAIS ELÉTRICOS 
Tipo de Avaliação: AV2 
Aluno: 
Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9007/FY 
Nota da Prova: 8,0 de 10,0 Nota do Trab.: 0 Nota de Partic.: 0 Data: 31/05/2016 19:29:14 
 
 
 1a Questão (Ref.: 201408635794) Pontos: 1,0 / 1,0 
A resistividade do ouro é 2,45 x 10-8 m à 20 ºC, a resistividade da prata é 1,64 x 10-8 m à 20 ºC. Temos duas peças 
com mesma área de seção reta, sendo uma de ouro com comprimento igual a 8 cm e outra de prata com comprimento 
igual a 10 cm. Qual delas apresenta maior resistência entre suas extremidades? Justifique. 
 
 
 
Resposta: Ouro rho=2,45x10^-8 ohm/m L=8x10^-2m Prata rho=1,64x10^-8 ohm/m L=10x10^-2m Como 
R=rho x L => para Ouro temos R=2,45*10^-8 x 8*10^-2 => R=1,96*10^-9ohm = 1,96pohm Para Prata 
temos R=1,64*10^-8 x 10*10^-2 => 1,64*10^-9ohm = 1,64pohm R:Sendo assim de acordo com os valores 
calculados acima a peça que apresenta maior resistência é a de ouro com 1,96pohm devido seu tamanho ser 
menor que a peça de prata. 
 
 
Gabarito: 
 
 
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta aceita. 
 
 
 
 2a Questão (Ref.: 201408602154) Pontos: 1,0 / 1,0 
A resistência elétrica de um condutor é diretamente proporcional ao produto da resistividade específica pelo seu 
comprimento, e inversamente proporcional à sua área de seção transversal. Considerando-se a resistividade do alumínio 
igual a 0,0278 mm2, calcule a seção de um fio de alumínio com resistência de 2 Ω e comprimento de 100 m. 
 
 
 
Resposta: Como R=rhoxL/A e A=rhoxL/R temos rho=0,0278mm2 L=100m A=0,0278x100/2 = 1,39mm2 R: A 
seção do fio de aluminio é de 1,39mm2. 
 
 
Gabarito: 1,39 mm2 
 
 
Fundamentação do(a) Professor(a): Resposta aceita. 
 
 
 
 3a Questão (Ref.: 201408695428) Pontos: 1,0 / 1,0 
O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício 
são montados microcircuitos com uma infinidade de componentes, observáveis as vezes 
somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que melhor 
representa somente conceitos corretos. 
 
 
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a 
presença de qualquer impureza no sistema. 
 
 Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas 
de menor valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por 
exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4). 
 
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem. 
 
 
Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz 
cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4). 
 Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os 
semicondutores extrínsecos são aqueles que apresentam impurezas. 
 
 
 
 
 4a Questão (Ref.: 201408695491) Pontos: 1,0 / 1,0 
A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de 
elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma 
de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. 
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John 
Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. 
 
 
 
 
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
 
 
 
 5a Questão (Ref.: 201408695526) Pontos: 0,0 / 1,0 
Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta 
capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como 
mostrado na figura a seguir. Considerando-se que a capacitância, C, de um capacitor é a 
razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, 
ou seja, C=Q/V, assinale a opçãocorreta que fornece a capacitância do capacitor mostrado 
na figura. 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John 
Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
 
 
 
 C=(Q0 + Q´) / V 
 
C=Q0 / V 
 
Q0 = C. V 
 
0. 
 C=Q´/V. 
 
 
 
 6a Questão (Ref.: 201408636665) Pontos: 1,0 / 1,0 
Para satisfazer a Taxa de Transmissão e Ocupação dos Pares, os projetos de Engenharia em Cabos Telefônicos 
internos e externos devem considerar os parâmetros elétricos e as condições físicas da rede. Das alternativas 
abaixo, assinale a única verdadeira. 
 
 
 
Os parâmetros elétricos podem ser Pupinização, Paralelos e Conexões 
 
As condições físicas podem ser Perda de Retorno, outros Sinais e Crosstalk Next/Fext 
 Os parâmetros elétricos podem ser Resistência elétrica, Atenuação, Perda de Retorno, outros Sinais e 
Crosstalk Next/Fext 
 
Os parâmetros elétricos podem ser Pupinização, Paralelos, Resistência elétrica, Atenuação, Perda de 
Retorno 
 
As condições físicas podem ser Resistência elétrica e Atenuação. 
 
 
 
 7a Questão (Ref.: 201408695546) Pontos: 1,0 / 1,0 
Nas figuras a seguir, têm-se representado um capacitor com vácuo entre as placas, um 
meio dielétrico e o capacitor com o meio dielétrico inserido. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. 
Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, 
Chapter 19). 
Entre as opções a seguir, determine a opção correta que se aplica a ilustração anterior: 
 
 
 
 
 
O material inserido, denominado dielétrico, é condutor, permitindo a condução de mais cargas para o 
capacitor. 
 
Na situação descrita, não é possível manter a tensão aplicada no capacitor. 
 
Com a inserção do dielétrico e manutenção da diferença de potencial, tem-se que a carga armazenada no 
capacitor não se altera. 
 
Com a inserção do dielétrico e manutenção da diferença de potencial, tem-se a diminuição da carga 
armazenada no capacitor. 
 Com a inserção do dielétrico e manutenção da diferença de potencial, tem-se o aumento da carga 
armazenada no capacitor. 
 
 
 
 8a Questão (Ref.: 201408695814) Pontos: 0,0 / 1,0 
O titanato de bário, mostrado na figura a seguir, é um material que apresenta polarização 
espontânea a nível microestrutural, ou seja, mesmo na ausência de campos elétricos 
externos, este material apresenta dipolos elétricos. 
 
 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John 
Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
Com relação a este tipo material, podemos afirmar: 
 
 
 
 
 
São denominados de diamagnéticos. 
 
São denominados de ferrimagnéticos. 
 São denominados de ferroelétricos. 
 São denominados de magnéticos. 
 
São denominados de ferromagnéticos. 
 
 
 
 9a Questão (Ref.: 201408695837) Pontos: 1,0 / 1,0 
A popularização dos aparelhos de televisão tornou premente a intensificação dos meios de 
transmissão com freqüências moduladas em GHz, que deveriam então se estender por 
quilômetros. Para tanto, projetou-se o cabo coaxial mostrado na figura a seguir. 
Com relação a estrutura do mesmo, somente uma opção não está correta, assinale-a: 
 
 
 
 
 
O elemento (4) é um material plástico externo, que tem a função de proteger
o cabo coaxial. 
 O elemento (5) , interface entre os elementos (3) e (4) é uma cola condutora. 
 
O elemento (1) é composto por um condutor de cobre comercial. É onde o sinal elétrico contendo a 
informação é transmitido. 
 
O elemento (3) é um condutor externo. 
 
O elemento (2) é um material isolante externo. 
 
 
 
 10a Questão (Ref.: 201408634801) Pontos: 1,0 / 1,0 
Deseja-se construir um capacitor de 220 pF utilizando-se duas placas paralelas com área de 230 cm2 cada 
uma. O valor da constante dielétrica do material utilizado é 2,6. Determine o afastamento entre as placas 
para atender-se a esta especificação. 
 
 
 
0,4 mm 
 
1,4 mm 
 
3,4 mm 
 2,4 mm 
 
4,4mm