Acionamentos Elétricos Cap IV (P1)

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4.1. TIPOS DE CONVERSÕES 
 
 Os conversores estáticos são dispositivos e equipamentos empregados para 
controlar o fluxo da energia elétrica entre dois ou mais sistemas elétricos. 
 A figura 4.1. mostra os quatro tipos básicos de conversão de energia elétrica. 
Os círculos indicam o tipo de energia elétrica enquanto que as setas mostram o 
sentido do fluxo de energia e o nome do equipamento responsável pela conversão. 
 
 
Figura 4.1 
 
 
4.2. DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA 
 
 Os dispositivos semicondutores de potência geralmente usados nos 
conversores podem ser agrupados nos seguintes: 
• Diodos de potência: Genéricos 
Alta velocidade ou de recuperação rápida 
Schottky 
 
• Tiristores: SCR (Silicon-Controled Rectifier) 
GTO (Gate Turn-Off) 
SITH (Static Induction Thyrstor) 
MCT (MOS Controled Thyristor) 
RCT (Reverse Conduction Thyristor) 
LASCR (Light Atived Silicon Controled Rectifier) 
TRIAC – Tiristor Triodo Bidirecional 
 
• Transistores de Potência: BJT (Bipolar Junction Transistor) 
Darlington 
MOSFET (Metal Oxide Semicondutor gated 
Field-Efect Transistor) 
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 
SIT (Static Induction Transistor) 
 
 Estes dispositivos são operados por chaveamento de forma que as perdas 
são reduzidas e a eficiência da conversão é melhorada. 
 
 A desvantagem provocada por este modo de operação por chaveamento é a 
geração de hormônicas em corrente e tensão e a interferência de rádio-freqüência 
(RFI). 
 
 Para as finalidades de aplicação desses dispositivos nos acionamento 
controlados, discutiremos apenas suas características elétricas externas. Não 
abordaremos os aspectos físicos de operação desses dispositivos e nem seus 
métodos e tecnologias de fabricação. 
 
 
4.2.1. O Tiristor SCR 
 
O tiristor convencional, também conhecido por retificador controlado de silício 
- SCR, desenvolvido no final da década de 50, tem sido amplamente usado na 
indústria para conversão e controle de potência. O SCR tem uma estrutura 
constituída por quatro camadas p-n-p-n com três terminais, anodo (A), catodo (C) e 
gate ou gatilho (G) conforme mostrado na figura 4.2. 
 
O tiristor opera em dois estados estáveis: ligado (ON) ou desligado (OFF). 
 
 
Figura 4.2 
 
4.2.1.1. Características Estáticas ou Características Volt-Ampere do SCR 
 
A figura 4.3 mostra a característica tensão-corrente de um SCR. Quando não 
existe corrente no gatilho (IG = 0), se uma tensão direta é aplicada no tiristor SCR 
(anodo positivo em relação ao catodo) as junções J1 e J3 são polarizadas 
diretamente e a junção J2 permanece polarizada inversamente. Assim a corrente de 
anodo é desprezível e chamada de corrente de fuga. Se a tensão direta anodo-
catodo for aumentando e alcançar um limite crítico, chamada “tensão de ruptura 
direta” VDRM, o dispositivo é chaveado para a região de alta condução, sendo a 
corrente limitada pela resistência do circuito no qual o SCR se encontra. Porém, se a 
corrente no gatilho aumenta, a tensão de ruptura direta é reduzida. Para uma 
corrente de gatilho suficientemente alta, tal como IG3, a região de bloqueio direto é 
totalmente removida e o dispositivo comporta-se como um diodo. 
 
 Quando o SCR está conduzindo, a corrente de gatilho pode ser removida que 
ele permanece no estado ligado ou em condução. Se a corrente do anodo caia baixo 
de um limite crítico, chamado de “corrente de manutenção” IH, o tiristor retorna ao 
seu estado de bloqueio direto. A corrente de manutenção é a mínima corrente de 
anodo para manter o tiristor em no estado de condução. 
 
 Se uma tensão reversa é aplicada no SCR (anodo negativo em relação ao 
catodo) as junções J1 e J3 são polarizadas inversamente e a junção central J2 é 
polarizada diretamente. Assim, somente uma pequena corrente de fuga flui do 
anodo em direção ao catodo. Se a tensão reversa é aumentada para um nível crítico 
de ruptura, conhecido como “tensão reversa de ruptura” VRRM, uma avalanche 
ocorrerá nas junções J1 e J3 e a corrente aumentará a nível perigoso que queimará o 
dispositivo. 
 
 
Figura 4.3: Característica Volt-Ampère do SCR 
 
4.2.1.2. Características Dinâmicas ou de Chaveamento 
 
Se um tiristor SCR é polarizado diretamente e um pulso no gatilho lhe é 
aplicado, ele é ligado. Entretanto, uma vez iniciada a condução uma corrente 
apreciável flui de anodo para catodo e o gatilho não tem mais nenhum controle 
sobre o dispositivo. A corrente de anodo é limitada pela resistência da carga Rcarga, 
conforme mostrado na figura 4.4b. Para que o tiristor seja desligado ou bloqueado é 
necessário que a corrente de anodo seja reduzida a zero. 
 
As características dinâmicas de um tiristor SCR são ilustradas na figura 4.4. 
 
 
Figura 4.4a Característica Dinâmica do SCR 
 
 
 
Figura 4.4b Circuitos de disparo e bloqueio do SCR 
a) Processo de ligação: 
O tiristor SCR é ligado por um pulso de corrente no gatilho IG, conforme 
ilustrado pela figura 4.4a. No instante T1, quando é aplicado o pulso no 
gatilho, a corrente de anodo para catodo IA cresce e a tensão no tiristor (VAC = 
VT) cai. Quando o dispositivo está totalmente ligado, isto é, em plena 
condução, a tensão sobre ele é bastante pequena, tipicamente de 0,5V a 
2,5V, e para os propósitos práticos o tiristor comporta-se como um curto-
circuito. 
O tiristor é ligado muito rapidamente, ou seja, o tempo de ligação ton é 
tipicamente de Iµs a 3µs. A largura do pulso de gatilho é tipicamente de 10µs 
a 50us e a sua amplitude é de 20mA a 200mA. 
 
b) Processo de desligamento: 
Para que o tiristor SCR comute do estado de condução (ligado) para o 
estado de bloqueio (desligado) é necessário que sua corrente de anodo seja 
reduzida para um valor abaixo da corrente de manutenção e que ele seja 
polarizado inversamente, ou seja, potencial do catodo mais positivo que o do 
anodo (VAC é negativo). A figura 4.4 refere-se a um processo de comutação 
ou desligamento do tiristor chamada de comutação forçada, cujo conceito 
será descrito em seguida. 
 
O desligamento do tiristor SCR tem início no instante t2, quando a sua 
corrente de anodo começa a cair e ele é polarizado inversamente. A maioria 
dos circuitos de comutação utiliza um capacitor carregado que é 
momentaneamente ligado nos terminais do tiristor polarizando-o 
inversamente, conforme ilustrado na figura 4.4b. Se o dispositivo é polarizado 
inversamente, sua corrente cai, torna-se zero no instante t3, inverte seu 
sentido e torna-se zero no instante t4. No instante t5, o dispositivo é capaz de 
bloquear uma tensão direta que casualmente lhe seja aplicado. 
 
Entretanto, se uma tensão direta lhe for aplicada imediatamente após a 
corrente de anodo ser reduzida a zero, o tiristor SCR não bloqueará a tensão 
direta e iniciará a condução novamente apesar de não haver um pulso no 
gatilho. Por isso, é necessário manter o dispositivo polarizado inversamente 
por um certo tempo antes que uma nova tensão direta lhe seja aplicada. Este 
tempo que corresponde ao intervalo de tempo de t3 a t5 é conhecido como 
tempo de desligamento toff do tiristor. O tempo toff é definido como o mínimo 
intervalo de tempo entre o instante em que a corrente de anodo torna-se zero 
e o instante em que o tiristor é capaz de bloquear a tensão direta. 
 
Quanto ao processo de comutação dos tiristores SCR, ele pode ocorrer 
naturalmente ou se dar de forma forçada. A comutação natural ocorre nos 
circuitos onde a tensão é alternada e dessa forma, a corrente do tiristor passa 
naturalmente por zero e uma tensão reversa é aplicada naturalmente nos 
seus terminais fazendo com que ele seja automaticamente desligado. Este 
tipo de comutação também é conhecido como comutação pela rede ou pela 
linha e será analisada no estudado dos retificadores ou conversores CA-CC. 
 
A comutação forçada ocorre nos circuitosonde a tensão é contínua. 
Dessa forma, é necessária a presença de circuitos adicionais, chamados de 
circuitos de comutação, que forçam a passagem de uma corrente inversa 
através do SCR por um curto tempo reduzindo a corrente resultante de anodo 
a zero e que mantém o SCR polarizado inversamente até que a passagem 
para o estado desligado seja completada. Este tipo de comutação será 
analisado no estudado dos inversores ou conversores CC-CA. 
 
Nas aplicações práticas, o tempo de desligamento tq a ser fornecido ao 
SCR pelo circuito, deve ser maior que o tempo de desligamento do dispositivo 
SCR por uma margem de segurança adequada, garantindo que o mesmo não 
venha a conduzir num instante indesejado conhecido como “falha de 
comutação”. Os tiristores que tem grande tempo de desligamento toff (50us a 
100us) são chamados de tiristores “lentos”, “baixo chaveamento” ou tipo 
“controle de fase”, e aqueles com pequeno tempo de desligamento toff (10us a 
50us) são chamados de tiristores “rápidos”, “chaveamento rápido” ou do “tipo 
inversor”. Em aplicações de alta freqüência, o tempo de desligamento do 
circuito tq torna uma parte apreciável do tempo total do ciclo e por isso os 
tiristores rápidos devem ser usados. 
 
Note que durante a ligação do tiristor (ton), se a tensão é alta, a corrente 
é baixa e vice-versa. Por isso a perda é baixa. Durante o desligamento, se a 
corrente reversa é baixa a perda é baixa. A baixa perda no chaveamento em 
um tiristor é uma vantagem significativa, particularmente para aplicações em 
altas freqüências. 
 
A tabela 4.1 resume os dados para dois tipos de tiristores. Tiristores 
com valores nominais de 4000V – 2000A – 20µs a 100µs ou 3000V – 2000A – 
10µs a 20µs são atualmente usados na indústria. 
 
 
4.2.1.3. Proteção do SCR 
 
a) Sobrecorrentes: 
A proteção do tiristor contra curto-circuito deve ser feita com fusíveis ultra-
rápidos (figura 4.5) cuja capacidade térmica deve I2t deve ser menor que a do 
tiristor. A proteção contra sobrecargas, ou sobrecorrentes na faixa de tempo 
maior que uma meia-onda é feita através de fusíveis, reguladores de corrente, 
chave com rele bimetálico ou disparador magnético de sobrecorrente e 
disjuntor extra-rápido. 
 
b) Sobretensões: 
Um tiristor pode entrar em condução se a tensão direta que lhe for aplicada 
crescer muito rapidamente. Ela é conhecida como dv/dt de ligação e pode levar 
o circuito a uma operação indevida. Um circuito R.C. ligado em paralelo com o 
tiristor (figura 4.5) é usado para limitar a taxa de crescimento dv/dt da tensão 
aplicada sobre o tiristor. 
A proteção dos tiristor surtos de tensões é feita ligando-se em paralelo com 
ele supressores de surto. Um exemplo é o varistor de óxido metálico, cuja 
resistência varia inversamente com a tensão. Quando a tensão é normal sua 
resistência é muito elevada, e quando a tensão aumenta demasiadamente, ele 
funciona como um curto circuito protegendo o tiristor (figura 4.5). 
 
c) Crescimento da Corrente: 
Se a corrente no tiristor aumenta numa taxa muito rápida, isto é, di/dt 
elevado, o dispositivo pode ser destruído devido a alta elevação da temperatura 
nas junções. Para limitar a taxa de crescimento da corrente a um valor menor 
que o especificado pelo fabricante do tiristor, alguma indutância deve estar 
presente no circuito. Caso a indutância do transformador ou dos cabos elétricos 
de alimentação não for suficiente, será necessária a instalação de reatores ou 
indutores de comutação na saída da rede ou em série com cada tiristor. (figura 
4.5) 
 
 
 
 TIRISTORES 
LENTOS GE Série 
C150 
TIRISTORES 
RÁPIDOS GE Série 
C158 
Tensões de pico repetitivas direta e 
reversa (2 a 2,5Vmáx) 
500 (C150E) 
800 (C150N) 
1000 (C1 50P) 
500 (C150E) 
800 (C150N) 
1000 (C150P) 
Corrente de fuga reversa e direta 10 – 20 mA 10 – 15A 
Corrente de manutenção 20 mA 100 mA 
Corrente eficaz 100 A 110 A 
Queda de tensão direta 1,2 – 2 V 1,2 – 2 V 
Pico de surto num ciclo (60 Hz) 1500 A 1600A 
I2t capacidade térmica de fusão 7000 A2S 5200 A2S 
dv/dt 200 – 500 V / us 200 – 500 V / us 
di/dt 500 A / µs 500 A /µs 
Tensão de disparo no gatilho 1,5 – 3 V 3 – 5 V 
Corrente de disparo no gatilho 50 – 200 mA 80 – 300 mA 
Tempo de ligação ton (1 – 5 us) 3 µs 2 µs 
Tempo de desligamento toff (10us-
200us) 
100 µs 20 µs 
 
Tabela 4.1: Valores típicos de SCR 
 
Figura 4.5: Proteção SCR 
 
4.2.2. Tiristor GTO (Gate-Turn-Off) 
 
O tiristor GTO pode ser ligado (entrar em condução) quando um pulso positivo 
de corrente é aplicado no gatilho, como no caso do tiristor SCR, e pode ser 
desligado (entrar em bloqueio) quando um pulso negativo de corrente é aplicado no 
gatilho. Ambos os estados de operação, condução e bloqueio, são controlados pela 
corrente de gatilho. O símbolo do tiristor GTO é mostrado na figura 4.6. As 
características de chaveamento são mostradas na figura 4.7. 
 
 
 
Figura 4.6: Símbolo do GTO 
 
 
4.2.2.1. Características Dinâmicas ou de Chaveamento 
 
a) Processo de ligação: 
O processo de ligação do GTO é o mesmo que no tiristor SCR. 
 
b) Processo de desligamento: 
O processo de desligamento do GTO (bloqueio) difere um pouco do SCR. 
Quando uma tensão negativa é aplicada entre o gatilho e o catodo, a corrente de 
gatilho aumenta. Quando ela atinge seu valor máximo (IGP), a corrente de anodo 
começa a cair e a tensão através do dispositivo (VAC) começa a crescer. O tempo de 
decaimento da corrente é abrupto, tipicamente menor que 1µs. Depois disto a 
corrente de anodo varia lentamente, conhecida como “causa da corrente” de anodo. 
 
 
 
Figura 4.7: Característica dinâmica do GTO 
 
 
 A relação IA/IGP (corrente de anodo durante a condução para a corrente de 
pico negativa do gatilho) está entre 3 e 5, tipicamente. Isto significa que a corrente 
de gatilho necessária para iniciar o bloqueio do GTO é relativamente alta (34% a 
20% da corrente de anodo). Por exemplo, um GTO de 2500 V e 1000 A requer uma 
corrente negativa de pico de 250 A no gatilho para bloqueia-lo. 
 
 Durante o bloqueio do GTO tanto a tensão como a corrente são altas. Por 
isso, as perdas no chaveamento são maiores no tiristor GTO quando comparadas 
com o SCR. As perdas dinâmicas nos GTO´s durante as transições de chaveamento 
limitam sua freqüência de operação abaixo de 1 kHz. Se a tensão de pico VP é alta o 
dispositivo pode ser destruído. A perda de potência no circuito de disparo também é 
maior que no SCR. Entretanto, desde que não é necessário um circuito de 
comutação para os GTO´s, a eficiência geral do conversor é melhor. A eliminação de 
circuitos de comutação também resulta em um conversor menor e menos caro. 
 
 
4.2.2.2. Proteção dos GTO´s 
 
Os GTO´s podem não ter capacidade para bloquear tensão reversa, senão 
menor que 20% da tensão de ruptura direta. Novos dispositivos estão sendo 
desenvolvidos tendo maior capacidade de bloqueio de tensão reversa. Por isso, um 
diodo reverso deve ser usado, conforme mostrado na figura 4.8, se existe a 
possibilidade uma tensão reversa apreciável surgir sobre o dispositivo. Os GTO´s 
tem grandes tempos de transições no chaveamento. Eles geralmente são sensíveis 
as rápidas variações da corrente de carga na ligação e as rápidas mudanças da 
tensão no desligamento. Isto torna obrigatório o uso de circuitos de proteção para 
limitar os valores de di/dt e dv/dt. Um circuito de amortecimento constituído por 
diodo, capacitor e resistor (figura 4.8) é usado para os seguintes propósitos: 
a) Durante o tempo de queda no processo de desligamento (bloqueio) a corrente é 
desviada para o capacitor, carregando-o. 
b) O circuito amortecedor e o circuito de controle aumentam o custo do sistema. 
 
O circuito de amortecimento e o circuito de controle aumentam o custo do 
sistema. 
 
Atualmente, o mercado dispõede GTO´s com capacidade de 8000 V de 
tensão e corrente de 6000 A Por exemplo, podemos citar: a) 4.500 V/ 2.000 A / 
5.10 µs 
 b) 4.500 V / 6.000 A / 300 Hz 
 
Os GTO´s tem-se tornado bastante popular em equipamento de controle de 
potência e substituem os SCR´s onde a comutação forçada é necessária, como em 
inversores e choppers. 
 
 
 
Figura 4.8: Circuito de proteção do GTO 
 
 
4.2.3. Transistor de Potência (BJT) 
 
O transistor BJT é um dispositivo semicondutor por três camadas p-n-o ou n-
p-n e duas junções. 
 
Sua estrutura e seu símbolo são mostrados na figura 4.9. 
 
 
 
Figura 4.9: Transistor de Junção Bipolar BJT 
 
 Os terminais do coletor e emissor são ligados ao circuito de potência e o 
terminal da base é ligado ao sinal de controle. 
 
O transistor também opera no modo chaveado. Quando a corrente de base IB 
é zero, o transistor está ligado e comporta-se como uma chave aberta. Por outro 
lado, quando a corrente de base é suficiente para saturar o transistor, ele comporta-
se como uma chave fechada, como mostrado na figura 4.9. 
 
O transistor é um dispositivo acionado a corrente. A corrente de base IB 
determina se ele está conduzindo (ligado) ou bloqueado (desligado). Para manter o 
dispositivo no estado de condução deve existir suficiente corrente de base. 
 
 Os transistores de altas correntes e tensões são conhecidas como 
“transistores de potência”. O ganho de corrente (IC / IB) de um transistor de potência 
é mais elevado que um tiristor GTO. Um baixo ganho para um transistor de potência 
é da ordem de 10. Isto significa que uma corrente de coletor IC de 100 A requer uma 
corrente de base IB de 10 A. 
 
 Dois transistores ligados apropriadamente, como na figura 4.10, chamado de 
“transistor Darlington” apresenta alto ganho de corrente. Esta configuração pode ser 
obtida pela ligação física de dois transistores ou da fabricação em um único chip. O 
ganho de corrente de um transistor Darlington é de centenas de vezes. A freqüência 
de chaveamento (ligar/desligar) de um transistor de potência é muito maior que nos 
tiristores. Eles podem ser ligados num tempo menor que 1µs e desligados num 
tempo menor que 2µs. Assim eles podem ser usados em aplicações onde a 
freqüência é tão alta quanto 100 KHz. Porém, estes dispositivos são bastantes 
delicados (frágeis), pois falham sob condições de altas correntes e altas tensões. 
Eles devem ser operados 
dentro dos limites de 
segurança (SOA) 
especificados conforme a 
figura 4.11. 
Limites de AOS 
a-b: Limite de corrente de pico 
b-c: Limite de dissipação de 
potência 
c-d: Limite de ruptura 
secundária 
d-e: Limite de tensão de pico 
 
 
Figura 4.11: Área típica de operação segura de transistor de potência 
 
Se altas correntes com altas tensões ocorrem simultaneamente durante o 
desligamento, pontos quentes são formados e o dispositivo falha pela dissipação 
térmica, fenômeno conhecido como “secundary breakdown” ou “ruptura secundária”. 
 
Circuitos amortecedores polarizados são usados com os transistores de 
potência para evitar a ocorrência simultânea de pico de corrente. A figura 4.12 
mostra, o circuito amortecedor ligado ao transistor de potência bem como seu efeito 
sobre as características de desligamento (bloqueio). O circuito da figura trata-se de 
um chopper alimentando uma carga indutiva. 
 
Figura 4.12: Efeitos do capacitor de amortecimento sobre as 
características de desligamento de um transistor de potência 
 
Se nenhum circuito amortecedor é usado, e a corrente de base IB é removida, 
para desligar (bloquear) o transistor, a tensão sobre o dispositivo (VCE) aumenta e 
quando ela alcança o valor da tensão da fonte (Vd) é que a corrente de coletor (IC) 
cai. Daí a potência (P) ser alta durante o processo de bloqueio, levando o transistor 
à falha de ruptura secundária. As formas de ondas na figura 4.12 são idealizadas. 
Se o circuito amortecedor é usado e a corrente de base é removida, a 
corrente de coletor é desviada para o capacitor. Por isso, a corrente de coletor 
diminui quando a tensão de coletor-emissor (VCE) aumenta evitando a ocorrência 
simultânea dos picos de tensão e corrente. 
 
Os transistores não tem capacidade de bloqueio reverso, e eles são ligados 
antiparalelo com diodos em circuitos de corrente alternada. 
 
Pelo fato dos transistores necessitarem de corrente de base para mantê-los 
em condução, a perda de potência no circuito de comando de base pode ser 
apreciável. 
 
Comercialmente, encontram-se transistores de potência com as seguintes 
especificações: 1.2000 V / 500 A / 10 KHz. 
 
 
4.2.4. MOSFET de Potência 
 
É um transistor de chaveamento muito rápido e que se tem mostrado muito 
eficiente em aplicações envolvendo altas freqüências (até 1MHZ) e baixas potências 
(até poucos KW). 
 
O circuito simbólico do MOSFET é mostrado na Figura 4.13. Ele possui três 
terminais chamados de dreno (D), fonte (S) e gatilho (G). O fluxo de corrente é do 
dreno para a fonte. Ele não possui capacidade de bloqueio de tensão reversa e 
integrado a ele sempre está presente um diodo reverso. 
 
Figura 4.13 
 
Diferentemente do transistor bipolar (BJT), o qual um é dispositivo acionado a 
corrente, o MOSFET é um dispositivo de portadores majoritários controlado em 
tensão. Quando uma tensão positiva é aplicada ao gatilho (VGS>o) o transistor é 
ligado. 
 
O gatilho é isolado por uma camada de dióxido de silício (SiO2) e por isso a 
impedância de entrada do circuito de gatilho é extremamente alta (109e). Esta 
característica permite que um MOSFET tenha seu gatilho acionado diretamente por 
um circuito lógico CMOS ou TTL. Portanto a corrente de comando do gatilho é muito 
pequena (menor que 1mA). 
 
O MOSFET tem um coeficiente de temperatura positivo para resistência e a 
possibilidade de avalanche secundária (secundary breakdown) é quase que 
inexistente. Se aquecimento local ocorre, o efeito do coeficiente de temperatura 
positivo da resistência faz as concentrações locais de correntes serem distribuídas 
sobre a área evitando a criação de pontos quentes localizados. A área de operação 
segura (SOA) de um MOSFET é mostrada na figura 4.14. Ela é restrita por três 
linhas limites: limite de corrente (ab), limite de dissipação de potência (bc) e limite de 
tensão (cd). A SOA pode se expandida quando o dispositivo opera com pulsos, 
como mostrado pela linha pontilhada. 
 
As características estáticas do MOSFET são similares às do BJT, como 
mostrado na figura 4.15. Entretanto o MOSFET liga e desliga muito rápido, em 
menos que 50 ns. Devido ao fato dos MOSFET´s comutarem sob alta tensão e 
corrente (sem perigo de avalanche) não é necessário circuito de amortecimento de 
corrente, durante o bloqueio. Entretanto, estes dispositivos são muito sensíveis a 
picos de tensões e circuitos amortecedores devem ser necessários para suprimir 
picos de tensões. 
 
Figura 4.14: SOA do MOSFET 
 
 
 
Figura 4.15 
 
 Como os MOSFET´s comutam muito rápido as perdas de comutação são 
quase que desprezíveis. Entretanto, em estado de condução a queda de tensão é 
alta e por isso a perda na condução é alta. Por exemplo, a queda de tensão de um 
MOSFET de 400V é de 4V para uma corrente de 10A e esta queda aumenta com a 
temperatura e a corrente.