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Avaliação: CCE0252_AV2_201102049212 » MATERIAIS ELÉTRICOS Tipo de Avaliação: AV2 Aluno Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9003/C Nota da Prova: 6,0 de 8,0 Nota do Trabalho: Nota de Participação: 2 Data: 07/06/2013 21:12:43 1a Questão (Cód.: 160328) Pontos:1,0 / 1,0 A Itália também teve seu expoente científico nos primórdios da pesquisa com eletricidade, seu nome era Luigi Galvani (1737-1798). Embora atuasse na área hoje conhecida como biomédica, como professor de anatomia da Universidade de Bolonha, foi um dos primeiros cientistas a relatar o efeito de correntes elétricas na musculatura de um ser vivo, quando acidentalmente durante a dissecação de um sapo o aproximou de um instrumento elétrico. Considerando o exposto, determine a opção que provavelmente só apresenta materiais isolantes elétricos. Isopor, madeira e cerâmica. Silício, Prata, água salgada. Cobre, Ouro, Ferro e Níquel. Madeira, borracha, Platina e isopor. Nitrato de Prata, madeira porosa e borracha. 2a Questão (Cód.: 160352) Pontos:1,0 / 1,0 Considerando um capacitor de placas paralelas com as seguintes características: Área = 8.10 -4 mm 2 , l = 3.10 -3 m, r=5 (constante dielétrica do meio) e 0= 9.10 -12 F/m, como mostra a figura a seguir, pode-se afirmar que o deslocamento dielétrico dado por D= (V/L) é igual a: 25,0 . 10 -8 C/m 2 16,8 . 10 -8 C/m 2 132,8 . 10 -14 C/m 2 0,08 . 10 8 C/m 2 4,8 . 10 -8 C/m 2 3a Questão (Cód.: 160613) Pontos:0,5 / 0,5 O titanato de bário, mostrado na figura a seguir, é um material que apresenta polarização espontânea a nível microestrutural, ou seja, mesmo na ausência de campos elétricos externos, este material apresenta dipolos elétricos. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Com relação a este tipo material, podemos afirmar: São denominados de diamagnéticos. São denominados de ferrimagnéticos. São denominados de magnéticos. São denominados de ferroelétricos. São denominados de ferromagnéticos. 4a Questão (Cód.: 160626) Pontos:0,0 / 0,5 Diversos materiais exibem a propriedade de manter a polarização elétrica a nível microsestrutural na ausência de campos elétricos externos, tais como o sal de Rochelle, o di-hidrogeno fosfato de potássio, o niobato de potássio entre outros. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Com relação a estes materiais, podemos afirmar: São denominados paramagnéticos. São denominados diaelétricos. São denominados ferromagnéticos. São denominados ferroelétricos. São denominados ferrimagnéticos. 5a Questão (Cód.: 160624) Pontos:0,5 / 0,5 A utilização de fibras óticas na transmissão de dados apresenta diversas vantagens, como por exemplo, o menor peso em relação ao material metálico que normalmente era utilizado, o Cobre. O gráfico a seguir contém informações quanto às bandas de freqüência utilizadas. Podemos afirmar que: Na frequência média de 1,3 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8. Na frequência média de 0,85 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8. Na frequência média de 0,85 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,3. Na frequência média de 1,55 μ, há atenuação média do sinal equivalente a 0,8. 6a Questão (Cód.: 160647) Pontos:0,0 / 0,5 Georg Simon Ohm (1787-1854) lecionou Física na Universidade de Munique e em 1827 e foi um dos pioneiros na investigação de propriedades dos resistores, o que lhe conferiu a imortalidade científica através da associação de seu nome, Ohm, a quantificação da característica resistividade de um material. Entre as informações referentes a um resistor, não podemos afirmar que: (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3) Temperatura, presença de impurezas e deformação mecânica são fatores que influenciam a resistividade de um material. O coeficiente de temperatura do resistor (TCR) descreve o comportamento da variação do valor da resistência em função da temperatura. Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores. O TCR é um parâmetro importante pois é desejável conhecer este comportamento antes da operação do componente. A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas. 7a Questão (Cód.: 86558) Pontos:1,0 / 1,0 Qual é a principal característica dos materiais semicondutores? Não são condutores e isolantes. São somente condutores São somente isolantes São condutores e isolantes. São somente supercondutores. 8a Questão (Cód.: 8310) Pontos:1,0 / 1,0 A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm 2 . Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20 o C e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10 -8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80 o C (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10 -3 o C -1 ). 4,19 Ω 3,4 Ω 6,8 Ω 3,89 Ω 4,35 Ω 9a Questão (Cód.: 160229) Pontos:0,0 / 1,0 Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente elétrico. Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os elétrons sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve este fenômeno é: Mobilidade elétrica. Resistência elétrica. Supercondutividade elétrica. Resistividade elétrica. Condutividade elétrica. 10a Questão (Cód.: 160249) Pontos:1,0 / 1,0 Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica. Com relação aos semicondutores, podemos afirmar: Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente nas junções P-N. Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p. A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem. Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores extrínsecos. A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro.
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