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Avaliação: CCE0252_AV1_ » MATERIAIS ELÉTRICOS Tipo de 
Avaliação: AV1
Aluno: 
Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9003/C
Nota da Prova: 1,5 de 8,0 Nota do Trabalho: Nota de Participação: 2 Data: 17/04/2013 20:11:18
1a Questão (Cód.: 86558) Pontos:0,5 / 0,5
Qual é a principal característica dos materiais semicondutores?
São somente isolantes
São somente supercondutores. 
São condutores e isolantes.
Não são condutores e isolantes.
São somente condutores
2a Questão (Cód.: 160208) Pontos:0,0 / 1,0
A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve 
pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença 
entre a temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos 
com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas 
propriedades, muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes.
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes.
Madeira, borracha e água pura.
Silício, Ferro, água pura.
Arseneto de Gálio, madeira e borracha. 
Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio.
3a Questão (Cód.: 160227) Pontos:0,0 / 1,0
O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microcircuitos com uma 
infinidade de componentes, observáveis as vezes somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que 
melhor representa somente conceitos corretos.
Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que 
apresentam impurezas.
Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina 
composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4).
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
 Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cristalina 
composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4).
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a 
presença de qualquer impureza no sistema.
4a Questão (Cód.: 160250) Pontos:0,0 / 1,0
A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados 
com elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos 
tem seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em 
projeto, ou seja, aquilo que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa 
é que a incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização.
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos de Silício
Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor submetido a uma 
diferença de potencial é próxima a velocidade da luz.
O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um 
semicondutor extrínseco.
Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas. 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. 
5a Questão (Cód.: 8310) Pontos:0,0 / 0,5
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24/04/2013http://bquestoes.estacio.br/prova_resultado_preview_aluno.asp?cod_hist_prova=2740358&matricula=201102049212
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas 
espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a 
estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida 
através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a 
resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção 
transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade 
do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência 
ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do 
cobre é igual a 3,9x10-3 oC-1).
6,8 Ω
4,19 Ω
3,89 Ω
3,4 Ω
4,35 Ω
6a Questão (Cód.: 99583) Pontos:1,0 / 1,0
Deseja­se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja 
resistividade é igual a 2,6 x 10
­6
 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção 
reta deste fio.
0,27 cm
2
0,21 cm
2
0,25 cm
2
0,19 cm
2
0,23 cm
2
7a Questão (Cód.: 160217) Pontos:0,0 / 0,5
Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, 
permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos. 
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por ����=p.I 
e I.����h, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10
-19C, e .����h é 
mobilidade dos buracos. 
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3
átomos de Boro, considerando �
h
 = 0,05m2/V.s
400 (ohm.m) -1
4 (ohm.m) -1
100 (ohm.m) -1
50 (ohm.m) -1
200 (ohm.m) -1
8a Questão (Cód.: 160271) Pontos:0,0 / 1,0
O tipo de carga predominante e a concentração das mesmas em um semicondutor (elétrons ou buracos) pode ser determinada 
através de um experimento chamado Efeito Hall. Deste experimento, obtém-se a constante de Hall, R
H
, que, por sua vez, está 
relacionada a n, quantidade de elétrons por m3 do semicondutor, por n=(R
H
 I e I)-1, onde l e l =1,6.10 -19C.
Considerando-se um corpo de prova feito de Alumínio, com RH=-3,16 . 10 
-11, determine a quantidade aproximada de portadores de 
carga (em módulo) por m3.
20 . 1015
20 . 1030
1,5 . 1026
1,5 . 1025
2,0 1029.
9a Questão (Cód.: 160249) Pontos:0,0 / 1,0
Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas 
tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado 
Microeletrônica.
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar: 
Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo de 
condução de carga no interior de um condutor tipo-p.
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro. 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente 
nas junções P-N.
A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução 
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24/04/2013http://bquestoes.estacio.br/prova_resultado_preview_aluno.asp?cod_hist_prova=2740358&matricula=201102049212denominadas dopagem.
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores extrínsecos.
10a Questão (Cód.: 98326) Pontos:0,0 / 0,5
Determine a resistência de um condutor de cobre com seção reta circular, 32 metros de comprimento e raio de 1,2 
mm. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m. 
12,0 Ω
120 Ω
3,4 Ω
0,12 Ω
34 Ω
Período de não visualização da prova: desde 05/04/2013 até 22/04/2013.
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