AV1 Materiais elétricos

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Avaliação: CCE0252_AV1_» MATERIAIS ELÉTRICOS 
Tipo de Avaliação: AV1 
Aluno: 
Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 
Nota da Prova: 10,0 de 10,0 Nota do Trab.: Nota de Partic.: Data: 14/05/2017 16:26:59 
 
 
 1a Questão (Ref.: 201407343084) Pontos: 1,0 / 1,0 
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm na forma de 
um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,5 metros e uma área da seção 
reta do fio igual a 0,4 mm2. 
 
 
4,44 ohms 
 
3,33 ohms 
 
2,22 ohms 
 1,11 ohms 
 
0,99 ohms 
 
 
 
 2a Questão (Ref.: 201407403715) Pontos: 1,0 / 1,0 
Um aluno do curso de Engenharia, conhecedor das propriedades elétricas dos materiais, 
recebeu a tarefa de aumentar a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 20 
ohms para 30 ohms. Considerando-se que não haverá variação na área da seção reta do 
material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 5m, pode-se dizer 
que: 
 
 O novo comprimento deverá ser de 7,5m. 
 
O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 33,3% o diâmetro do fio que 
compõe a bobina. 
 
O novo comprimento poderá estar entre 3,3m e 7,5m. 
 
Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do fio. 
 
O novo comprimento deverá ser de 3,3m. 
 
 
 
 3a Questão (Ref.: 201407343086) Pontos: 1,0 / 1,0 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual 
a 0,38 mm
2
 e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado. 
 
 3,65 x 10-6 Ω.cm 
 4,12 x 10-6 Ω.cm 
 6,13 x 10-6 Ω.cm 
 5,21 x 10-6 Ω.cm 
 7,12 x 10-6 Ω.cm 
 
 
 
 4a Questão (Ref.: 201407343088) Pontos: 1,0 / 1,0 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de 
seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a 
ser utilizado. 
 
 4,75 x 10-6 Ω.cm 
 7,81 x 10-6 Ω.cm 
 3,21 x 10-6 Ω.cm 
 6,45 x 10-6 Ω.cm 
 3,95 x 10-6 Ω.cm 
 
 
 
 5a Questão (Ref.: 201407403756) Pontos: 1,0 / 1,0 
Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é 
através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, 
técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A History 
of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17). 
 
Com relação aos semicondutores é correto afirmar que: 
 
 
A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas 
dopagem. 
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, 
sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema. 
 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas 
somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. 
 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um 
material. 
 Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas. 
 
 
 
 6a Questão (Ref.: 201407484636) Pontos: 1,0 / 1,0 
A grande maioria dos metais são materiais cristalinos, ou seja, possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma 
periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Quando submetemos este tipo de 
material a um campo elétrico, os elétrons livres iniciam movimento orientado pela força elétrica que os compele. 
Baseado nestas informações, como denomina-se a velocidade desenvolvida essas partículas. 
 
 
Velocidade quântica. 
 velocidade de deslocamento. 
 
Velocidade elétrica. 
 
Velocidade hiperstática. 
 
Velocidade de arraste. 
 
 
 
 7a Questão (Ref.: 201407403798) Pontos: 1,0 / 1,0 
A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de 
elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na 
forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores 
tipo-n. 
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John 
Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. 
 
 
 
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio. 
 
 
 
 8a Questão (Ref.: 201407403796) Pontos: 1,0 / 1,0 
Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se 
originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os 
semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas 
obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, 
WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, 
USA, 1997, Chapter 19). 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. 
 
 
 
 
 
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
 
 
 
 9a Questão (Ref.: 201407839410) Pontos: 1,0 / 1,0 
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando 
os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO: 
 
 
fio enrolado e CERMET 
 filme de madeira (wood film) e filme de metal 
 
CERMET e filme de carbono 
 
composição de carbono e plástico 
 
cerâmica e fio enrolado 
 
 
 
 10a Questão (Ref.: 201407970278) Pontos: 1,0 / 1,0 
Ao projetarmos aparatos elétricos, devemos prever que existirão partes deste equipamento em que a condução 
elétrica é essencial e outras partes nas quais a condução não só é desnecessária, mas altamente inconveniente 
devido ao perigo de choque elétrico. Para excluir ou minimizar as possibilidades de descargas elétricas 
deletérias a vida, utilizam-se materiais isolantes como os polímeros e os cerâmicos, que possuem algumas 
propriedades características, entre as quais só NÃO podemos citar: 
 
 
Os cerâmicos possuem não só baixa condutividade elétrica, mas também baixa condutividade térmica. 
 
Os cerâmicos existem em grande abundância na natureza, tendo como exemplos os nitretos e silicatos. 
 Os cerâmicos são materiais capazes de absorver energia sem fragmentação fácil, apresentando baixa 
fragilidade. 
 
Os polímeros apresentam grande facilidade de se ajustar aos formatos solicitados, devido a grande 
ductilidade. 
 
Os polímeros são compostos de grandes cadeias moleculares, apresentando baixo ponto de fusão.