Laboratório de Eletrônica I UNESP

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UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO 
Campus Universitário de Bauru 
 
FACULDADE DE ENGENHARIA 
www.feb.unesp.br 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Prof. Dr. Alceu Ferreira Alves 
 
2013 
 
unesp DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA 
 
 
 
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Laboratório de Eletrônica I – Prof. Alceu Ferreira Alves – 2013 
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LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I 
PROGRAMAÇÃO DE AULAS – 2º SEMESTRE 2013 
 
Horários das Aulas 
 
Turma 2313EE21 Terças-feiras 14h00 Lab 33 Prof. Alceu 
Turma 2313EE22 Terças-feiras 16h00 Lab 33 Prof. Alceu 
Turma 2313EE23 Terças-feiras 19h00 Lab 33 Prof. Fernando 
Turma 2313EE24 Terças-feiras 21h00 Lab 33 Prof. Fernando 
 
Semana Data 
Atividades Programadas 
(conforme Calendário Escolar aprovado pela Congregação) 
01 30/07 
Apresentação do Programa, Critérios de Avaliação, Informações 
Gerais (esta aula não será válida para efeito de avaliação) 
02 06/08 
Prática 1 – Resumo das Técnicas de Manuseio dos Instrumentos 
de Medidas Eletrônicas, Práticas de Uso da Instrumentação, 
Apresentação dos Equipamentos do Curso, Teoria do Osciloscópio 
03 13/08 
Prática 2 – Características do Diodo de Junção e Circuito 
Retificador de Meia Onda 
04 20/08 Prática 3 – Circuitos com Diodos Retificadores (1ª parte) 
05 27/08 Prática 4 – Circuitos com Diodos Retificadores (2ª parte) 
06 03/09 Prática 5 – Circuitos Multiplicadores e Limitadores 
07 10/09 Prática 6 – Regulador a Diodo Zener 
08 17/09 Atividades referentes à Semana da Engenharia 
09 24/09 
Prova de Laboratório PL1 – frequência e matéria relativas às 
práticas de 1 a 6 – Prova Prática 
10 01/10 Prática 7 – Características do Transistor Bipolar 
11 08/10 Prática 8 – Amplificador Transistorizado Básico 
12 15/10 Prática 9 – Características do Transistor JFET 
13 22/10 Prática 10 – Circuito Amplificador com JFET 
14 29/10 Prática 11 – Características do Transistor MOSFET 
15 05/11 Prática 12 – Circuito Amplificador com MOSFET 
16 12/11 
Prática Substitutiva – aos alunos que deixaram de fazer 
alguma das aulas práticas, sem justificativa 
17 19/11 
Prova de Laboratório PL2 – frequência e matéria relativas às 
práticas de 7 a 12 – Prova Prática 
18 26/11 
Prova de Laboratório PL3 – matéria relativa a todo o conteúdo 
ministrado no semestre – Prova Prática 
 03/12 Aula de Recuperação – Lab. 33 – horário a combinar 
 11/12 Prova de Recuperação – Lab. 33 – horário a combinar 
 
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Critério de Avaliação: 
 
1) Não há relatórios semanais. 
2) Haverá 02 (duas) provas (PL1 e PL2), práticas, individuais, obrigatórias, constando também de 
questões teóricas, com duração máxima de 01 (uma) hora, nas datas especificadas na programação. 
3) As notas das provas PL1 e PL2 serão ponderadas pela freqüência do aluno nas aulas de 
laboratório que antecederam às mesmas, dando origem às notas P1 e P2: 
P1 = a * PL1 e P2 = b * PL2 , sendo a e b os pesos respectivos das notas de provas PL1 e PL2, 
calculados pela expressão: 
nº de presenças
nº de aulas dadas
 
Caso MP = (P1 + P2) / 2 seja >= 5,0, esta nota passa a ser a Média Final (MF) e o aluno está 
aprovado por nota; 
 
Caso MP < 5,0, a P3 é obrigatória, englobando toda a matéria lecionada no semestre, e a média final 
(MF) é recalculada como segue: 
 
MF = (P1 + P2 + 2*P3) / 4 
 
Neste caso, a média final deverá ser igual ou superior à 5,0 para aprovação. 
 
4) Controle de Frequência: haverá chamada todas as aulas. Para aprovação: frequência >= 70% 
 
 
INSTRUÇÕES GERAIS 
 
• Aulas práticas com 01 (um) ou 02 (dois) alunos por bancada; os alunos podem e devem discutir os 
procedimentos e resultados com os colegas e o professor, mas é preciso entender os objetivos da 
experiência e tirar suas conclusões individualmente; 
• Horário de início das aulas será rigorosamente cumprido; 
• É imprescindível o uso da apostila (edição 2013, em branco) para realização dos experimentos, 
sem a qual o aluno poderá ser impedido de fazer a prática; 
• O atraso máximo permitido aos alunos será 10 minutos; após esta tolerância, o aluno poderá 
entrar na sala e fazer a prática, mas ficará com registro de falta na aula, podendo substituir até 
uma aula sem justificativa; 
• Ao terminar de fazer a prática e colher seus dados experimentais, o aluno poderá ir embora, após 
organizar todo o material utilizado; 
• Controle de Frequência: chamada todas as aulas 
• O descumprimento das Normas de Utilização será julgado pelo professor, que poderá, a seu 
critério, aplicar um redutor no coeficiente de presença na aula de 0 a 100% (marcar falta), o que 
alterará a ponderação do cálculo da média de laboratório. 
 
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NORMAS DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO 
 
 
1) Cada aluno deverá informar ao professor da disciplina qual será a sua bancada de trabalho 
durante todo o semestre e ficará responsável pela conservação da mesma (mesa, 
equipamentos, bancos , etc.); 
2) Ao iniciar a aula, o aluno deverá informar ao professor qualquer problema verificado com sua 
bancada; 
3) Ao terminar a aula, o aluno deverá deixar sua bancada em perfeita ordem, observando: 
a) Os bancos deverão ser colocados sob as mesas; 
b) As mesas deverão estar limpas, sem resíduos de borrachas, restos de papel, copos 
descartáveis, etc.; 
c) Os equipamentos deverão estar desligados e em ordem para o aluno que for utilizar a 
bancada em seguida: 
• O osciloscópio com os 2 canais calibrados, em DC, foco ajustado, trigger em 
AUTO, base de tempo calibrada; 
• Multímetro em DC VOLTS, escala de 20V; 
• Gerador com DC offset fechado, freqüência em 1kHz, onda senoidal, amplitude 
baixa e atenuador em 0dB; 
• MB-U com as fontes PS-1 e PS-2 zeradas. 
4) As placas, cabos, fios, alicates e componentes eletrônicos deverão ser colocados onde foram 
encontrados, e os fios usados em protoboard devem ser devolvidos em ordem; 
5) Defeitos constatados em componentes, cabos ou equipamentos deverão ser comunicados ao 
professor para que sejam tomadas providências no sentido de efetuar-se a manutenção 
adequada; 
6) A tensões utilizadas durante as aulas são geralmente baixas, mas lembre-se que tensões 
acima de 50V podem matar; portanto, preste bastante atenção no circuito que está montando e 
só ligue após ter absoluta certeza do que está fazendo. 
 
PENSE PRIMEIRO, FAÇA DEPOIS ! 
 
 
Não é permitido fumar, comer ou beber dentro do Laboratório Didático. 
 
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INFORMAÇÕES GERAIS 
 
A – MODO DE EXPERIÊNCIA 
 
Antes de dar início a cada sessão de laboratório, o aluno deve preparar o PU-2000 para operação, 
seguindo os passos descritos abaixo: 
 
PASSO PRESSIONE VISOR COMENTÁRIOS 
 
1 PC1 Primeira parte do código da placa 
2 815 815 Entre com os 3 primeiro dígitos do 
código da placa 
3 * PC2 Segunda parte do código da placa 
4 017 017 Entre com os 3 últimos dígitos do código 
da placa 
5 * EB-111 Confirmação da placa a ser utilizada, 
piscando EB-111 alternadamente6 * Id1 Entre com os 3 primeiros dígitos do 
número de matrícula (000) 
7 (número) (número) Três primeiros dígitos 
8 * Id2 Entre com os 3 dígitos seguintes do 
número de matrícula 
9 (número) (número) Três dígitos seguintes 
10 * Id3 Entre com os 3 últimos dígitos do 
número de matrícula 
11 (número) (número) Três últimos dígitos 
12 * Fn Seleção de Função 
13 1 Fn1 Seleção de Função 
( 1 indica Modo de Experiência) 
14 * E.00 Indicador de Experiência no valor inicial 
15 * E.01 Incremente o Indicador de Experiências 
 
Obs: O indicador de experiências pode ser incrementado digitando-se "∗" e decrementado digitando-
se "0"; vá até o monitor do professor e confirme se seu cadastro está correto e se sua sessão 
foi inicializada. 
 
 
 
B – MODO DE PRÁTICA 
 
Para dar início ao modo de prática, o aluno deve seguir os passos descritos abaixo: 
 
PASSO PRESSIONE VISOR COMENTÁRIOS 
 
1 # "1" Termina o Modo de Experiência 
2 2 "2" Selecione uma nova função 
3 * Fn Seleção de Função 
4 2 Fn2 Selecione o Modo de Prática 
5 * P.00 Você está no Modo de Prática 
 
6 
 
"X" 
 
P.0"X" 
Selecione o código de falha. 
Um "X" pisca por um curto período de 
tempo indicando que uma falha foi 
selecionada 
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C – RETORNO AO MODO DE EXPERIÊNCIA 
 
Para voltar ao modo de experiência, siga os passos descritos abaixo: 
 
PASSO PRESSIONE VISOR COMENTÁRIOS 
 
1 * Fn Seleção de Função 
2 1 Fn1 Retorno ao modo de Experiência 
3 * E.0"X" Indicador do número da última 
experiência selecionada 
4 * E.0"X"+1 Incrementa-se o contador de experiência 
 
 
 
D - PARA ENCERRAR A SESSÃO DE LABORATÓRIO 
 
Para encerrar a sessão de laboratório, siga os passos descritos abaixo: 
 
PASSO PRESSIONE VISOR COMENTÁRIOS 
 
1 # "1" Termina o Modo de Experiências 
2 3 "3" Modo de Finalização 
3 * PCI Encerra a sessão 
 
 
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CARACTERÍSTICAS DO DIODO DE JUNÇÃO E CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA ONDA 
 
 
1.0 OBJETIVOS 
 
Após completar estas atividades de laboratório, você deverá ser capaz de: 
 
1. Medir a tensão e a corrente do diodo quando em polarização direta. 
2. Medir a tensão e a corrente do diodo quando em polarização reversa. 
3. Traçar a curva característica de um diodo. 
4. Determinar a resistência dinâmica de um diodo. 
5. Determinar o modelo de um diodo em polarização reversa. 
6. Verificar o funcionamento do diodo de junção como retificador de meia onda. 
7. Medir a tensão de barreira de potencial do diodo utilizado. 
8. Observar a curva característica de transferência de um diodo no osciloscópio. 
 
 
2.0 DISCUSSÃO 
 
Os diodos semicondutores podem ser polarizados diretamente ou reversamente. Idealmente pode-se 
considerar que um diodo polarizado diretamente age como um curto-circuito e quando 
reversamente polarizado age como um circuito aberto. Em circuitos reais ("práticos") os diodos 
apresentam valores de resistência direta que dependem da tensão e da corrente CC no diodo. 
O diodo é um dispositivo não-linear e suas características elétricas são representadas por uma curva 
característica V-I. Algumas vezes, utiliza-se uma tensão de polarização CC superposta ao sinal CA 
que deseja-se aplicar ao diodo; a resistência equivalente do diodo para o intervalo de operação CA é 
chamada de resistência dinâmica, sendo representada pelo inverso da inclinação da curva 
característica no ponto desejado. 
Os diodos podem ser usados em circuitos para transformar tensão e corrente alternadas em tensão e 
corrente contínuas. O circuito mais simples que pode ser utilizado para esta finalidade é o circuito 
retificador de meia onda. As diferenças de tensão entre as ondas de entrada e saída são 
decorrentes da tensão de barreira de potencial do semicondutor, a qual precisa ser vencida para o 
diodo conduzir. As freqüências dos sinais de entrada e saída não são alteradas pelo circuito 
retificador de meia onda. 
 
 
 
3.0 PROCEDIMENTO 
 
POLARIZAÇÃO DIRETA 
1. Coloque a placa EB-111 nas guias do bastidor e encaixe o conector. 
2. Localize o circuito que contém o diodo D1 (Fig. 1) na placa de circuito impresso. 
3. Conecte o miliamperímetro para medir a corrente direta no diodo e o canal 1 do osciloscópio para 
medir a tensão direta no diodo. Use a escala de sensibilidade vertical de 0.1 Volt/divisão e centralize 
o traço horizontal na referência inferior do osciloscópio para começar as medições. 
4. Ligue o sistema e execute o procedimento de inicialização conforme descrito na página de 
Informações Gerais. 
5. Ajuste a fonte de alimentação PS-1 até obter uma tensão direta sobre o diodo de 0.1V. 
6. Digite "∗" para mudar o indicador de experiência para 2. Meça a corrente do circuito e anote, 
completando a tabela com todos os valores da Fig. 2. 
 
OBS: Ao mudar a escala do amperímetro, reajustar PS-1, porque a resistência interna do aparelho 
altera o ajuste feito anteriormente. 
 
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A
PS-1
R1
osciloscópio
+
+ _
R2
PS-2
+
D1
+
_
 
 
Fig. 1 - Circuito de Polarização Direta 
 
 
Vdireta 
(V) 
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 
Idireta 
(mA) 
 
 
Fig. 2 - Medidas de Corrente no Diodo 
 
 
7. Trace um gráfico com os valores obtidos, tendo a corrente direta no eixo vertical e a tensão direta 
no eixo horizontal. 
 
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
V (V)
F
I (mA)
F
2
4
6
8
10
12
 
 
 
Fig. 3 - Característica V-I do Diodo 
 
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8. A partir do gráfico obtido, calcule as resistências dinâmicas do diodo nos pontos de Vf=0.5V 
(intervalo ∆Vf=0.1V ⇒ Vf1=0.45V e Vf2=0.55V) e Vf=0.65V (intervalo ∆Vf=0.1V ⇒ Vf1=0.60V e 
Vf2=0.70V). Anote os cálculos realizados e os resultados obtidos. Discuta com os colegas e o 
professor. 
 
 
POLARIZAÇÃO REVERSA 
9. Digite "∗" para mudar o indicador de experiência para 3. Monte o circuito da Fig. 4. Desconecte o 
osciloscópio do circuito. 
 
 
PS-1
R1
+
A
+ _
R2
PS-2
+
D1
osciloscópio
+
_
 
 
Fig. 4 - Circuito de Polarização Reversa 
 
 
10. Ajuste a tensão da fonte inicialmente para zero, através do potenciômetro de PS-2. A medida de 
tensão é nos bornes do sistema principal porque não há ponto de prova no circuito 
11. Meça a corrente no circuito para as várias tensões da fonte indicadas e anote os resultados na 
tabela da Fig. 5 (modo experimental). 
12. Ao terminar, retorne PS-2 para zero volt. 
 
 
PS-2 
[V] 
0 -1 -5 -10 
Corrente Reversa 
[µA] 
 
 
Fig. 5 - Medidas de Corrente Reversa no Modo Experimental 
 
Discuta com os colegas e o professor os seus resultados. São coerentes com o esperado ? 
 
 
 
MODO DE PRÁTICA 
13. Digite "∗" para mudar o indicador de experiência para 4. Introduza o modo de prática conforme 
descrito na folha de Informações Gerais - Parte B, e selecione o código de falha número 4. (X=4). 
14. Repita as medições de corrente reversa eregistre os resultados na tabela da Fig. 6. 
15. Compare os valores do modo prática com os valores do modo experimental e tente concluir 
porque a corrente não é zero, se foi acrescentado algum componente ao circuito, ou se o diodo está 
em falha. 
 
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PS-2 
[V] 
0 -1 -5 -10 
Corrente Reversa 
[µA] 
 
 
Fig. 6 - Medidas de Corrente Reversa no Modo de Prática 
 
 
16. Siga as instruções da folha de Informações Gerais e retorne ao modo de experiência. 
 
 
 
RETIFICAÇÃO DA ONDA SENOIDAL 
17. Digite "∗" até mudar o indicador de experiências para 6. 
18. Localize o circuito que contém o diodo D2 (Fig. 7). Este circuito encontra-se na porção central 
superior da placa de circuito impresso. 
19. Ligue o gerador de sinais ao osciloscópio e, antes de conectá-lo ao circuito, ajuste sua saída para 
um sinal de 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqüência de 500Hz, forma de onda senoidal e com off-set 
igual a zero. 
20. Conecte o gerador de sinais aos terminais de entrada (Vin) do circuito retificador de meia onda. 
 
 
osciloscópio
R3
D2
~
Vin osciloscópio
CANAL 01 CANAL 02
 
 
Fig. 7 – Circuito Retificador de Meia Onda 
 
 
 
21. Conecte o osciloscópio ao circuito de modo que o canal 2 monitore a saída (tensão sobre a carga 
R3) e o canal 1 monitore a entrada (tensão do gerador). Ambos os canais deverão estar no modo DC. 
22. Ajuste as escalas de sensibilidade vertical do osciloscópio para 0.5V/div (ambos os canais) e a 
varredura horizontal para 0.2ms/div. 
23. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 7. 
24. Observe os sinais nos dois canais do osciloscópio e esboce-os na Fig. 8. Há alguma diferença 
mensurável entre um diodo ideal e este diodo ? Qual é esta diferença ? Qual o seu significado ? 
 
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escala vertical: _____ V/div
escala horizontal: ____ ms/div
Canal 1 - Vin (gerador)
Canal 2 - VR3
escala vertical: _____ V/div
 
 
 
Fig. 8 – Retificação da Onda Senoidal 
 
 
CURVA DE TRANSFERÊNCIA SENOIDAL 
25. Ajuste o osciloscópio na modalidade X-Y (Vin=X e VR3=Y) de modo a obter a curva de 
transferência VR3 = f(Vin). Plote a curva de transferência para valores de entrada entre -2V e +2V na 
Fig. 9. 
Obs: Selecione para exibição apenas o canal 2 (CH2), e diminua a intensidade do traço. Colocar os 2 
canais em GND e centrar o ponto na tela, para poder anotar os valores medidos. 
 
VR3 [V]
1
2
-2
-1
1 2-1-2 Vin [V]
 
 
Fig. 9 - Característica de Transferência de Tensão da Onda Senoidal 
 
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CIRCUITOS RETIFICADORES – 1ª PARTE 
 
 
1.0 OBJETIVOS 
 
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de: 
 
1. Verificar o funcionamento de um retificador de meia onda, tendo como gerador um transformador. 
2. Medir a tensão de barreira de potencial do diodo utilizado. 
3. Medir a tensão reversa máxima que ocorre sobre o diodo inversamente polarizado e comparar com 
o valor teórico esperado. 
4. Verificar o funcionamento de um filtro capacitivo e medir a ondulação de saída de uma fonte 
(ripple). 
 
 
2.0 DISCUSSÃO 
 
Os retificadores de meia onda são os circuitos mais simples capazes de converter tensão e corrente 
alternadas em tensão e corrente contínuas; entretanto, as tensões geradas por estes circuitos são do 
tipo pulsadas, devendo, na maioria dos casos, serem filtradas para posterior utilização nos circuitos 
eletrônicos para polarização de componentes bipolares. O sinal alternado de entrada do retificador 
pode ser obtido de um gerador de sinais ou de um transformador, que reduz ou aumenta a tensão 
disponível na rede. A tensão de saída do retificador pode ser filtrada por um capacitor colocado em 
paralelo com a carga, que é conhecido como filtro capacitivo. A ondulação observada sobre o nível 
DC após a filtragem é conhecida como ripple e depende da freqüência da entrada, do valor da 
capacitância e da corrente solicitada pela carga. 
 
 
3.0 PROCEDIMENTO 
 
RETIFICADOR DE MEIA ONDA SEM FILTRO 
1. Coloque a placa EB-141 nas guias do bastidor e encaixe o conector. 
2. Localize o circuito que contém o diodo D1 (Fig. 1). Este circuito encontra-se na porção superior 
esquerda da placa de circuito impresso. 
 
 
D1
R1+
SGin
~
Amplificador T1
N1
N2 R21
C1
oscil. oscil.
Vout(+)VN1
10 Ω
10kΩ
1N4003
470 µF
25V
+/-20%
 
 
 
Fig. 1 - Circuito Retificador de Meia Onda 
 
 
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3. Ligue o gerador de sinais ao osciloscópio e, antes de conectá-lo ao circuito, ajuste sua saída para 
um sinal de aproximadamente 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqüência de 50Hz, forma de onda 
senoidal e com off-set igual a zero. SAÍDA DO GERADOR EM 4Vpp. 
4. Ligue o tap-central do transformador ao R21 utilizando-se de um fio como jumper. 
5. Utilize o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão de secundário N1 (entre anodo de D1 e terra) 
e reajuste o gerador para obter uma tensão VN1=14Vpp. 
6. Utilize o canal 2 do osciloscópio para medir a tensão de carga entre Vout(+) e terra. Os dois canais 
devem estar na mesma escala e com a mesma referência. 
7. Desenhe as formas de onda de tensão de entrada e saída do retificador de meia onda na Fig. 2. 
 
 É possível observar a queda de tensão sobre D1 ? 
 
 
+7
-7
VN1, Vout [V]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
Fig. 2 - Formas de Onda de um Retificador de Meia Onda 
 
 
 
 
8. Meça e apresente o valor da Tensão Reversa Máxima que ocorre no diodo. Está coerente com o 
valor teórico esperado ? 
9. Passe o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão sobre R21 (OBSERVE O TERRA !). 
 
Desenhe a forma de onda de tensão observada na Figura 3, explique o seu significado e porque está 
invertida quando comparada a VN1. 
 
 
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-20
VR21 [mV]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
 
Fig. 3 - Forma de Onda da Tensão sobre R21 
 
 
RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM FILTRO CAPACITIVO 
10. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando-se de um jumper. 
11. Desenhe as formas de onda de tensão de entrada e saída na Figura 4, e explique o que ocorreu. 
 
 
+7
-7
VN1, Vout [V]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
Fig. 4 - Formas de Onda de um Retificador de Meia Onda com Filtro Capacitivo 
 
 
12. Selecione o modo AC para o canal 2 e aumente a sensibilidade do canal até poder observar a 
ondulação da tensão de saída (ripple). Desenhe o sinal observado na Figura 5 e meça o valor de pico 
a pico da ondulação. 
13. Calcule o valor teórico desta ondulação e compare com o valor medido. É coerente ? 
 
OBS: Use a expressão: ∆V
I
f C
Vout
R f C
= =
 
 
 
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Vripple [mV]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
Fig. 5 - Forma de Onda da Tensão de Ripple para o Retificador de Meia Onda 
 
 
 
14. Passe novamente o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão sobre R21 (OBSERVE O 
TERRA !). Desenhe a forma de onda de tensão observada na Figura 6 e explique o seu significado. 
 
-100
VR21 [mV]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
Fig. 6 - Forma de Onda da Tensão sobre R21 com Filtro Capacitivo 
 
 
 
 
 
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS 
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA 
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ 
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO. 
 
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página 10 
CIRCUITOS RETIFICADORES – 2ª PARTE 
 
 
1.0 OBJETIVOS 
 
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de: 
 
1. Verificar o funcionamento de um retificador de onda completa com dois diodos, tendo como 
gerador um transformador com tap-central. 
2. Verificar o funcionamento de um retificador de onda completa em ponte. 
3. Observar a tensão de barreira de potencial do diodo utilizado. 
4. Medir a tensão reversa máxima que ocorre sobre o(s) diodo(s) inversamente polarizado(s) e 
comparar com o valor teórico esperado para cada caso. 
5. Verificar o funcionamento de filtros capacitivos e medir a ondulação de saída (ripple). 
6. Observar o efeito da variação da corrente de carga sobre um circuito retificador com filtro 
capacitivo, sem regulador de tensão. 
 
 
2.0 DISCUSSÃO 
 
Os retificadores de onda completa são circuitos capazes de converter tensão e corrente alternadas 
em tensão e corrente contínuas de maneira mais eficiente que os retificadores de meia onda, por 
fornecerem uma tensão pulsada na saída com o dobro da freqüência do sinal de entrada, o que 
melhora as condições de filtragem. Dependendo da configuração utilizada (dois ou quatro diodos na 
retificação), a tensão reversa sobre os diodos polarizados reversamente pode ser maior ou menor, 
assim como a corrente nominal direta, o que deve ser cuidadosamente observado ao projetarem-se 
tais circuitos. A ondulação que pode ser observada sobre o nível DC após a filtragem é conhecida 
como ripple e depende da freqüência da entrada (e saída), do valor da capacitância e da corrente 
solicitada pela carga. Dependendo da corrente de carga, a tensão média de saída pode variar, devido 
ao aumento do ripple e devido às impedâncias envolvidas no circuito. 
 
 
3.0 PROCEDIMENTO 
 
RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, SEM FILTRO 
1. Coloque a placa EB-141 nas guias do bastidor e encaixe o conector. 
2. Localize o circuito que contém os diodos D1 e D2 e faça a montagem da Fig. 1. 
 
 
D1SGin
~
Amplificador T1
N1
N2
oscil.
Vout(+)
R21
10 Ω
R1
10kΩ
1N4003
+
C1
470 µF
25V
+/-20%
1N4003
D2
 
 
Fig. 1 – Circuito Retificador de Onda Completa com Tap 
 
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página 11 
3. Ligue o gerador de sinais ao osciloscópio e, antes de conectá-lo ao circuito, ajuste sua saída para 
um sinal de aproximadamente 4V pico a pico (4 Vpp ), com freqüência de 50Hz, forma de onda 
senoidal e com off-set igual a zero. 
4. Utilize o canal 1 do osciloscópio para medir a tensão de secundário N1 e reajuste o gerador para 
obter uma tensão VN1=14Vpp. ***** ATENÇÃO: entre anodo de D1 e terra ! ***** 
 
5. Utilize o canal 2 do osciloscópio para medir a tensão VN2 e anote junto com VN1 na Fig. 2; passe 
o canal 2 para medir a tensão de carga entre Vout(+) e terra. Os dois canais devem estar na mesma 
escala e com a mesma referência. 
6. Desenhe a forma de onda de tensão de saída do retificador na Fig. 2. 
 É possível observar a queda de tensão sobre D1 e sobre D2 ? Meça e apresente o valor da tensão 
reversa máxima nos diodos. Está coerente com o valor teórico esperado ? 
 
 
+7
-7
VN1, VN2, Vout [V]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
Fig. 2 – Formas de Onda de um Retificador Onda Completa com Tap 
 
RETIF. DE ONDA COMPLETA COM TRANSFORMADOR COM CENTER-TAP, COM FILTRO 
7. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando um jumper. 
8. Desenhe as formas de onda de tensão de entrada (VN1) e saída (Vout +) na Fig. 3 e meça o valor 
DC da saída. 
 
+7
-7
VN1, Vout [V]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
Fig. 3 – Formas de Ondas com Filtro Capacitivo 
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página 12 
9. Selecione o modo AC para o canal 2 e aumente a sensibilidade até poder observar a ondulação da 
tensão de saída (ripple). Desenhe o sinal observado na Figura 4 e meça o valor de pico a pico da 
ondulação (meça o lado da “descida” da onda triangular, que corresponde à descarga do capacitor). 
10. Calcule o valor teórico desta ondulação e compare com o valor medido. É coerente ? 
 
 
Vripple [mV]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
 
Fig. 4 - Forma de Onda da Tensão de Ripple para o Retificador de Onda Completa com Filtro 
 
 
11. Retorne o canal 2 para o modo DC e desligue o capacitor C1. 
12. Desligue o jumper que liga o tap central a R21. (Não se esqueça: O terra do osciloscópio é ligado 
ao terra da instalação elétrica!) 
 
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE 
13. Monte o circuito da Figura 5 e desenhe na Figura 6 a forma de onda de tensão de saída. 
 
*** ATENÇÃO: O JUMPER DO TAP CENTRAL ESTÁ ABERTO! *** 
 
14. Ligue o capacitor C1 em paralelo com R1 utilizando um jumper e desenhe a forma de onda de 
tensão de saída na Figura 7; com o multímetro, meça também o valor DC. 
15. Selecione o modo AC e aumente a sensibilidade até poder observar a ondulação da tensão de 
saída (ripple). Desenhe este sinal na Figura 8 e meça o valor de pico a pico da ondulação. 
16. Calcule o valor teórico desta ondulação e compare com o valor medido. É coerente ? 
 
 
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página 13 
 
SGin
~
Amplificador T1
N1
N2
oscil.
Vout(+)
R1
10kΩ
+
C1
470 µF
25V
+/-20%
D1 D2
D3 D4
 
 
 
Fig. 5 – Retificador de Onda Completa em Ponte, sem Filtro Capacitivo 
 
 
 
+14
Vout [V]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
 
Fig. 6 – Tensão de Saída de um Retificador de Onda Completa, em Ponte, sem Filtro 
 
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+14
Vout [V]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
Fig. 7 – Tensão de Saída de um Retificador de Onda Completa, em Ponte, com Filtro 
 
 
 
Vripple [mV]
 t [ms]
10 20 30 40
 
 
Fig. 8 – Forma de Onda da Tensão de Ripple para o Retificador em Ponte com Filtro 
 
17. Retorne o canal para o modo DC e desligue o capacitor C1. 
 
 
EFEITO DA CARGA SOBRE UM RETIFICADOR COM FILTRO, SEM REGULADOR 
 
18. Monte o circuito da Figura 9, e ajuste RV1 no sentidoanti-horário (corrente mínima). 
19. Meça, com o osciloscópio, o ripple de pico a pico e anote na tabela da Fig. 10. 
20. Preencha a tabela da Figura 10, desligando a carga para obter 0 mA. 
21. Desenhe o gráfico do ripple versus corrente de carga na Figura 11 e explique o que ocorreu. 
 
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página 15 
D1
SGin
~
Amplificador T1
N1
N2 R21
oscil.
10 Ω
R1
10kΩ
1N4003
+ C1
470 µF
25V
+/-20%
A
+ _
RV1
Carga
Eletrônica
in
 
 
 
Fig. 9 - Retificador de Meia Onda com Carga Variável 
 
 
 
I [mA] 
 
0 2.5 5 7.5 10 12.5 15 17.5 20 25 
Vripple 
[mVpp] 
 
 
Fig. 10 - Variação do Ripple com Carga Variável 
 
 
 
Vripple [mVpp]
5 10 15 20 25
 [mA]I L
160
320
480
640
 800
 
 
Fig. 11 - Tensão de Ripple em função da Corrente de Carga 
 
 
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS 
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA I” 
(página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ EM 
DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO. 
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página 16 
CIRCUITOS MULTIPLICADORES, LIMITADORES E GRAMPEADORES DE TENSÃO 
 
 
 
1.0 OBJETIVOS 
 
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de: 
 
1. Verificar o funcionamento de um circuito triplicador de tensão, observando a influência dos diversos 
parâmetros de circuito na forma de onda de saída. 
2. Verificar o funcionamento de um grampeador positivo e a influência da configuração do circuito na 
forma de onda de saída. 
3. Observar o funcionamento de circuitos limitadores de tensão. 
 
 
 
2.0 DISCUSSÃO 
 
Os multiplicadores de tensão são circuitos construídos com diodos e capacitores e que têm a 
capacidade de produzir em sua saída tensões contínuas que são múltiplas inteiras do valor de pico 
da tensão alternada de entrada. Como seu funcionamento depende da carga armazenada nos 
capacitores, seu desempenho é influenciado por de 3 principais fatores: o valor da capacitância, a 
freqüência do sinal de entrada e a solicitação de corrente por parte da carga. Estes fatores, aliados à 
queda de tensão direta nos diodos que compõem o circuito, determinam o valor CC da tensão de 
saída do multiplicador. Os multiplicadores são utilizados como fontes de alimentação de alta tensão e 
baixa corrente, pois uma alta corrente de carga faz com que os capacitores descarreguem-se mais 
rapidamente, gerando elevada ondulação (ripple) e conseqüente diminuição do valor médio da tensão 
de saída. 
Os limitadores de tensão (também conhecidos como ceifadores) são circuitos construídos com 
diodos e têm por função manter a tensão em sua saída dentro de limites pré-estabelecidos, conforme 
a sua configuração. Sua principal aplicação é proteção, a partir do condicionamento de sinais, 
garantindo que determinada carga não receberá tensões fora de uma determinada faixa de valores. 
Dependendo do arranjo dos componentes no circuito, pode-se limitar a tensão a um valor máximo, a 
um valor mínimo ou dentro de determinada faixa. 
Circuitos grampeadores têm como função deslocar a tensão alternada de entrada, adicionando ou 
subtraindo um valor CC à forma de onda alternada. São construídos com diodos e capacitores, e 
também tem seu funcionamento dependente da carga armazenada nos capacitores, o que limita a 
corrente a ser fornecida para o circuito de carga, de modo a garantir seu funcionamento adequado. 
 
 
 
3.0 PROCEDIMENTO 
 
CIRCUITO TRIPLICADOR DE TENSÃO 
1. Não é necessário inicializar o sistema e nem ligar a fonte principal da MB-U. 
2. Utilize o protoboard para montar o circuito do Triplicador de Tensão esquematizado na Figura 1 
observando os seguintes cuidados: 
 a) Seja organizado na sua montagem, para facilitar eventuais correções no circuito montado; 
 b) Evite entortar os terminais dos componentes, pois estes são frágeis podem se quebrar; 
 c) Aplique o sinal ao circuito somente quando tiver terminado a montagem e conferido todas 
as ligações. 
 
3. Ajuste o gerador de sinais para uma forma de onda senoidal de 1KHz com amplitude de 4Vp, offset 
zero, e aplique o sinal de entrada ao circuito usando o cabo BNC-jacaré. 
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~ 
Canal 2 
D1 
+ 
D2 
+ 
+ 
D3
C1 
C2
C3 
+ 
– 
1MΩ 
2,2µµµµF 
2,2µµµµF 2,2µµµµF 
Canal 1 
 
 
Fig. 1 – Triplicador de Tensão 
 
 
4. Com o multímetro meça a tensão DC de saída. Valor encontrado: _________________ . 
 
5. Utilizando o osciloscópio, observe e anote na Figura 2 as formas de onda de tensão de entrada e 
tensão de ripple na saída do circuito, lembrando-se de sempre utilizar a melhor escala de 
visualização do aparelho. Para melhor entendimento, indique também na figura a linha de referência 
para cada canal. 
 
Pergunta: O valor observado da tensão DC de saída é o esperado? Justifique a sua resposta 
apresentando os valores das tensões envolvidas. 
 
 
 
escala: _____ V/div 
escala horizontal: ______s/div 
Tensão de Entrada 
modo de acoplamento vertical: 
AC DC 
escala: _____ V/div 
Ripple de Saída 
modo de acoplamento vertical: 
AC DC 
 
 
Fig. 2 – Resultados do Triplicador com frequência 1kHz 
 
 
6. Altere a frequência do sinal de entrada para 100kHz. 
7. Com o multímetro meça a tensão DC de saída. Valor encontrado: _________________ . 
8. Utilizando-se do osciloscópio, observe e anote na figura 3 as formas de onda de tensão de entrada 
e tensão de ripple na saída. 
 
Pergunta: O que ocorreu com a tensão de saída e com o ripple? Explique o ocorrido. 
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escala: _____ V/div 
escala horizontal: ______s/div 
Tensão de Entrada 
modo de acoplamento vertical: 
AC DC 
escala: _____ V/div 
Ripple de Saída 
modo de acoplamento vertical: 
AC DC 
 
 
Fig. 3 – Resultados do Triplicador com freqüência 100kHz 
 
9. Experimente variar a frequência do sinal para mais e para menos e observe o comportamento do 
ripple. Explique o que está acontecendo. 
 
 
 
CIRCUITO GRAMPEADOR DE TENSÃO 
10. Monte agora o circuito Grampeador esquematizado na figura 4 observando os mesmos cuidados 
do item 2. 
11. Ajuste o gerador de sinais para uma forma de onda senoidal de 10KHz com amplitude de 3Vp, 
offset zero, e aplique o sinal de entrada ao circuito usando o cabo BNC-jacaré. 
 
 
 
 
~ 
Canal 2 
D1
+ 
C1 
+ 
– 
1MΩ 
10µF 
Canal 1 
 
 
Fig. 4 – Grampeador Positivo de Tensão 
 
 
12. Com o osciloscópio, verifique as tensões de entrada e saída do circuito e anote as formas de 
onda na figura 5, lembrando-se de sempre utilizar a melhor escala de visualização do aparelho. Para 
melhor entendimento, indique também na figura a linha de referência para cada canal. 
 
13. Desconecte o gerador do circuito, inverta o diodo e a polaridade do capacitor. Reconecte o 
gerador e anote as formas de onda de tensão na figura 6. 
 
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escala: _____ V/div 
escala horizontal: ______s/div 
Tensão de Entrada 
modo de acoplamento vertical: 
AC DC 
escala: _____ V/div 
Tensão de Saída 
modo de acoplamento vertical: 
AC DC 
 
 
Fig. 5 – Resultado do Grampeador Positivo de Tensão 
 
 
 
 
escala: _____ V/div 
escala horizontal: ______s/div 
Tensão de Entrada 
modo de acoplamento vertical: 
AC DC 
escala: _____ V/div 
Tensão de Saída 
modo de acoplamento vertical: 
AC DC 
 
 
Fig. 6– Resultado do Grampeador Negativo de Tensão 
 
 
Pergunta: Qual foi a diferença observada no funcionamento do circuito grampeador, após a alteração 
realizada? Qual o efeito da tensão de barreira de potencial do diodo no resultado 
observado? 
 
 
 
CIRCUITO LIMITADOR DE TENSÃO (CEIFADOR) 
14. Monte o circuito Limitador Positivo Polarizado (vide Figura 7) observando os mesmos cuidados do 
item 2. 
15. Aplique na entrada um sinal senoidal de 1KHz com amplitude de 6Vp, offset zero, usando o cabo 
BNC-jacaré. 
16. Ajuste a fonte PS-2 para zero e anote na figura 8 os sinais de tensão de entrada e de saída. 
17. Varie o valor da fonte PS-2 e observe o comportamento do sinal de saída. Explique e justifique a 
variação ocorrida. 
 
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~ 
Canal 2 
D1 
PS-2 
+ 
– 
1MΩ 
Canal 1 
1kΩ 
– 
 
 
Fig. 7 – Limitador de Tensão 
 
 
 
 
escala: _____ V/div 
escala horizontal: ______s/div 
Tensão de Entrada 
modo de acoplamento vertical: 
AC DC 
escala: _____ V/div 
Tensão de Saída 
modo de acoplamento vertical: 
AC DC 
 
 
 
Fig. 8 – Resultado do Limitador Positivo Polarizado 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS 
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA 
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ 
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO. 
 
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REGULADOR A DIODO ZENER 
 
1.0 OBJETIVOS 
 
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de: 
 
1. Traçar a curva característica de um diodo zener. 
2. Determinar a tensão de ruptura (tensão nominal do Zener) a partir de valores medidos, após 
plotagem da curva característica. 
3. Observar o funcionamento de um circuito regulador de tensão a diodo Zener. 
4. Determinar a regulação de tensão experimentalmente. 
 
 
2.0 DISCUSSÃO 
 
Os diodos zener são diodos especialmente projetados para funcionamento em sua região de ruptura, 
sendo também conhecidos como diodos de avalanche controlada e, portanto, construídos para 
trabalhar com polarização reversa. Em um diodo reversamente polarizado, a corrente verificada na 
junção é de portadores minoritários, sendo normalmente bastante baixa. Conforme aumenta-se a 
tensão reversa aplicada, ocorre a ruptura, e a corrente reversa aumenta rapidamente. Nos diodos 
Zener, após a ruptura, a tensão nos terminais pouco se altera, sendo porisso, utilizados para produzir 
tensões de referência e em circuitos reguladores de tensão. 
 
 
3.0 PROCEDIMENTO 
 
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ZENER 
1. Coloque a placa EB-111 (código 815*017*) nas guias do bastidor e encaixe o conector. Inicialize o 
sistema e digite "∗" até mudar o indicador de experiências para 10. 
2. Localize o circuito que contém o diodo D3 e faça a montagem da Fig. 1. 
 
PS-1 + 
R6 
RV2 D3 
oscil. 
R7 
Vz 
canal 1 
V 
A 
+ 
150Ω 
 
 
Fig. 1 – Circuito de Polarização do Diodo Zener 
 
 
3. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 11. 
4. Ajuste PS-1 para obter as tensões de entrada da figura 2, iniciando com Ventrada = 0V. 
OBS: Utilize a melhor escala possível de sensibilidade do osciloscópio, para não comprometer a 
precisão das medidas. 
5. Meça a tensão Vz nos terminais de D3 e registre os resultados na tabela da figura 2, para todos os 
valores de Ventrada. 
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6. Complete a tabela da figura 2 e trace a curva característica V-I do diodo Zener na figura 3. 
 
Ventrada [V] 
 
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 
Vz [V] 
 
 
Iz [mA] 
 
 
 
Fig.2 - Tensões e Correntes no Zener 
 
 
10
Iz [mA]
 Vz [V]
20
30
40
50
1 2 3 4 5 6 7 
 
Fig. 3 - Característica V-I do Diodo Zener 
 
 
 
MEDIDAS DE REGULAÇÃO DE TENSÃO 
7. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 12. 
8. Ajuste a resistência R = (R7 + RV2) para 800Ω utilizando-se do ohmímetro. 
9. Desconecte o ohmímetro e faça a ligação entre D3 e R7 utilizando-se de um jumper. 
10. Com Ventrada (PS-1) = 5V, meça a tensão Vz nos terminais da carga e anote o resultado na 
tabela da figura 4. Varie a tensão de entrada conforme a tabela e complete a linha de resultados para 
R=800Ω. 
 
Ventrada [V] 5 6 7 8 9 10 
Vz (R=800ΩΩΩΩ) [V] 
Vz (R=500ΩΩΩΩ) [V] 
Vz (R=200ΩΩΩΩ) [V] 
Vz (R=_____ΩΩΩΩ) [V] 
REGULAÇÃO (%) 
 
Fig. 4 - Regulação de Tensão e Carga 
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11. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 13. 
12. Repita a experiência para os demais valores de resistências indicadas na tabela, e no último 
caso, para a menor resistência possível, anotando o valor da mesma, e anote as tensões obtidas 
para cada caso. 
13. Calcule a regulação e complete a tabela, utilizando a seguinte expressão: 
 
%100x
)800R(V
)R(V)800R(V min
Ω
Ω
=
−=
 
 
14. Trace a curva de Regulação de Tensão versus Tensão de Entrada na Figura 5, e trace as curvas 
de Tensão na Saída versus Tensão de Entrada na Figura 6, para os quatro valores de carga 
experimentados (todos no mesmo gráfico). 
 
 
Regulação [%]
 Ventrada [V]
5 6 7 8 9 10 
 
Fig. 5 – Regulação de Tensão X Tensão de Entrada 
 
Vsaída [V]
 Ventrada [V]
5 6 7 8 9 10 
 
Fig. 6 – Tensão de Saída X Tensão de Entrada 
 
 
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Analise os gráficos traçados e conclua se o comportamento do circuito quanto à regulação de tensão 
é o esperado. Por que ? 
E quanto à regulação de carga, a variação da tensão de saída é a esperada? Por que ? 
 
 
 
MODO DE PRÁTICA 
15. Digite "∗" para mudar o indicador de experiência para 14. Introduza o modo de prática conforme 
descrito na folha de Informações Gerais - Parte B, e selecione o código de falha número 7. (X=7). 
16. Repita a etapa de regulação de carga (passos 8, 9 e 10) para R = (R7 + RV2) = 800Ω. Anote os 
resultados na tabelada Figura 7. 
 
Ventrada [V] 
 
5 6 7 8 9 10 
Vz (R=800Ω) [V] 
 
 
 
Fig. 7 - Regulação da Carga - Modo Prática 
 
 
 
17. Compare os valores do modo prática com os valores do modo experimental e tente explicar as 
diferenças observadas. 
 
O circuito continua atuando como um regulador de tensão ? Que tipo de dispositivo foi acrescentado 
ao circuito ? Em que ponto ? Tente calcular o valor do componente acrescentado. 
 
 
18. Siga as instruções da folha de Informações Gerais, retorne ao modo de experiência e encerre sua 
sessão de laboratório digitando # 3 * 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS 
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA 
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ 
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO. 
 
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CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR BIPOLAR 
 
1.0 OBJETIVOS 
 
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de: 
 
1. Traçar as curvas características de um transistor bipolar a partir de valores medidos. 
2. Determinar o valor do ganho de corrente CC ( β ). 
3. Observar o funcionamento de um circuito em emissor comum como fonte de corrente constante. 
4. Identificar as regiões ativa, de saturação e de corte, na família de curvas características. 
5. Determinar o ganho de corrente CC ( β ) a partir da família de curvas de saída. 
 
 
2.0 DISCUSSÃO 
 
 O ganho de corrente CC ( β ) de um transistor bipolar conectado na configuração emissor 
comum pode ser determinado a partir dos valores medidos de corrente de coletor e de corrente de 
base (entrada, saída) a partir da seguinte expressão: 
 
 β = Ic / Ib 
 
 Para um transistor ideal, β pode ser representado por um valor constante, mas na prática, o 
valor de β é bastante variável, dependendo principalmente da temperatura da junção e da corrente de 
base. As características de saída de um transistor (curvas de coletor) mostram a relação entre a 
corrente de coletor e a tensão coletor-emissor e são usualmente representadas pelo conjunto das 
curvas para diferentes correntes de base. 
 
 
3.0 PROCEDIMENTO 
 
CARACTERÍSTICAS DA JUNÇÃO BASE-EMISSOR 
1. Coloque a placa EB-111 nas guias do bastidor e encaixe o conector. 
2. Localize o circuito que contém o transistor Q1 e faça a montagem ilustrada na Fig. 1, observando 
cuidadosamente a ligação do amperímetro ao circuito. 
 
 
5 V
+
R4 RV1
R5
A µ
+
PS-1
+
Q1
V 
+
 
 
Fig. 1 - Características de Entrada do Transistor Bipolar 
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3. Ajuste RV1 para obter as diversas correntes de base conforme a tabela da figura 2. 
4. Para cada valor de corrente de base, meça a tensão entre base e emissor e registre os resultados. 
 
Ibase [µA] 
(desejada) 
5-10 16-25 30-50 60-100 120-200 
Ibase [µA] 
(real) 
 
VBE [V] 
 
 
 
Fig. 2 – Características da Junção Base-Emissor 
 
 
5. Trace o gráfico da corrente de base versus tensão base-emissor na figura 3. 
 
40
 V [V]
80
120
160
200
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 BE
I [ A]
B
µ 
 
 
Fig. 3 - Característica V-I da Junção Base-Emissor 
 
 
Analise os resultados obtidos e conclua se o comportamento é o esperado. Discuta os resultados 
obtidos. 
 
 
GANHO DE CORRENTE 
6. Conecte o circuito ilustrado na figura 5 e ajuste a tensão PS-1 para 10V. 
7. Varie a corrente de base através do potenciômetro RV1, para os valores mostrados na tabela da 
fig. 4. 
 
 
IB [µA] 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 
IC [mA] 
 
β = Ic / Ib 
 
 
Fig. 4 - Valores para Ganho de Corrente CC 
 
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5 V
+ 
R4 RV1
R5
A µ 
+ 
PS-1 
+ 
Q1 mA 
+
 
 
Fig. 5 – Circuito para Medidas de Ganho de Corrente CC 
 
 
8. Calcule o valor do ganho de corrente β a partir dos resultados registrados na figura 4. 
 
Por que o valor de βCC varia durante a experiência? 
 
 
 
O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE 
 
9. Utilizando o mesmo circuito da experiência anterior (figura 5), ajuste a tensão de PS-1 para 2V, 
medindo com o osciloscópio, e ajuste RV1 de modo a obter uma corrente de coletor de 2mA. 
10. Altere o valor de PS-1 de acordo com os valores da tabela da figura 6 e anote as diferentes 
correntes de coletor obtidas. 
 
 
PS-1 
[V] 
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 
IC 
[mA] 
 
 
Fig. 6 – Medidas para o transistor como Fonte de Corrente 
 
 
Pergunta-se: A corrente de coletor variou? Por que? Qual deveria ser o comportamento esperado? 
 
 
 
 
 
 
 
CARACTERÍSTICAS DE SAÍDA 
 
11. Monte o circuito esquematizado na figura 7. Observe que é o mesmo circuito anterior, bastando 
curtocircuitar o resistor R5 utilizando-se de um jumper ou um cabo apropriado. 
 
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5 V
+
R4RV1
R5
mA
+
PS-1
+
Q1
+
Aµ
osciloscópio
+
 
 
Fig. 7 – Levantamento das Características de Saída 
 
 
12. Ajuste RV1 para obter corrente de 10µA na base e ajuste PS-1 de modo a obter 0.5V ; meça o 
valor da corrente de coletor com o amperímetro e anote na tabela da figura 8. 
13. Mude o valor de PS-1 de modo a obter todos os valores de VCE listados na tabela da figura 8. 
Para cada tensão VCE , anote o valor da corrente de coletor correspondente. 
 
Obs: NÃO altere a resistência RV1 durante as medidas. Preencha a tabela por colunas, não por linhas. 
 
IB [µA] 10 20 50 80 100 
VCE [V] IC [mA] 
0.5 
 
 
1 
 
 
2 
 
 
4 
 
 
6 
 
 
8 
 
 
10 
 
 
 
Fig. 8 – Dados para Levantamento das Características de Saída 
 
 
14. Trace na figura 9 a família de curvas de IC versus VCE para IB constante. Trace uma curva para 
cada valor de corrente de base, construindo o conjunto de curvas de coletor para o transistor. 
15. Identifique as regiões de corte, saturação e ativa no gráfico construído. 
 
É possível observar a região de ruptura? 
 
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 V [V]
CE
I [ mA]
C
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
5
10
15
20
 
 
Fig.9 – Curvas de Coletor 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS 
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA 
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ 
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO. 
 
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AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO BÁSICO 
 
 
1.0 OBJETIVOS 
 
Após completar estas atividades de laboratório, você será capaz de: 
 
1. Projetar um amplificador emissor-comum e montá-lo em protoboard. 
2. Medir as tensões e correntes de polarização e comparar com os cálculos realizados. 
3. Calcular o ganho de tensão teórico. Medir o ganho de tensão experimental e comparar. 
4. Variar o ponto de polarização (para o corte e para a saturação) e verificar as distorções que 
ocorrem no sinal de saída amplificado. 
5. Avaliar o efeito do capacitor de derivação de emissor no ganho de tensão. 
 
 
2.0 DISCUSSÃO 
 
 Para que um amplificador transistorizado funcione adequadamente é necessário escolher-se 
um ponto de operação próximo ao meio da reta de carga CC. Para isto, o valor da tensão VCE 
quiescente deve ser aproximadamente igual à metade da tensão de alimentação total do circuito, a 
fim de permitir a geração de um sinal CA simétrico na saída do amplificador. Quando esta condição 
não é atendida, o transistor poderá estar trabalhando próximo à sua região de corte ou à sua região 
de saturação, causando distorção do sinal de saída por ceifamento. 
 Um amplificador emissor-comum (EC) tem como característica principal o alto ganho de 
tensão e a fase de saída invertida em relação à entrada. 
 O capacitor de derivação de emissor tem por função fornecer um terra CA ao emissor, 
reduzindo a linearização do circuito e aumentando o ganho de tensão, sem interferir nos valores de 
polarização CC previamente estabelecidos. 
 
 
3.0 PROCEDIMENTO 
 
1. Projete um amplificador EC utilizando o transistor 2N2222A (βmín = 75). Ajuste o ponto quiescente 
próximo ao meio da reta de carga CC. Utilize Vcc = 12V e corrente de coletor ≅ 2mA. 
2. Monte, utilizando um protoboard, o circuito projetado, conforme ilustra a Figura 2. 
3. Meça, utilizando o multímetro, os valores das tensões CC. Anote os resultados na tabela da Fig. 1 
e compare-os com os valores teóricos esperados. Discutir os resultados. 
 
 
VCC [V] VB [V] VE [V] VC [V] VCE [V] 
 
 
 
 
Fig. 1 – Medidas das Tensões de Polarização 
 
 
4.Com o gerador de sinais, aplique uma tensão senoidal na entrada, com frequência 1kHz. 
5. Utilizando o osciloscópio, verifique a tensão de saída, anotando as formas de onda observadas na 
Figura 3. 
6. Calcule o ganho experimental. Compare os valores teórico e experimental. Discutir os resultados 
observados. 
7. Variar o ponto de polarização variando o valor de R2. Observe as distorções que ocorrem devido 
ao corte e à saturação. 
8. Desligue e reconecte o capacitor de derivação e observe o que ocorre com o ganho. 
9. Antes de encerrar o seu experimento, apresente ao professor os cálculos e os resultados. 
 
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 R1 Rc 
R2 
1kΩ RE 
 
 Vcc 
 
B 
C 
E 
+ 
+ 
 
 
Fig. 2 – Amplificador EC com Circuito de Polarização Universal 
 
 
 
 
 
 
 
Fig. 3 – Formas de Onda de Amplificação CA 
 
 
 
 
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS 
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA 
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CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES JFET 
 
 
1.0 OBJETIVOS 
 
Após completar estas atividades de laboratório, o aluno deverá ser capaz de: 
 
1. Traçar as curvas características de dreno e de transferência a partir de valores medidos. 
2. Determinar a resistência de canal. 
3. Ligar o JFET como uma resistência variável. 
 
 
2.0 DISCUSSÃO 
 
O FET é conhecido como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um 
tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo do FET, de canal n ou de canal p. O nome 
“efeito de campo” decorre do fato que o mecanismo de controle do componente é baseado no campo 
elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle. O Transistor JFET recebe este 
nome porque é um transistor FET de Junção. 
 
 
CONSTRUÇÃO 
 
 
SÍMBOLO 
 
DRENO
PORTA
FONTE
p p
n
n
 
 
 
 
D
G
S
(gate)
(drain)
(source)
V
DG
+
_
V
GS
+
_
V
DS
+
_
 
 
Fig. 1 – O transistor JFET 
 
 
A figura 1 apresenta um JFET de canal n (existe também o JFET de canal p). Seu diagrama 
construtivo simplificado representa uma “barra” de silício semicondutor tipo n (semicondutor dopado 
com impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas regiões tipo p. O JFET da figura 1 tem as 
seguintes partes constituintes: 
 
FONTE: (source) fornece os elétrons livres, 
DRENO: (drain) drena os elétrons, 
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos elétrons entre a fonte e o dreno. 
As regiões p da porta são interligadas eletricamente. 
 
 
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Ainda observando a figura 1, a seta apontando para dentro representa uma junção pn de um diodo. 
 
O JFET de canal p tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal n, porém seu símbolo 
apresenta a seta em sentido contrário, e as correntes e tensões são consideradas invertidas em 
relação ao JFET de canal n. 
 
 
CARACTERÍSTICAS MAIS IMPORTANTES DO JFET 
 
Controle por Tensão: a corrente entre o dreno e a fonte é controlada pela tensão aplicada na porta, 
em contraste com o transistor BJT, cuja corrente de coletor é controlada pela corrente de base. 
 
Alta Impedância de Entrada: para que seja possível o controle de corrente do canal n é necessário 
que se produza uma polarização reversa das junções da porta, provocando desta forma um aumento 
na região de depleção destas junções e em decorrência disto um estreitamento do canal; com isto, 
tem-se baixas correntes de porta, e conseqüentemente, alta impedância. 
 
Curvas Características: o comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e 
de transcondutânica. 
 
Outras Características: os transistores JFET apresentam menores ganhos em relação aos transistores 
BJT e em decorrência disto têm maior estabilidade térmica; geometricamente, os JFET têm 
dimensões menores quando comparados com os transistores BJT. 
 
 
POLARIZAÇÃO DO JFET 
 
 
 
p
p nn
+
V
DD
+
V
GG
D
G
S
G
Regiões de
Depleção
 
 
 
 
 
 
 
 
+
+
V
GG
V
DD
 
Fig. 2 – Polarização do JFET 
 
 
A figura 2 apresenta o circuito de polarização de um transistor JFET de canal n. Observa-se que para 
que seja possível o controle da corrente de dreno são necessárias as seguintes condições: 
 
VDD > 0 
 
VGG < 0 
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O fluxo de elétrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto é, polarização reversa na 
porta causa aumento das regiões de depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando desta 
forma apassagem da corrente entre o dreno e a fonte (é uma região de íons, formada pela difusão 
pela junção). Desta forma temos as seguintes condições: 
 
a) LARGURA DO CANAL: depende da tensão VGG, isto é, quanto mais negativa, maior será a região 
de depleção e portanto, mais estreito o canal. 
 
 b) TENSÃO DE CORTE (VGS): é a tensão suficiente para desaparecer o canal (VGScorte) 
também conhecida como Tensão de Deslocamente (pinch-off). 
 
 c) CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a junção da porta opera em polarização reversa, 
tem-se uma corrente baixa; desta forma, a CORRENTE DE DRENO é igual à CORRENTE DA FONTE 
(ID). Esta é a causa da alta impedância de entrada dos JFET. 
 
OBS: Como a polarização reversa entre a porta e a fonte (VGS) não consome corrente e a largura do 
canal depende de VGS, o controle de ID é efetivamente feito pela tensão da porta. 
 
 
CURVAS DE DRENO 
 
 
VGS = -4VGS = -3
VGS = -1
VGS = 0
VGS = -2
V DS
ID
15 30
0.625mA
2.5mA
5.62mA
10mA
4
Idss=
Parábola
I =kVd
2
Vp
 
 
 
Fig. 3 - Curvas de Dreno do JFET 
 
 
A figura 03 apresenta as curvas de dreno de um JFET tipo n. Observa-se que estas características 
são semelhantes às características de um transistor BJT, apresentando as regiões de saturação, 
ruptura, e região ativa. Observa-se também que, nestas características, a região entre VDS = 0 e VDS = 
4V apresenta um comportamento linear (região ôhmica) e que a partir de Vp a resistência aumenta. 
Para VGS = 0 (porta em curto) e uma tensão VDS = Vp a corrente de dreno assume o valor IDSS, que é a 
máxima corrente de dreno (drain-source short circuit current). 
Observa-se que há uma semelhança entre as características de dreno do transistor JFET com as 
características de coletor de um transistor BJT. 
Nota-se uma região de saturação, compreendida entre VDS = 0 e VDS = Vp. 
Há uma equivalência entre corrente de dreno no JFET e corrente de coletor do BJT, bem como entre 
a tensão dreno-fonte do JFET e a tensão coletor-emissor do BJT. 
 
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A região de saturação do JFET também é conhecida como REGIÃO ÔHMICA, pois nesta região a 
resistência entre dreno e fonte é dependente da tensão de controle da porta. Daí o fato dos 
transistores FET poderem ser utilizados em circuitos onde se necessita o controle de resistência 
através de tensão. 
Uma característica importante do transistor FET é que este apresenta uma tensão VGS de corte igual 
a tensão Vp (máxima na saturação). 
 
 
CURVAS DE TRANSCONDUTÂNCIA 
 
 A curva de transcondutância relaciona a corrente de saída com a tensão de entrada de um 
JFET. Através da Equação de Schokley relaciona-se a corrente ID com a tensão VGS, segundo uma 
relação quadrática: 
 
I I
V
V
D DSS
GS
GS corte
= −








1
2
( )
 
 
 
 Como o JFET apresenta uma relação quadrática entre a corrente de dreno-fonte e a tensão 
de controle VGS, diz-se que este dispositivo é um dispositivo de Lei Quadrática. 
 
 
VGS
ID
IDss
VGS(corte)
arco de parábola
 
 
 
Fig. 4 - Curva de Transcondutância 
 
 
 
 Na região ôhmica, o JFET apresenta a seguinte relação para a sua resistência de canal: 
r
r
V
V
D
o
GS
p
=
+








1
 
 
 
 Idmax = KV
2, onde K é uma constante especificada pelo fabricante. 
 
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3.0 PROCEDIMENTO 
 
 
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema. 
2. Execute os passos contidos na folha de Informações Gerais para entrar no Modo de Experiência. 
3. Localize o circuito da figura 5 na placa de circuito impresso e faça as ligações indicadas. 
 
A
(+) PS-1
PS-2
R4
Vgs
osciloscópio
Vds
Q1
Vo1
+
osciloscópio
1 MΩ
D
S
G
Ids
+
 
Fig. 5 – Circuito com JFET 
 
 
CURVAS DE DRENO 
4. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 2. 
5. Ajuste Vgs = 0 através de PS-2. Varie Vds ajustando PS-1 para obter tensões de acordo com a 
figura 6. Meça e registre os valores das tensões e correntes para cada caso. 
 
PRESTE ATENÇÃO: Mudanças na escala do amperímetro afetam as medidas e ajustes! Se mudar a 
escala do amperímetro, refaça o ajuste de Vds. Usar o osciloscópio no modo HF Rej. 
Levantar os dados para uma curva de Vgs de cada vez. Aterrar Vin2 para evitar ruídos. 
 
Vds[V] 0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5 10 
Vgs[V] Id[mA] 
0 
-0.25 
-0.5 
-1.0 
-3.0 
 
Fig. 6 – Características do Dreno 
 
 
6. Repita o passo anterior para todos os valores de Vgs da tabela e complete-a. 
7. Em seguida, trace as Curvas Características de Dreno (conforme sugestão na figura 7), a partir dos 
valores medidos e responda: 
 
 Quais são os valores de Idss e Vp (quando Vgs = 0 ) ? 
 
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I [mA]D
V
DS [V]0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 
 
Fig. 7 – Curvas Características de Dreno 
 
 
 
 
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERÊNCIA 
 
8. Usando os resultados obtidos na figura 6, registre as variações da corrente de dreno Id com a 
variação na tensão de porta Vgs, para três tensões Vds diferentes, conforme indicado na figura 8. 
 
 
 
Vgs[V] 0 -0.25 -0.5 -1.0 -3.0 
Vds[V] Id[mA] 
0.1 
1 
10 
 
Fig. 8 – Características de Transferência 
 
 
 
9. Trace as Curvas Características de Transferência conforme sugestão na figura 9. 
 
I [mA]
D
V
GS
[V]
0.5
1.0
1.5
2.0
-0.5-1-1.5-2-2.5-3 
 
Fig. 9 – Curvas Características da Transferência 
 
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RESISTÊNCIA DO CANAL (Rds) 
10. Retorne as fontes PS-1 e PS-2 aos seus valores mínimos (zerar as fontes). Monte o circuito de 
teste da figura 10. Obs: Neste circuito, a fonte PS-1 precisa ser ligada com fio. Use o voltímetro na 
menor escala. 
 
V
R4
Vds
Q1
Vo1R3
(+)PS-1
Vin1
 
 
Fig. 10 – Circuito Para Medida de Resistência "ON" 
 
11. Digite "∗" para mudar o contador de experiências para 3. 
12. Ajuste a fonte PS-1 inicialmente para 1V (meça com o voltímetro diretamente em Vin1). 
13. Meça a tensão Vds para as duas situações indicadas na figura 11 e calcule o valor da resistência 
de canal Rds(on) em Ohms, para cada caso, considerando-se que R3 vale 10kΩ. Houve alteração no 
valor de Rds(on) ? Por que Vds tem que ser baixo ? 
 
 
Vds [mV] PS-1 [V] Rds(on) [Ω] 
 1 
 2 
 
Fig. 11 – Medidas de Resistência do Canal 
 
 
O FET COMO RESISTÊNCIA VARIÁVEL (ATENUADOR) 
14. Digite "∗" para mudar o contador de experiências para 4. 
15. Retorne as fontes PS-1 e PS-2 aos seus valores mínimos (zerar as fontes) e faça as ligações do 
circuito da figura 12. O circuito é um divisor resistivo R3-Rds, observe ! 
16. Ajuste Vgs para 0V e aterre a entrada Vin2 . 
17. Ajuste a freqüência do gerador de sinais para 1kHz e sua amplitude para 200mVp-p com uma 
componente contínua de 100mV, comomostra a Fig. 13. (osciloscópio em DC) 
18. Meça a tensão dreno-fonte Vds e anote os valores de pico-a-pico na Figura 10. Meça e registre o 
valor da tensão de entrada Vin1 ao mesmo tempo. Varie Vgs de acordo com a tabela da Fig. 14 e 
complete-a. 
 
Responda: As mudanças em Vds são lineares ? Por que ? 
 
Obs: Rds é diferente para cada Vgs. 
 
19. Aumente Vent para 3Vp-p com uma componente contínua de 1,5V. Varie o valor de Vgs entre 0V 
para –5V e observe as mudanças em Vds. 
Responda: Há distorções ? Explique as causas. 
)1(
.
)( 3
VdsPS
VdsR
Id
Vds
onRds
−
==
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20. Encerre, digitando # 3 * . 
 
 
Q1
Vo1R3Vin1
Vds
osciloscópio
PS-2
R4
+
V
Vgs
osciloscópio
gerador
~
10k
1M
 
 
Fig. 12 – O FET como Atenuador 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Fig. 13 – Forma de Onda do Sinal de Entrada 
 
 
 
Vgs [V] Vds [mVpp] Vin1 [mVpp] 
0 
-0.5 
-1.0 
-1.5 
-2.0 
-5.0 
 
Fig. 14 – Medidas de Atenuação 
100 
200 
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CIRCUITO AMPLIFICADOR COM JFET 
 
 
1.0 OBJETIVOS 
 
Após completar estas atividades de laboratório, o aluno deverá ser capaz de: 
 
1. Medir os valores CC no circuito amplificador com JFET. 
2. Determinar a resposta em freqüência experimental do amplificador com JFET. 
3. Verificar como as mudanças no resistor de carga alteram o valor do ganho de tensão. 
 
 
2.0 DISCUSSÃO 
 
De maneira análoga ao que ocorre com os transistores bipolares de junção (BJT), nos transistores de 
efeito de campo de junção (JFET), o sinal de saída é invertido em relação ao sinal de entrada, e para 
o seu funcionamento é necessária a polarização CC. 
Ainda de maneira análoga, com o JFET é possível construir-se amplificadores Fonte-Comum, Dreno-
Comum, associar estágios em cascata e montar circuitos muito parecidos com aqueles construídos 
com o BJT. 
O amplificador FET tem menor ganho e impedância mais alta que os amplficadores similares com 
BJT, além de ser menos sensível à radiação e gerar menos ruído. 
 
 
3.0 PROCEDIMENTO 
 
 
TENSÕES DE POLARIZAÇÃO 
1. Coloque a placa EB-112 nas guias do bastidor, encaixe o conector e ligue o sistema. 
2. Execute os passos contidos na folha de Informações Gerais para entrar no Modo de Experiência. 
3. Localize o circuito da figura 1 na placa de circuito impresso e faça as ligações indicadas. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Fig. 1 – Polarização do Amplificador Fonte Comum (SC) 
 
 
4. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 6. 
5. Ajuste Vdd ajustando a fonte PS-1 para +12V. (utilize o voltímetro). 
 
(+) PS-1 
 
 (VDD) 
R4 V
Q1 
Vo1 
1 MΩ 
D 
S 
G 
RV1 
C3 
R1 
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OBS.: Se não for possível ajustar a fonte PS-1 para 12V, ajustar para o maior valor possível. Anote o 
resultado na tabela da Figura 2. 
 
6. Ajuste RV1 de modo que a tensão VD (medida no multímetro) seja 6V (ou aproximadamente a 
metade da tensão Vdd ajustada, caso esta não tenha sido +12V). 
ATENÇÃO: Após ajustar RV1, cuidado para não encostar no botão do potenciômetro, pois este 
desajusta-se com facilidade. 
7. Meça as demais tensões de polarização do JFET e registre na tabela da Figura 2. 
 
VDD [V] VS [V] VD [V] VGS [V] 
 
 
Fig. 2 – Tensões de Polarização do Amplificador SC 
 
 
 
RESPOSTA EM FREQÜÊNCIA 
8. Retire o voltímetro do circuito. Para verificar o funcionamento do amplificador SC, acrescente o 
gerador de sinais e os 2 canais do osciloscópio, conforme esquema na figura 3. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Fig. 3 – Amplificador Fonte Comum (SC) 
 
 
9. Ajuste o gerador de sinais para um sinal senoidal de 1kHz e amplitude de 200mVpp (medir no 
GATE). 
10. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 7. 
11. Meça as tensões de entrada e saída e registre-as na tabela da Figura 4. 
(+) PS-1 
R4 
VIN 
VOUT 
Q1 Vo2 
1MΩ 
D 
S 
G 
RV1 
C3 
R1=RL=10kΩ
~
Gerador 
 de 
Sinais 
VIN2 C2 
C1 
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12. Varie a freqüência do gerador de sinais de acordo com os valores da tabela da figura 4; registre 
os valores de tensão de saída, conferindo sempre se a tensão de entrada e corrigindo-a, se 
necessário. 
13. Calcule o ganho de tensão Av = Vout/Vin e complete a tabela. 
 
 
f [kHz] VIN [mVpp] VOUT [Vpp] Av 
0,1 200 
1 200 
5 200 
10 200 
20 200 
30 200 
50 200 
70 200 
100 200 
 
 
Fig. 4 – Variação do Ganho com a Freqüência para o Amplificador SC 
 
 
14. Esboce o gráfico da resposta em freqûência para o amplificador SC sob análise na Figura 5. 
 
 
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
 
 
Fig. 5 – Resposta em Freqüência para o Amplificador SC 
 
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 Usando o valor da transcondutância encontrado na experiência anterior, calcule o ganho 
usando a expressão Av = gm.R1 e compare com os resultados experimentais obtidos. São próximos? 
São coerentes? 
 
 
EFEITO DA VARIAÇÃO DE CARGA 
15. Utilizando-se do mesmo circuito anterior, retorne a freqüência do gerador para 1kHz. 
16. Digite "∗" para mudar o indicador de experiências para 8. 
17. Meça e registre na tabela da Figura 6 os valores de Vin e Vout para RL=R1. 
18. Altere o valor da carga para RL=R2 e meça novamente os valores de Vin e Vout, registrando-os 
na tabela da Figura 6. 
19. Calcule o ganho de tensão Av para ambos os casos e registre-os na tabela da Figura 6. 
 
 
RL VIN [mVpp] VOUT [Vpp] Av 
R1=10 kΩΩΩΩ 
R2=2.2 kΩΩΩΩ 
 
Fig. 6 – Efeito da Variação da Carga sobre o Ganho de Tensão no Amplificador SC 
 
 
 Usando o valor da transcondutância encontrado na experiência anterior, calcule o ganho 
usando a expressão Av = gm.R1 e compare com os resultados experimentais obtidos. Comente. 
 
 
20. Encerre, digitando # 3 * . 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ATENÇÃO: APÓS A EXPERIÊNCIA, ORGANIZE SUA BANCADA CONFORME AS “NORMAS 
DE UTILIZAÇÃO DO LABORATÓRIO DIDÁTICO PELOS ALUNOS DE ELETRÔNICA 
I” (página iii desta apostila). BANCADA EM DESACORDO COM AS NORMAS ACARRETARÁ 
EM DIMINUIÇÃO DA NOTA DE LABORATÓRIO, CONFORME PREVISTO. 
 
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CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR MOSFET 
 
1.0 OBJETIVOS 
 
Após completar estas atividades de laboratório, o aluno deverá ser capaz de: 
1. Traçar as curvas características do MOSFET a partir de valores medidos. 
2.