Baixe o app para aproveitar ainda mais
Prévia do material em texto
Avaliação: CCE0252_AV1_ » MATERIAIS ELÉTRICOS Tipo de Avaliação: AV1 Aluno: Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9001/A Nota da Prova: 4,0 de 8,0 Nota do Trabalho: Nota de Participação: 2 Data: 11/04/2013 20:30:43 1a Questão (Cód.: 86555) Pontos: 0,5 / 0,5 Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm? Condutividade Resistividade Indutância Condutância Resistência 2a Questão (Cód.: 160289) Pontos: 0,0 / 1,0 Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 3a Questão (Cód.: 8310) Pontos: 0,0 / 0,5 A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm 2 . Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20 o C e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10 -8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80 o C (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10 - 3 o C -1 ). 3,4 Ω 4,35 Ω 6,8 Ω 3,89 Ω 4,19 Ω 4a Questão (Cód.: 160204) Pontos: 1,0 / 1,0 Entre as diversas propriedades físicas associadas ao comportamento elétrico de um material, existe a resistividade, que é uma propriedade física intensiva, ou seja, não depende da geometria e nem da quantidade de massa apresentada pelo material. Matematicamente, a resistividade, , está relacionada a resistência R do material através da relação = R.A/l, onde A é a área da seção reta e l é o comprimento do material condutor, como ilustrado na figura a seguir. Considerando-se que houve necessidade de estirar (esticar) o condutor, o que triplicou o seu comprimento e reduziu a sua área a um quarto da original, assinale entre as respostas a seguir aquela que melhor representa a nova resistência do condutor em função da resistência anterior R. 8R. 0,75R. 0,67R. 12R. 2,5R. 5a Questão (Cód.: 99577) Pontos: 0,5 / 0,5 Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,38 mm2. 347,4 mili ohms 399,9 mili ohms 376,38 mili ohms 384,2 mili ohms 354,6 mili ohms 6a Questão (Cód.: 98327) Pontos: 0,0 / 1,0 Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m. 6,4 V 120 mV 64 mV 1,2 V 640 mV 7a Questão (Cód.: 160210) Pontos: 1,0 / 1,0 Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3) Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação: V=R.i V=R i.A/l F=m.a V=N.i.E P=U.i 8a Questão (Cód.: 160235) Pontos: 0,0 / 1,0 A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática. Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais. A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n. Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga. Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material. Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron. Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material. 9a Questão (Cód.: 160244) Pontos: 0,0 / 0,5 A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e ao constantes. Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura. Elipse. Círculo. Hipérbole. Reta. Parábola. 10a Questão (Cód.: 160292) Pontos: 1,0 / 1,0 A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Efeito Hall. Efeito Tcherenkov. Efeito Fischer. Lei de Ohm. Efeito Joule.
Compartilhar