Resolução Atividade Eletrônica FACIT

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Fundação Educacional Montes Claros 
Faculdade de Ciência e Tecnologia de Montes Claros 
 
Engenharia Controle e Automação 
 
 
 
Exercício Avaliativo de Eletrônica – 5,0 Pontos 
Nomes: 
Felipe Sores De Nicola 
João Vitor Pereira da Silva 
Aproveitamento: 
Curso: Engenharia de Controle e Automação Período: 5º Data: 10/04/2014 
Professor Prof. Ms. J. Osmane Lopes Júnior E-mail: osmanelopes@yahoo.com.br 
 
 
 
Atividades referentes aos capítulos 1 e 2 do livro de referência: Dispositivos Eletrônicos e 
teoria de circuitos. Algumas questões deverão ser simuladas nos softwares Multisim ou 
Proteus. 
 
Encaminhar por e-mail até o dia: 16/04/2014. 
 
SEMICONDUTORES: 
 
1. Quantos elétrons de valência têm um átomo de silício? 
a) 0 b) 1 c) 2 d) 4 
2. Qual é o semicondutor mais largamente empregado? 
a) Cobre b) Germânio c) Silício d) Nenhum desses 
3. Quantos prótons existem num núcleo de um átomo de silício? 
a) 4 b) 14 c) 29 d) 32 
4. Os átomos de silício combinam-se segundo um padrão ordenadamente chamado de: 
a) Ligação covalente b) Cristal c) Semicondutor d) Órbita de Valência 
5. Um semicondutor intrínseco tem algumas lacunas na temperatura ambiente. O que 
originou essas lacunas? 
a) A dopagem b) Os elétrons livres c) A energia térmica d) Os elétrons de valência 
6. Cada elétron de valência num semicondutor intrínseco estabelece: 
a) Uma ligação covalente b) Um elétron livre c) Uma lacuna d) Uma recombinação 
7. A fusão de um elétron livre com uma lacuna é chamada de: 
a) Uma ligação covalente b) Tempo de vida c) Recombinação d) Energia térmica 
8. Na temperatura ambiente, um cristal de silício age aproximadamente como: 
a) Uma bateria b) Um condutor c) Um isolante d) Um pedaço de fio de cobre 
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9. Num semicondutor intrínseco, o número de elétrons livres é: 
a) Igual ao número de lacunas b) Maior que o número de lacunas 
c) Menor que o número de lacunas d) Nenhum desses 
10. O número de elétrons livres e de lacunas num semicondutor intrínseco aumenta quando 
a temperatura: 
a) Diminui b) Aumenta c) Permanece a mesma d) Nenhum desses 
11. O fluxo de elétrons de valência para a esquerda significa que o fluxo de lacunas vai 
a) Para esquerda b) Para direita c) Nos dois sentidos d) Nenhum desses 
 
12. As lacunas agem como: 
a) Átomos b) Cristais c) Cargas negativas d) cargas positivas 
13. Quantos tipos de fluxos de corrente existem num condutor? 
a) 0 b) 1 c) 2 d) 3 
14. Quantos tipos de fluxos de corrente existem num semicondutor? 
a) 0 b) 1 c) 2 d) 3 
15. Quantos elétrons de valência existem nos átomos trivalentes? 
a) 1 b) 3 c) 4 d) 5 
16. Para produzir um semicondutor tipo p, o que você usaria? 
a) Átomos receptores b) Átomos doadores c) Impurezas pentavalentes d) Silício 
17. Em que tipo de semicondutor as lacunas são portadores minoritários? 
a) Extrínseco b) Intrínseco c) Tipo n d) Tipo p 
18. Uma fonte de tensão externa é aplicada num semicondutor tipo p. Se a extrema esquerda 
do cristal for positiva, qual será o sentido do fluxo dos portadores majoritários? a) Para a 
esquerda b) Para a direita c) Nenhum d) É impossível dizer 
19. Quantos elétrons na órbita de valência de um átomo de silício dentro do cristal? 
a) 1 b) 4 c) 8 d) 14 
20. Os íons positivos são átomos que 
a) Ganharam um próton c) Ganharam um elétron 
b) Perderam um próton d) Perderam um elétron 
21. Qual dos seguintes descreve um semicondutor tipo n? 
a) Neutro c) Carregado negativamente 
b) Carregado positivamente d) Possui muitas lacunas 
22. Qual dos seguintes descreve um semicondutor tipo p? 
a) Neutro c) Carregado negativamente 
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b) Carregado positivamente d) Possui muitos elétrons livres 
23. Qual dos seguintes é causa da camada de depleção? 
a) Dopagem c) Barreira de potencial 
b) Recombinação d) Íons 
24. Qual é a barreira de potencial de um diodo de silício? 
a) 0,3 V b) 0,7 V c) 1 V d) 2 mV por grau Celsius 
25. Para que a corrente num diodo de silício seja alta, a tensão aplicada deve ser maior que 
a) 0 b) 0,3 V c) 0,7 V d) 1V 
 
26. Num diodo de silício, a corrente reversa é geralmente 
a) Muito pequena b) Muito alta c) Zero d) Na região de ruptura 
27. A corrente de fuga da superfície é parte da 
a) Corrente direta c) Corrente reversa 
b) Ruptura direta d) Ruptura reversa 
28. A tensão em que se dá a ruptura é chamada de 
a) Barreira de potencial c) Tensão de joelho 
b) Camada de depleção d) Tensão de ruptura 
29. A difusão dos elétrons livres por meio da junção de um diodo não-polarizado produz a) 
Polarização direta c) ruptura 
b) Polarização reversa d) camada de depleção 
30. Uma tensão reversa de 20 V é aplicada num diodo. Qual é a tensão na camada de 
depleção? 
a) 0 V b) 0,7 V c) 20 V d) Nenhum desses 
31. Classifique cada um dos elementos a seguir como um condutor ou semicondutor: 
a) Germânio (semicondutor) c) Silício (semicondutor) 
b) Prata (condutor) d) Ouro (condutor) 
 
32. Os portadores majoritários em um cristal tipo P e tipo N são respectivamente: 
( ) Elétrons e lacunas 
( ) Elétrons e prótons 
( ) Íons e lacunas. 
(X) Lacunas e elétrons. 
 
33. Na polarização direta de uma junção PN a corrente é: 
( ) Baixa. ( ) Média. (X) Alta. ( ) Infinita. 
 
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34. O processo de dopagem de um material semicondutor consiste em: 
a) aumentar a resistência de um material semicondutor através da inserção de impurezas na sua 
estrutura cristalina. 
b) retirar as impurezas de um material semicondutor para que sua estrutura cristalina fique pura. 
c) introduzir impurezasde forma controlada em um semicondutor puro de forma a controlar sua 
condutividade. 
d) diminuir a resistência do material semicondutor através da quebra de ligações covalentes por 
efeito térmico. 
 
35. A respeito do cristal tipo P é correto afirmar que: 
a) é obtido da dopagem de um material semicondutor puro com materiais pentavalentes. 
b) é obtido da dopagem de um material semicondutor puro com materiais tetravalente. 
c) possui elétrons como portadores majoritários e lacunas como portadores minoritários. 
d) possui lacunas como portadores majoritários e elétrons como portadores minoritários. 
 
 
36. É correto afirmar a respeito da barreira de potencial que: 
a) ela é uma tensão gerada na junção PN que pode servir para alimentar outros circuitos. 
b) ela é uma queda tensão característica que depende do material semicondutor utilizado. 
c) c) ela é sempre igual a 0,7v. 
d) ela só aparece no diodo quando o mesmo está polarizado inversamente. 
 
 
CIRCUITOS COM DIODOS: 
 
37. No circuito abaixo, determine qual lâmpada acenderá e qual permanece apagada. 
 
 
 
X1: ACENDERÁ 
 
X2: PEMANECE APAGADA 
 
X3: ACENDERÁ 
 
X4: PERMANECE APAGADA 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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38. Desenhe um diodo e uma bateria de forma que o diodo fique polarizado diretamente. 
 
 
 
 
39. Desenhe diodo e uma bateria de forma que o diodo fique polarizado reversamente. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
40. Levando em consideração que as lâmpadas estão especificadas para 24v e os diodos dos 
circuitos abaixo são ideais, marque nas tabelas quais lâmpadas acenderão nos circuitos 
abaixo: 
 
 
 
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40.1) Simule os circuitos da questão 40 nos softwares recomendados. 
 
A) 
 
 
B) 
 
 
C) 
 
 
D) 
 
 
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41) Sabendo que Vy = 0,6v, calcule a tensão sobre os resistores e a corrente total dos 
circuitos: Simule o circuito e meça as grandezas solicitadas. 
 
 
O diodo está com polarização reversa. O 
circuito não funciona. 
 
 
 
 
𝑖 =
12 − 0,6
2200
= 5,18𝑚𝐴 
 
𝑉 = 0,00518 ∗ 2200 = 11,4𝑉 
 
 
 
 
 
 
 
𝑖 =
0,25 − 0,25
2
= 0𝐴 
 
𝑉 = 2 ∗ 0 = 0𝑉 
 
 
 
 
 
 
𝑖 =
5 − 0,6
470
= 9,36𝑚𝐴 
 
𝑉 = 0,00936 ∗ 470 = 4,4𝑉 
 
 
 
 
 
 
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42. Calcule a corrente ID, IR1 e IR2 no circuito abaixo. Simule o circuito e meça as grandezas 
solicitadas. 
 
 
 
 
 𝑅𝑡 = 5Ω 
 
𝑖𝑡 =
15 − 0,7
5
= 2,86𝐴 
 
𝐼𝐷 = 2,86𝐴 
 
𝐼𝑅1 = 𝐼𝑅2 =
15 − 0,7
10
= 1,43𝐴 
 
 
43. Calcule a corrente ID, IR1 e IR2 no circuito abaixo. Simule o circuito e meça as grandezas 
solicitadas. 
 
 
 
 
𝑉𝑅1 = 15 − 0,7 = 14,3𝑉 
 
𝑉𝑅2 = 0,7𝑉 
 
𝐼𝑅1 =
14,3
10
= 1,43𝐴 
 
𝐼𝑅2 =
0,7
10
= 70𝑚𝐴 
 
𝐼𝐷 = 1,43 − 0,07 = 1,36𝐴 
 
 
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44. Determine a corrente representada no circuito abaixo. Considere o diodo real. 
 
 
𝑖 =
12 − 0,7
330
= 34,2𝑚𝐴 
 
 
45. Determine a corrente e a tensão em todos os resistores do circuito. Deixe os cálculos e 
coloque os valores nos campos respectivos. Considere os diodos reais. 
 
 
 
𝑉𝑅1 = 2,87𝑉 
 
𝑉𝑅2 = 2,87𝑉 
 
𝑉𝑅3 = 8,61𝑉 
 
𝐼𝑅1 = 2,87𝑚𝐴 
 
𝐼𝑅2 = 5,74𝑚𝐴 
 
𝐼𝑅3 = 8,61𝑚𝐴 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
𝑉𝑦 ≅ 0,52𝑉 
 
𝑅𝑡 =
1000 ∗ 500
1000 + 500
+ 1000 = 1333,33Ω 
 
𝑉𝑅𝑡 = 12 − 0,52 = 11,48𝑉 
 
𝑖𝑡 =
11,48
1333,33
= 8,61𝑚𝐴 
 
𝑉𝑅1 = 𝑉𝑅2 = 0,00861 ∗ (
1000 ∗ 500
1000 + 500
) = 2,87𝑉 
 
𝑉𝑅3 = 11,48 − 2,87 = 8,61𝑉 
 
𝐼𝑅1 =
2,87
1000
= 2,87𝑚𝐴 
 
𝐼𝑅2 =
2,87
500
= 5,74𝑚𝐴 
 
𝐼𝑅3 = 𝑖𝑡 = 8,61𝑚𝐴 
 
 
 
 
 
D1 
N1202C 1 
R1 
kΩ 1 
V1 
 V 12 R2 
500Ω 
R3 
kΩ 1 
D2 
1 N1202C 
 
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45.1. Simule o circuito e meça as grandezas solicitadas. 
 
 
 
46. Alguns sistemas, como alarmes contra ladrão e os computadores, usam uma bateria de 
emergência para o caso de uma eventual queda da tensão da rede. Descreva como o 
circuito abaixo funciona. 
 
 
 
A carga funciona sendo alimentada pela fonte 
de 15V vinda da rede, pois o seu valor de tensão é maior 
e não tem contato com a bateria devido ao diodo que 
está ligado à bateria. 
Quando tiver um falha na rede elétrica, a carga 
passa a ser alimentada pela bateria e a fonte da rede é 
protegida pelo diodo ligado à mesma.
 
47. A curva abaixo mostra o tempo de recuperação do funcionamento de um diodo. Explique 
de maneira detalhada a resposta desta curva transitória. 
 
Um diodo, como qualquer outro componente eletrônico, precisa de um certo 
tempo para passar do seu estado de condução para não condução. Para um diodo 
retificador comum, o que ocorre é que, partindo do estado de plena condução, quando a 
tensão é invertida no semiciclo seguinte e ele deve passar para a não condução, isso não 
acontece de modo imediato. 
Quando a tensão aplicada reduz, passando pelo ponto de zero, até atingir o seu máximo no sentido inverso, o 
diodo não deixa de conduzir imediatamente. Ele ainda permanece em plena condução no sentido inverso por um certo 
tempo, que ele precisa para “se recuperar” da transição que ocorre. Nesse intervalo, que pode chegar a mais de 1 
milisegundo, para um diodo comum, o diodo se comporta como um dispositivo de baixa resistência, conduzindo 
intensamente a corrente. Em outras palavras, durante esse intervalo, o dispositivo deixa de se comportar como um 
diodo, conduzindo a corrente também no sentido inverso. 
Após a recuperação, que demora um certo tempo que depende do dispositivo, o diodo se recupera e a sua 
resistência no sentido inverso aumenta, não havendo mais a circulação de nenhuma corrente no sentido inverso. 
 
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48. Explique como se testa um diodo semicondutor utilizando o multímetro. 
 
1º Selecione a escala diodo; 
2º Conecte as pontas de prova; 
3º Coloque a ponta de prova positiva no anodo e a ponta de prova negativa no catodo e irá 
aparecer o valor da barreira de potencial do diodo. 
4º Inverta a posição das pontas de prova no diodo. Deverá indicar um valor infinito, caso 
contrário o diodo está danificado. 
 
 
49. No diagrama abaixo é demonstrada um conjunto diodos encapsulados na forma de um 
circuito integrado. É possível verificar se o componente está funcionando corretamente? 
Explique. 
 
Sim. 
1º Colocamos o multímetro na escala de continuidade e a ponta 
de prova positiva no pino 1, depois medimos cada diodo 
colocando a ponta de provanegativa nos pinos 2 a 9. 
2º Colocamos a ponta de prova negativa no pino 10 e alternamos 
a ponta de prova positiva nos pinos 2 a 9. 
3º Invertemos a posição das pontas de prova. Não poderá ter 
continuidade, caso contrário, o circuito está danificado. 
 
 
50. Determine a corrente I no circuito. Simule o circuito. 
 
 
 
 𝑖 =
20−4−0,7
2200
= 6,95𝑚𝐴 
 
51. Determine a corrente I1, ID1, ID2 e a tensão Vo. Simule o circuito. 
 
 
 
𝑉𝑅 = 10 − 0,7 = 9,3𝑉 
 
𝐼1 =
9,3
330
= 28,2𝑚𝐴 
 
𝐼𝐷1 = 𝐼𝐷2 =
28,2
2
= 14,1𝑚𝐴 
𝑉𝑜 = 𝑉𝑦 = 0,7𝑉 
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52. Determine a corrente I para os circuitos abaixo. Simule e meça o que se pede. 
 
 
 
𝑖 =
20
20
= 1𝐴 
 
 
 
𝑖 =
10
10
= 1𝐴 
 
 
53. Calcule VD e ID para os circuitos. Simule e meça as grandezas solicitadas. 
 
 
 
𝑉𝐷 = −5+ 0,7 = −4,3𝑉 
 
𝐼𝐷 =
4,3
2200
= 1,95𝑚𝐴 
 
 
 
 
𝑅𝑡 = 5900Ω 
𝑉𝑅𝑡 = 8 − 0,7 = 7,3𝑉 
𝐼𝐷 =
7,3
5900
= 1,24𝑚𝐴 
𝑉𝐷 = 8 − (1200 ∗ 0,00125) = 6,52𝑉 
 
 
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54. Determine o valor de Vo para cada circuito abaixo. Simule e meça a grandeza solicitada. 
 
 
 
𝑖 =
20 − 0,7 − 0,3
4000
= 4,75𝑚𝐴 
𝑉𝑜 = 𝑉1 = 𝑉2 = 2000 ∗ 0,00475 = 9,5𝑉 
 
 
 
 
 
𝑖 =
10 + 2 − 0,7
5900
= 1,91𝑚𝐴 
𝑉𝑜 = (4700 ∗ 0,00191) = 9𝑉 
 
 
 
 
 
55. Determine Vo e ID para os circuitos. Simule e obtenha as grandezas solicitadas. 
 
 
𝑉𝑡 = 0,01 ∗ 2200 = 22𝑉 
𝐼𝐷 = 𝐼𝑡 =
22 − 0,7
3400
= 6,26𝑚𝐴 
𝑉𝑜 = 0,00626 ∗ 1200 = 7,52𝑉 
 
𝐼𝐷 =
20 + 5 − 0,7
6800
= 3,57𝑚𝐴 
𝑉𝑜 = 𝑉𝑦 = 0,7𝑉 
 
 
 
 
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56. Determine Vo1 e Vo2 para os circuitos abaixo. Simule-os e meça as grandezas solicitadas. 
 
 
𝐼 =
12 − 1
4700
= 2,34𝑚𝐴 
𝑉𝑜1 = (0,00234 ∗ 4700) + 0,3 = 11,3𝑉 
𝑉𝑜2 = 𝑉𝑦(𝑔𝑒𝑟𝑚â𝑛𝑖𝑜) = 0,3𝑉 
 
 
 
𝐼 =
−10 + 1
4500
= −2𝑚𝐴 
𝑉𝑜1 = −0,002 ∗ 4500 = −9𝑉 
𝑉𝑜2 = −0,002 ∗ 3300 = −6,6𝑉 
 
 
57. Determine Vo e ID para os circuitos abaixo. Simule os circuitos abaixo e meça as 
grandezas solicitadas. 
 
 
 
𝐼𝑡 =
20 − 0,7
4700
= 4,11𝑚𝐴 
𝐼𝐷 =
4,11
2
= 2,05𝑚𝐴 
𝑉𝑜 = 0,00411 ∗ 4700 = 19,3𝑉 
 
 
𝐼𝐷 = 𝐼𝑡 =
20 − 0,7
2200
= 8,77𝑚𝐴 
𝑉𝑜 = 0,00877 ∗ 2200 = 19,3𝑉
 
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58. Determine Vo e I para os circuitos abaixo. Simule os circuitos abaixo e meça as grandezas 
solicitadas. 
 
 
𝐼 =
10 − 0,3
1000
= 9,7𝑚𝐴 
 
𝑉𝑜 = 0,0097 ∗ 1000 = 9,7𝑉 
 
𝐼 =
16 − 12 − 1,4
4700
= 0,553𝑚𝐴 
 
𝑉𝑜 = 0,000553 ∗ 4700 = 2,6𝑉 
 
59. Determine Vo1, Vo2 e I para o circuito abaixo. Simule o circuito abaixo e meça as 
grandezas solicitadas. 
 
 
𝑉𝑜1 = 𝑉𝑦(𝑠𝑖𝑙í𝑐𝑖𝑜) = 0,7𝑉 
𝑉𝑜2 = 𝑉𝑦(𝑔𝑒𝑟𝑚â𝑛𝑖𝑜) = 0,3𝑉 
 
𝐼𝑡 =
20 − 0,7
1000
= 19,3𝑚𝐴 
 
𝐼1 =
0,4
470
= 0,85𝑚𝐴 
 
𝐼 = 19,3 − 0,85 = 18,45𝑚𝐴 
 
 
 
 
 
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60. Utilizando diodos semicondutores elabore um circuito que corresponda a uma porta 
lógica AND com 3 entradas. Simule no software. 
 
 
 
 
 
61. Utilizando diodos semicondutores elabore um circuito que corresponda a uma porta 
lógica OR com 3 entradas. Simule no software. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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 DIODO EMISSOR DE LUZ: 
 
62. Calcule o valor de R1 sabendo que a fonte de alimentação é de 12V e a tensão que o LED 
e alimentado e 2V e a corrente que consome é 20mA. Simule o circuito e meça as grandezas 
solicitadas. 
 
𝑅1 =
12 − 2
0,02
= 500Ω 
 
63. No circuito abaixo, V1 = 15 V e no LED D1, Imin = 1 mA, Imax = 25 mA e VLED = 2,0V. 
 
 
 
Considerando a possibilidade de R1 assumir os valores de 110Ω, 1400Ω e 690 kΩ, é correto 
afirmar, que o LED: 
 
(A) Acende normalmente nos 3 casos. 
(B) Acende normalmente para 110Ω e 1.400Ω, mas não irá acender quando R1 for de 690 kΩ. 
(C) Acende normalmente para 1.400Ω, mas com 690 kΩ não irá acender e quando R1 for de 
110Ω pode queimar. 
(D) Não acende normalmente quando R1 vale 690 kΩ e pode queimar quando R1 for de 110Ω ou 
de 1.400Ω. 
 
 𝑖1 =
13
110
= 118𝑚𝐴 
𝑖2 =
13
1400
= 9,3𝑚𝐴 
𝑖3 =
13
690000
= 0,02𝑚𝐴 
 
 
 
 
V1 
12 V 
R1 
D1 
LED 
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DIODO ZENER 
 
64. No circuito abaixo, calcule a corrente em RL e RS. Dados: VZ=9V, RL=100 e RS=10 . 
 
 
 𝐼𝑅𝐿 =
9
100
= 90𝑚𝐴 
 
𝐼𝑅𝑆 =
9
10
= 900𝑚𝐴 
 
 
 
 
 
 
 
65. Dimensione o resistor para o circuito abaixo: 
 
 
𝐼𝐿 =
6,8
4000
= 1,7𝑚𝐴 
𝐼𝑍 =
37 + 1
2
= 19𝑚𝐴 
𝐼𝑅 = 19 + 1,7 = 20,7𝑚𝐴 
𝑅 =
20 − 6,8
0,0207
= 637,7Ω 
 
 
 
 
 
 
 
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66. Qual é a potência dissipada pelo zener? 
 
 
 𝐼𝑅2 =
8,2
4000
= 2,05𝑚𝐴 
𝐼𝑅3 =
8,2
8000
= 1,03𝑚𝐴 
𝐼𝑅1 =
24 − 8,2
1000
= 15,8𝑚𝐴 
𝐼𝑍 = 15,8 − 2,05 − 1,03 = 12,72𝑚𝐴 
𝑃𝑍 = 8,2 ∗ 0,01272 = 104,3𝑚𝑊 
67. Para o circuito abaixo determine VL, VR, IZ, PZ. 
 
 
68. A principal característica do Diodo Zener é: 
 
(A) tensão constante com polarização reversa. 
(B) tensão proporcional com polarização reversa. 
(C) tensão proporcional com polarização direta. 
(D) corrente proporcional com polarização direta. 
 
 
 
 
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69. O datasheet ou folha de dados dos componentes é importante para o dia a dia do 
técnico. Os dados abaixo foram retirados de um datasheet de um componente eletrônico. 
 
 
 
70. Conforme tabela acima marque a alternativa que corresponde aos dados de um dos 
componentes na tabela acima: 
 
(A) 1N4733A é um diodo retificador com Vz de Max de 5.355V e Iz mínimo de 1mA. 
(B) 1N 4735A é um diodo zener com Vz Max de 6.51 e Iz mínimo de 1mA. 
(C) 1N4737A è um diodo varicap com Vz Max de 7.875 e Iz mínimo de 0,5mA 
(D) 1N4737A è um diodo emissor de luz com Vz Max de 7.875 e Iz mínimo de 0,5mA 
 
 
 
 
 
RETIFICAÇÃO: 
 
 
71. Para o circuito abaixo, calcule o valor de Vcc e Icc. Simule o circuito e com osciloscópio 
plote as formas de onda na carga (R1) e no diodo D1. 
 
 
𝑉𝑝 = 12 ∗ √2 = 16,97 
𝑉𝑐𝑐 =
16,97− 0,7
𝜋
= 5,18𝑉 
𝐼𝑐𝑐 =
5,18
200
= 26𝑚𝐴 
 
R1 
200Ω 
D1 
N1199C 1 
V1 
12 Vrms 
60 Hz 
0 ° 
0 
1 3 
 
 
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72. Para o circuito abaixo, esboce as formas de onda de Vo e Ir utilizando o software. 
 
 
 
 
 
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73. Considerando que o retificador de meia onda abaixo está alimentado com uma tensão de 
pico Vp = 160V, calcule a corrente Imáx, a corrente em cada diodo e a tensão de saída. Simule 
o circuito e meça as grandezas solicitadas. 
 
 
 
 
 
𝑉𝑐𝑐 =
160 − 0,7
𝜋
= 50,73𝑉 
 
𝐼𝑅1 =
50,73
4700
= 10,8𝑚𝐴 
 
𝐼𝑅2 =
50,73
56000
= 905𝜇𝐴 
 
𝐼𝑚𝑎𝑥 = 0,0108 + 0,000905 = 11,7𝑚𝐴 
 
𝐼𝐷 =
11,7
2
= 5,85𝑚𝐴 
 
 
 
 
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74. Marque a opção correta, para o significado de cada componente abaixo. 
BR1 
D2D1C1C2 
10A06100n4 u 7 
 
( ) Ponte retificadora, diodo, Led, Capacitor com polaridade e capacitor sem polaridade 
( ) Diodo, Ponte retificadora, Led, Capacitor com polaridade e capacitor sem polaridade 
(X) Diodo, Ponte retificadora, Led, Capacitor sem polaridade e Capacitor com polaridade 
( ) Led, Diodo, Ponte retificadora, Capacitor sem polaridade e Capacitor com polaridade 
 
 
75. A seqüência correta do diagrama em bloco do circuito acima é: 
 
 
 
(A) Transformador, Fitro, Retificador meia onda, Regulador. 
(B) Transformador, Filtro, Retificador Onda Completa, regulador. 
(C) Transformador, Retificador onda completa, Filtro, Regulador. 
(D) Transformador, Retificador center-tap, Filtro, regulador.