Fórum 2

Prévia do material em texto

Na aula 4, começamos a aprender sobre semicondutividade vimos que o mecanismo de condutividade elétrica é ativado pela aplicação de um campo elétrico sobre o semicondutor. A condutividade elétrica nos semicondutores extrínsecos (impuros) do tipo P depende somente da movimentação dos portadores de carga positivos que são os buracos da seguinte forma: σ = P ІeІ µH Onde:
σ > é a condutividade elétrica do material
P > é a densidade de cargas positivas por volume (N° de cargas/m3)
ІeІ > é o módulo da carga do elétron (1,6x10 -19 C)
µH > é a mobilidade elétrica dos buracos (m2/Vm)
Vimos também que a temperatura influencia na condutividade dos semicondutores, nos intrínsecos a condutividade elétrica aumenta mais rapidamente do que na a condutividade dos extrínsecos.
Na aula 5 nós vimos sobre o comportamento elétricos dos materiais isolantes, que podem ser divididos em duas classes de materiais distintos.
Cerâmicos que representam os materiais mais abundantes na natureza, eles apresentam condutividade elétrica e térmica baixa, porém tem um comportamento mecânico frágil o que limita sua utilização quando é necessário esforço mecânico.
Polímeros são materiais constituídos pela formação de longas cadeias de carbono, devido à interligação de unidades mínimas, repetidas diversas vezes. Possuem baixa temperatura de boa ductilidade (ou seja, flexível, elástico, maleável, que se pode comprimir ou reduzir a fios sem se quebrar). 
Comportamento Dielétrico esses materiais possuem comportamento isolante e possuem como principal característica a formação de um dipolo elétrico, quando submetidos a uma tensão elétrica externa. Esse dipolo representa a formação de um par de cargas negativa positiva que se deslocam no interior do material, estabelecendo um campo elétrico direcional. Esses materiais são utilizados na construção dos capacitores e permitem o armazenamento de energia na forma de campo elétrico.
Nos capacitores a CAPACITÂNCIA é a principal característica que representa a facilidade de produção de cargas, em função da tensão aplicada. Matematicamente:
C=Q/V
Onde: 
C > Capacitância em Fared (F) 
Q > Quantidade de carga formada no interior do dielétrico (Coloumb)
V Tensão elétrica aplicada (V)
Em um capacitor de placas paralelas, a expressão da capacitância deve ser:
C = ɛ0.A/l
Onde:
C > Capacitância
ɛ0 > É a permissividade elétrica do vácuo (8,85 x 10-12 F/m)
A > Área da placa do capacitor (m²)
l > Distâncias entre as placas do capacitor (m)
 Capacitor Real 
C = ɛA/l
Onde:
C > Capacitância
ɛ > Permissividade do dielétrico (F/m)
A > Área da placa do capacitor (m²)
l > Distâncias entre as placas do capacitor (m)
Constante dielétrica do material
ɛr = ɛ/ɛ0
Onde:
ɛr > constante elétrica do material (adimensional)
ɛ > Permissividade elétrica do material (F/m)
ɛ0 > Permissividade elétrica do vácuo (8,85 x 10-12 F/m)
Respondendo a questão dada no fórum.
Minha matrícula é 201401321917 logo: E=117
Vd = µ x E
Vd= 0,0012m²/V.s . 117 V/m
Vd= 0,1404 m²/V.s V/m
Vd= 0,1404m/s
Essa é a velocidade de deslocamento dos elétrons.