Avaliação Parcial Geral - Materiais Elétricos

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Materiais Elétricos – Avaliação Parcial 1
	 1a Questão (Ref.: 201607544029)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Após completar a disciplina Materiais Elétricos, você compreende os parâmetros que determinam a resistência elétrica de um material. Desta forma, desejando aumentar a resistência elétrica de uma bobina em 20% através da diminuição da seção reta do condutor que a compõe (mantendo-se o comprimento do fio), expresse a diminuição porcentual da nova seção reta em relação a seção reta original.
		
	
	12%
	
	15%
	
	25%
	
	18%
	 
	16,7%
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201608083853)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Dado que duas linhas de transmissão de 200 km de uma mesma hidrelétrica, são construídas com cabos de alumínio e a outra com cabos de cobre recozido. Sem entrar em grandes discussões teóricas e considerando-se somente a resistividade do Alumínio (Al) e do Cobre (Cu), qual deverá ser a relação entre as seções retas dos dois tipos de cabos das linhas para que elas possuam a mesma capacidade de condução? Considere que: Al ► ρ = 0,0292 Ohm.mm²/m e Cu ► ρ = 0,0172 Ohm.mm²/m
		
	
	Os cabos de cobre e alumínio possuem a mesma capacidade de condução e portanto podem ser utilizados para esta aplicação.
	
	A seção reta do cabo de alumínio poderá ser 58,9% menor que a seção reta do cabo de cobre.
	
	A seção reta do cabo de cobre poderá ser 58,9% menor que a seção reta do cabo de alumínio.
	 
	A seção reta do cabo de alumínio poderá ser 58,9% da seção reta do cabo de cobre.
	 
	A seção reta do cabo de cobre poderá ser 58,9% da seção reta do cabo de alumínio.
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201607463130)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos.
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por s=p.I e I.mh, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e .mh é mobilidade dos buracos.
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3átomos de Boro, considerando mh = 0,05m2/V.s
 
		
	
	200 (ohm.m) -1
 
	
	100 (ohm.m) -1
 
	
	50 (ohm.m) -1
 
	 
	400 (ohm.m) -1
 
	
	4 (ohm.m) -1
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201607463148)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática.
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais.
		
	 
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n.
	
	Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron.
	
	Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material.
	
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga.
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201607954874)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Que átomos de impureza são utilizados na dopagem do silício para formar um semicondutor tipo n?
		
	
	Átomos com 1 elétron na camada de valência.
	 
	Átomos com 4 elétrons na camada de valência.
	
	Átomos com 2 elétrons na camada de valência.
	
	Átomos com 3 elétrons na camada de valência.
	 
	Átomos com 5 elétrons na camada de valência.
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201607463565)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Polarização, como mostra a figura a seguir, é o alinhamento de momentos dipolares atômicos ou moleculares, permanentes ou induzidos, com um campo elétrico aplicado externamente. Das opções abaixo, indique aquela que não representa um tipo de polarização:
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
		
	
	Iônica.
	
	Eletrônica.
	
	Eletrônica + iônica
	
	De orientação.
	 
	Magnética.
		
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201608029662)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Semicondutores, como a palavra sugere, podem apresentar comportamento condutor ou isolante, dependendo da temperatura de utilização, no caso de condutores intrínsecos. Entre os materiais mais utilizados com estas características, encontram-se o germânio, o silício e o arseneto de gálio. No intuito de entender o comportamento destes materiais, diversas teorias físicas foram criadas, introduzindo conceitos novos, como a mobilidade elétrica de elétrons, me, e de buracos, mb.
Com relação ao conceito de mobilidade elétrica, assinale a opção CORRETA:
		
	
	me =2 mb
	
	me = mb
	
	me < mb
	 
	me > mb
	
	me =1/2 mb
		
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201607885111)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)^(-1). Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 10^20 m^(-3) e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09 m^2/V.S e 0,28 m^2/V.S, a concentração de elétrons é:
		
	
	412,88 x 10^19 m^-3
	
	541,05 x 10^19 m^-3
	
	715,78 x 10^19 m^-3
	
	140,25 x 10^19 m^-3
	 
	618,57 x 10^19 m^-3
		
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201607463238)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-se que  a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opção correta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	 
	C=(Q0 + Q´) / V
	
	Q0 = C. V
	
	C=Q´/V.
	
	0.
	
	
	
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201607402503)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Deseja-se construir um capacitor de 18 nF utilizando-se duas placas paralelas com 240 cm2 de área cada uma e espaçadas de 0,02 mm. Determine o valor da constante dielétrica do material a ser utilizado.
		
	
	1,5
	 
	1,3
	
	2,1
	
	1,9
	 
	1,7
		
	
Materiais Elétricos – Avaliação Parcial 2
		 1a Questão (Ref.: 201608344674)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	O administrador deve possuir habilidades técnicas, humanas e conceituais. Assinale a seguir a única afirmação correta sobre a habilidade técnica:
		
	
	Envolve a capacidade de visualizar a organização como um conjunto integrado e se posicionar do ponto de vista da organização.
	 
	Quando as pessoas iniciam suas carreiras nas empresas, normalmente utilizam essa habilidade em maior proporção.
	
	Demonstra a capacidade de trabalhar com eficácia como membro de uma equipe.
	
	Implica visualizar a organização dentro do seu ambiente externo e compreender as forças políticas, econômicas, tecnológicas e sociais que atuam sobre ela.
	
	Requer capacidade para criar uma atmosfera de segurança, para comunicar e encorajar a comunicação entre os integrantes da equipe e da organização
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201608343468)
	Acerto: 1,0  / 1,0O Ambiente Geral, também reconhecido por Macroambiente, é aquela no qual o Administrador observa diversas variáveis que podem interferir no desempenho de sua empresa, dentre os quais podemos citar os que estão listados nas alternativas abaixo, EXCETO:
		
	
	Ambiente natural (clima, recursos naturais etc);
	
	Questões sócio-econômicas;
	
	Questões políticas;
	
	Questões culturais.
	 
	Clientes da empresa;
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201608346710)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	O departamento de projetos de uma organização ao elaborar uma análise Swot, verificou situações incontroláveis no seu macroambiente, porém facilitando a implantação do projeto da nova filial no exterior. Podemos considerar o seguinte quadrante desta análise:
		
	
	Forte.
	
	Ameaça.
	 
	Oportunidade.
	
	Flexibilidade.
	
	Fraqueza.
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201608342680)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A Análise SWOT é uma das feramentas utilizadas para a elaboração do Planejamento Estratégico de uma empresa. Para tal formulação exige o conhecimento da situação interna e externa para esclarecer os dirigentes quanto às decisões a serem tomadas. Esta ferramenta, quando aplicada, mostrará aos dirigentes da empresa:
		
	
	As forças do ambiente interno bem como as oportunidades do ambiente externo.
	
	As forças e fraquezas do ambiente esterno bem como as oportunidades ou ameaças do ambiente interno.
	
	As forças e oportunidades do ambiente interno bem como as fraquezas ou ameaças do ambiente externo.
	
	As forças e fraquezas do ambiente externo bem como as oportunidades ou ameaças do macro-ambiente.
	 
	As forças e fraquezas do ambiente interno bem como as oportunidades ou ameaças do ambiente externo.
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201608346168)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	O planejamento tático é desenvolvido pelos departamentos que estão subordinados a diretoria geral da empresa. A quantidade de departamentos vai depender da estrutura de cada empresa, mas os mais comuns são: financeiro, recursos humanos e marketing. Característica específica do planejamento organizacional tático é:
		
	
	lidar com elevados graus de incerteza em face das coações e contingências que não pode prever.
	
	desafiar os níveis elevados de incerteza através da mobilização de fatores como a criatividade e a inovação.
	
	incluir um grau reduzido de incerteza graças ao nível detalhado de programação e racionalização das atividades envolvidas.
	 
	limitar as variáveis envolvidas para reduzir a incerteza e permitir a programação.
	
	trabalhar com a lógica dos sistemas fechados visando alcançar elevado nível de regularidade e eficiência.
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201608345999)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Tem caráter imediatista, abrangência estritamente local e se caracteriza pelo detalhamento com que estabelece as tarefas e operações. Seu problema básico é a eficiência. Esta é uma das características do:
		
	
	Planejamento estratégico;
	 
	Planejamento operacional;
	
	Planejamento tático;
	
	Planejamento financeiro;
	
	Planejamento de Recursos Humanos;
		
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201608344090)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A quebra do produto em partes sequenciais é um modelo de departamentalização.
Assinale abaixo a alternativa que retrata esse modelo: 
		
	
	Por Clientes
	
	Por Clientes e Projetos
	
	Ambiental e Funcional
	
	Por Projetos
	 
	Por Processos
		
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201608345515)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	O José recentemente aceitou um trabalho como auditor interno em uma empresa de seguros de grande dimensão. José descobriu que seu novo trabalho é bem diferente do que teve no estágio em uma empresa de consultoria contábil. A empresa de seguros tem definido estritamente responsabilidades de trabalho e linhas de comunicação. Parece que para cada decisão que José precisa tomar, a aprovação deve ser obtida a partir de gerência superior! Em geral, lhe parece que o ambiente de trabalho é bastante formal, em comparação com o estágio. José corretamente concluiu que uma das seguintes opções, caracterizava a organização da empresa de seguros:
		
	
	autoridade descentralizada
	
	um desenho organizacional matricial
	
	uma equipa de gestão ineficaz
	
	uma grande amplitude de controle
	 
	um elevado grau de centralização
		
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201608344071)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A Função Administrativa "Direção", considerada no nível institucional das empresas, pode ser responsável pela
		
	
	Renegociação das ações trabalhistas da empresa
	
	Definição dos elementos de um nível hierárquico
	 
	Orientação da ação empresarial
	
	Escolha dos candidatos a vagas oferecidas pela empresa
	
	Otimização das diretrizes de automação
		
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201608343923)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Sobre abordagem comportamental, pode-se dizer que:
I - A abordagem comportamental definiu um novo enfoque as teorias organizacionais, passando a dar ênfase nas pessoas. 
II - Um dos principais expoentes desta teoria foi Douglas McGregor, que desenvolveu uma das primeiras teorias para o entendimento do comportamento das pessoas. 
III - Segundo McGregor existem dois estilos básicos de direção, como dois extremos de um continuum: o estilo da teoria X e o da teoria Y. O primeiro está fundamentado em concepções antigas a respeito do comportamento humano, ao passo que o segundo se baseia na descentralização de decisões e delegação de responsabilidades, na ampliação do cargo, na administração consultiva e na auto avaliação de desempenho.
		
	
	Somente a afirmativas II está correta.
	
	Somente a afirmativas III está correta.
	
	Somente as afirmativas I e III estão corretas.
	 
	Todas as afirmativas estão corretas.
	
	Somente as afirmativas II e III estão corretas.
		
	
	
	Materiais Elétricos – Avaliação Parcial 3
	 1a Questão (Ref.: 201607402495)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	 
	0,53 cm2
	
	0,97 cm2
	
	0,65 cm2
	 
	0,84 cm2
	
	0,72 cm2
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201607544062)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétrica variam com a temperatura do condutor.
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201607544086)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados, porém, diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
		
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	À medida que um condutor tendepara o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	 
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
	
	Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe.
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201607402493)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
		
	
	3,21 x 10-6 Ω.cm
	
	6,45 x 10-6 Ω.cm
	
	3,95 x 10-6 Ω.cm
	 
	4,75 x 10-6 Ω.cm
	
	7,81 x 10-6 Ω.cm
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201607463160)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Do ponto de vista tecnológico,  a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
		
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do tipo-p.
	
	A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
	
	Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
	 
	A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
	
	Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou portadores de carga positivas.
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201607463583)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Materiais cristalinos possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Esta estrutura, aliada aos defeitos microestruturais que porventura se originam no processo de fabricação, não permitem o deslocamento retilíneo dos elétrons livres quando submetidos a um campo elétrico. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.me, onde E é a intensidade do campo elétrico e me é a mobilidade elétrica do elétron.
Uma conseqüência da interação entre os defeitos da rede cristalina e os elétrons é:
		
	 
	Geração de calor.
	
	Deformação mecânica do material.
	
	Aumento da aceleração eletrônica.
	
	Aumento da resistividade elétrica do material.
	 
	Diminuição da resistência elétrica do material
		
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201607463182)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Dos componentes eletrônicos que sugiram entre 1940 e 1950, talvez o transistor seja o mais utilizado; consiste de um componente microeletrônico fabricado com semicondutores intrínsecos e extrínsecos e utilizado na amplificação de sinais, substituindo o seu precursor da era das válvulas, o triodo. Nos primeiros anos da década de 50, os transistores eram fabricados com Silício, Gálio e Germânio, sendo este último abandonado em decorrência do melhor desempenho atingido com os transistores de Silício.
Considerando que a mobilidade elétrica dos portadores de carga e a condutividade elétrica de um semicondutor estão relacionadas por s=n.l e l.me, calcule a condutividade de um semicondutor de Silício dopado com 1023 átomos por m3 de Fósforo, sabendo-se que l e l =1,6.10 -19C e .me = 0,14m2/V.s.
		
	
	11,43 (ohm.m) -1
	
	2.000 (ohm.m) -1
	
	1.500 (ohm.m) -1
	 
	2.240 (ohm.m) -1
	
	2.500 (ohm.m) -1
		
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201608029674)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Em 1951 o primeiro transistor, uma aplicação direta dos semicondutores, foi apresentado ao mundo comercial, porém somente em 1954 foi possível a produção em escala deste dispositivo eletrônico, após resolverem o problema de impurezas de ouro e cobre nas matrizes de silício e germânio, Com relação ao material motivador dos acontecimentos anteriormente descritos, os semicondutores, podemos afirmar que um grande número de modelagens físico-matemáticas foram desenvolvidas, entre as quais a que se refere a condutividade elétrica dos semicondutores extrínsecos tipo-p, na qual se expressa a predominância da concentração dos portadores de carga positiva, ou seja, dos buracos.
Com relação a esta expressão, qual das opções a seguir oferece a MELHOR representação.
		
	
	s = n | e | me
	 
	s = p | e | mb
	 
	s = n | e | mb  + p | e | me
	
	s =  ni | e | ( me+ mb )
	
	s = p | e | mb  + n | e | me
		
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201607403364)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Os diversos tipos de capacitores têm as seguintes características:
I. Os capacitores de mica são encontrados com valores altos de capacitância.
II. O capacitor de cerâmica suporta tensões elevadas até 3 kV.
III. O capacitor eletrolítico de alumínio é utilizado em fontes de alimentação.
IV. Os capacitores de polyester são capacitores caros que podem funcionar em altas frequências.
V. O capacitor eletrolítico de alumínio é um capacitor de alta capacitância e não suporta tensões elevadas.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
		
	 
	e. As afirmações II, III e V.
	
	
	
	
	
	
	
	
	
	
		
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201607463233)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Capacitor é um sistema composto por dois condutores (chamados de armaduras ou de placas) separados por um dielétrico (isolante). Considera-se, de forma simplificada, que a carga deste sistema quando submetido a uma diferença de potencial é a carga em módulo de uma das placas, ou seja, se uma placa tem carga +Q e a outra possui carga ¿Q, dizemos que o capacitor tem carga Q.
 
Considerando o exposto, indique a opção correta.
 
		
	
	Um sistema constituído por duas placas condutoras paralelas submetidas a uma diferença de potencial e com vácuo entre elas não pode ser considerado um capacitor.
	
	A borracha, o cerâmico genérico e o aço inoxidável são elementos tipicamente encontrados como dielétricos.
	 
	Em um sistema constituído de uma pessoa (o corpo é um condutor) sobre uma prancha de madeira que se encontra sobre um terreno (condutor), podemos dizer que se poderia formar um capacitor onde a pessoa e a terra seriam as armaduras do capacitor e a prancha seria o dielétrico.
	
	A resistividade de um material dielétrico é da mesma ordem de grandeza que a resistividade de um material condutor.
	 
	A condutividade elétrica de um dielétrico deve ser alta, uma vez que deve haver condução de carga em seu interior.