MATERIAIS ELÉTRICOS estacio avaliando o aprendizado

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MATERIAIS ELÉTRICOS	
 Código de referência da questão.1a Questão (Ref.: 201501449925)	Acerto: 1,0 / 1,0
Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e deseja instalá-lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do fio a ser utilizado, considere a opção mais adequada ao contexto descrito anteriormente.
	Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio a ser comprado e nem o seu volume.
	Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que quanto menor esta área, menor a quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da seção reta do fio utilizado.
	Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistividade e, portanto, permitirá a fácil passagem de elétrons.
 Certo	Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule (geração de calor).
	O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais rapidamente transitarão em seu interior.
 Código de referência da questão.2a Questão (Ref.: 201501536102)	Acerto: 1,0 / 1,0
Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica.
Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
 Certo	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
 Código de referência da questão.3a Questão (Ref.: 201501449939)	Acerto: 1,0 / 1,0
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
	
Ba+2
	
O-2
	
 
B+3
 
	
Al+3
 
 Certo	
As+5
 
 Código de referência da questão.4a Questão (Ref.: 201501449955)	Acerto: 1,0 / 1,0
A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática.
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais.
	Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material.
	Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron.
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n.
 Certo	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga.
 Código de referência da questão.5a Questão (Ref.: 201501449969)	Acerto: 1,0 / 1,0
Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica.
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar:
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p.
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente nas junções P-N.
 Certo	A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem.
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores extrínsecos.
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro.
 Gabarito Comentado.
 Código de referência da questão.6a Questão (Ref.: 201501449964)	Acerto: 1,0 / 1,0
A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão r=r0+aT, onde r0 e a ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
	Hipérbole.
	Parábola.
	Elipse.
	Círculo.
 Certo	Reta.
 Código de referência da questão.7a Questão (Ref.: 201501536104)	Acerto: 1,0 / 1,0
O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício.
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos".
	a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
 Certo	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
 Gabarito Comentado.
 Código de referência da questão.8a Questão (Ref.: 201502070657)	Acerto: 1,0 / 1,0
Assinale a alternativa correta:
	No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 1V.
	No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 0,7V.
	No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao material tipo N, é 0,3V.
	No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo N e a polaridade negativa conectada ao material tipo P, é 0,3V.
 Certo	No diodo semicondutor de silício, a queda de tensão em seus terminais quando polarizado diretamente, isto é, com a polaridade positiva da fonte de tesão conectada no material tipo P e a polaridade negativa conectada ao material tipo N, é 0,7V.
 Código de referência da questão.9a Questão (Ref.: 201501450013)	Acerto: 1,0 / 1,0
A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão r=R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção reta do condutor no formato cilíndrico) enem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
 Certo	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
	A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC, pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
 Gabarito Comentado.
 Código de referência da questão.10a Questão (Ref.: 201502016487)	Acerto: 1,0 / 1,0
Uma forma de quantificar a polarização de um material dielétrico é através de seu momento de dipolo elétrico, dado pela expressão p=q.d, na qual "q" é a magnitude da carga do dipolo e "d" é a distância entre as cargas. Supondo que a manipulação físico-química do material tenha dobrado sua carga em alguns pequenos volumes do mesmo, assim como dividido por dois a distância entre as cargas de sinal oposto.
Nos pequenos volumes do material mencionado anteriormente, determine como ficou o dipolo.
	p/2
	p/4
	2p
	4p
 Certo	p
Col@bore