Avaliando 03

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Aluno: ANDERSON DE CASTRO Matrícula: 201308129424 
Disciplina: CCE0252 - MAT.ELÉTRICOS Período Acad.: 2015.1 (G) / EX 
 
 
P rezado (a) A luno(a), 
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que es te exercíc io é opcional, mas não valerá 
ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de ques tões de múltipla escolha (3). 
Após a finalização do exerc ício, você terá acesso ao gabarito. A proveite para se familiarizar com este modelo 
de ques tões que será usado na sua AV e AVS. 
 
 
1. 
 
 
A resistividade de um material varia com a temperatura e, para 
pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a 
expressão =0+T, onde  0 e  ao constantes. Para variações maiores 
de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a 
forma =0+ T+T
2 , onde 0 , b e são constantes. 
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que 
melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último 
caso citado. 
 
 
 
Hipérbole. 
 
Círculo. 
 
Parábola. 
 
Elipse. 
 
Reta. 
 
 
 
 
2. 
 
 
Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 
40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível 
a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo 
inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica. 
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar: 
 
 
 
Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de 
cargas elétricas somente nas junções P-N. 
 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de 
cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro. 
 
A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ 
de difícil execução denominadas dopagem. 
 
Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em 
um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p. 
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente 
semicondutores extrínsecos. 
 
 
 
 
3. 
 
 
A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de 
fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados com 
elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o 
processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem seus 
limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que 
estão perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo 
que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se 
comportando desta forma. A atual expectativa é que a incipiente 
nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior 
miniaturização. 
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que: 
 
 
 
Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente 
semicondutores intrínsecos de Silício 
 
Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas. 
 
Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor 
submetido a uma diferença de potencial é próxima a velocidade da luz. 
 
A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de 
cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. 
 
O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua 
mobilidade em um semicondutor extrínseco. 
 
 
 
 
4. 
 
 
Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm? 
 
 
Resistência 
 
Indutância 
 
Condutividade 
 
 Resistividade 
 
Condutância 
 
 
 
 
5. 
 
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, 
por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo 
Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem 
localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser 
transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, 
recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 
km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual 
 
 
a 500 mm
2
. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20
o
C e que a 
resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10
-8
 Ω.m, qual alternativa 
abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 
80
o
C (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 
3,9x10
-3 o
C
-1
). 
 
 
3,89 Ω 
 
4,19 Ω 
 
3,4 Ω 
 
4,35 Ω 
 
6,8 Ω 
 
 
 
 
6. 
 
 
As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos 
para siderúrgicas, ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. 
Um resistor com coeficiente de variação de temperatura positivo de 4.10-3 ºC-1 
apresenta o valor de 5KΩ a 25 C º. Qual sua resistência na temperatura de 75 C º? 
 
 
 
4,25KΩ 
 
6KΩ 
 
25KΩ 
 
3KΩ 
 
1KΩ