AV1- Materiais Elétricos 2013.1 - CTZ

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Avaliação: CCE0252_AV1_ » MATERIAIS ELÉTRICOS 
Tipo de Avaliação: AV1 
Aluno: 
Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9001/A 
Nota da Prova: 4,0 de 8,0 Nota do Trabalho: Nota de Participação: 2 Data: 11/04/2013 20:30:43 
 
 
 1a Questão (Cód.: 86555) Pontos: 0,5 / 0,5 
Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm? 
 
 Condutividade 
 Resistividade 
 Indutância 
 Condutância 
 Resistência 
 
 
 
 2a Questão (Cód.: 160289) Pontos: 0,0 / 1,0 
Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos ¿impureza¿ na 
rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes 
nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n. 
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John 
Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 
 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta. 
 
 
 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio. 
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. 
 A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. 
 
A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. 
 
 
 
 3a Questão (Cód.: 8310) Pontos: 0,0 / 0,5 
A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas 
hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema 
Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a 
energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do 
ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de 
comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm
2
. Sabendo-se 
que a temperatura ambiente é igual a 20
o
C e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 
1,7x10
-8
 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma 
temperatura de 80
o
C (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10
-
3 o
C
-1
). 
 
 3,4 Ω 
 
4,35 Ω 
 
6,8 Ω 
 
3,89 Ω 
 4,19 Ω 
 
 
 
 4a Questão (Cód.: 160204) Pontos: 1,0 / 1,0 
Entre as diversas propriedades físicas associadas ao comportamento elétrico de um 
material, existe a resistividade, que é uma propriedade física intensiva, ou seja, não 
depende da geometria e nem da quantidade de massa apresentada pelo material. 
Matematicamente, a resistividade, , está relacionada a resistência R do material através 
da relação = R.A/l, onde A é a área da seção reta e l é o comprimento do material 
condutor, como ilustrado na figura a seguir. 
 
 
 
 
 Considerando-se que houve necessidade de estirar (esticar) o condutor, o que triplicou o 
seu comprimento e reduziu a sua área a um quarto da original, assinale entre as respostas 
a seguir aquela que melhor representa a nova resistência do condutor em função da 
resistência anterior R. 
 
 
8R. 
 
0,75R. 
 
0,67R. 
 12R. 
 
2,5R. 
 
 
 
 5a Questão (Cód.: 99577) Pontos: 0,5 / 0,5 
Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm na forma de 
um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção 
reta do fio igual a 0,38 mm2. 
 
 347,4 mili ohms 
 
399,9 mili ohms 
 
376,38 mili ohms 
 
384,2 mili ohms 
 
354,6 mili ohms 
 
 
 
 6a Questão (Cód.: 98327) Pontos: 0,0 / 1,0 
Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é 
percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. 
Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m. 
 
 
6,4 V 
 
120 mV 
 64 mV 
 1,2 V 
 
640 mV 
 
 
 
 7a Questão (Cód.: 160210) Pontos: 1,0 / 1,0 
Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. 
Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no 
qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as 
informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um 
condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. 
(MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 
1972, Chapter 3) 
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação: 
 
 V=R.i 
 
V=R i.A/l 
 
F=m.a 
 
V=N.i.E 
 
P=U.i 
 
 
 
 8a Questão (Cód.: 160235) Pontos: 0,0 / 1,0 
A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, 
cuja linguagem principal é a Matemática. 
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no 
entendimento das propriedades elétricas dos materiais. 
 
 
A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n. 
 
Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga. 
 Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material. 
 
Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do 
deslocamento retilíneo do elétron. 
 Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material. 
 
 
 
 9a Questão (Cód.: 160244) Pontos: 0,0 / 0,5 
A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende 
da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta 
propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a 
resistividade obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes. 
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a 
variação da resistividade com a temperatura. 
 
 
Elipse. 
 
Círculo. 
 Hipérbole. 
 Reta. 
 
Parábola. 
 
 
 
 10a Questão (Cód.: 160292) Pontos: 1,0 / 1,0 
A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de 
semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica 
um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. 
Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, 
Chapter 19). 
 
 
 
 Efeito Hall. 
 
Efeito Tcherenkov. 
 
Efeito Fischer. 
 
Lei de Ohm. 
 
Efeito Joule.