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Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar: A resistência elétrica quando varia com a Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor. Somente resistência elétrica varia com a temperatura. Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam Somente resistividade elétrica varia com a temperatura. 2a Questão (Ref.: 201401205807) Em 1827, Georg Simon Ohm (1787 publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi somente nas décadas seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos como a condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 4). Entre as opções a seguir, determine a que V=R.i V=R i.A/l F=m.a V=N.i.E P=U.i 3a Questão (Ref.: 201401205801) Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e deseja instalá-lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do fio a ser utilizado, considere a opção mais adequada ao contexto descrito anteriormente. O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais rapidamente transitarão em seu interior. Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio a ser comprado e nem o seu volume. Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule (geração de calor). Deverá ser comprado o fio de menor área de a quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da seção reta do fio utilizado. Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar: A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear. Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor. Somente resistência elétrica varia com a temperatura. Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor. Somente resistividade elétrica varia com a temperatura. (Ref.: 201401205807) Fórum de Dúvidas Em 1827, Georg Simon Ohm (1787-1854), professor da Universidade de Munique, publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos como a condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 4). Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa o conceito de resistividade: (Ref.: 201401205801) Fórum de Dúvidas Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do fio a ser utilizado, mais adequada ao contexto descrito anteriormente. O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais rapidamente transitarão em seu interior. Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio a ser comprado e nem o seu volume. Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que quanto menor esta área, menor a quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da seção reta do fio utilizado. Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar: temperatura o faz de forma linear. Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor. com a temperatura do condutor. Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) 1854), professor da Universidade de Munique, publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos como a condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and representa o conceito de resistividade: Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do fio a ser utilizado, mais adequada ao contexto descrito anteriormente. O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule seção reta, uma vez que quanto menor esta área, menor a quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este a resistividade e, portanto, permitirá a fácil passagem de elétrons. 4a Questão (Ref.: 201401205804) A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre a temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes. Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto Silício, Ferro, água pura. Cobre, Ouro, Prata e Níquel. Arseneto de Gálio, madeira e borracha. Madeira, borracha e água pura. 5a Questão (Ref.: 201401205805) Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento elétrico semelhante ao da borracha Madeira, borracha, vidro e isopor. Silício, Ferro, água pura salgada. Cobre, Ouro, Prata e Níquel. Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio. Isopor,madeira e água destilada e deionizada. Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este a resistividade e, portanto, permitirá a fácil passagem de elétrons. (Ref.: 201401205804) Fórum de Dúvidas A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre ratura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes. Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente semicondutores e isolantes. Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio. Silício, Ferro, água pura. Cobre, Ouro, Prata e Níquel. Arseneto de Gálio, madeira e borracha. Madeira, borracha e água pura. (Ref.: 201401205805) Fórum de Dúvidas Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento semelhante ao da borracha, podemos citar: Madeira, borracha, vidro e isopor. Silício, Ferro, água pura salgada. Cobre, Ouro, Prata e Níquel. Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio. Isopor, madeira e água destilada e deionizada. Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este apresentará menor Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre ratura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento 6a Questão (Ref.: 201401145182) Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 m resistividade é igual a 44 x 10 -6 Ω.cm e cuja área da seç comprimento deste fio. 0,01cm 0,41 cm 0,11 cm 0,31 cm 0,21 cm A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá cuja linguagem principal é a Matemática. Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais. Velocidade de deslocamento do obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron. Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material. A concentração de extrínseco do tipo Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material. Considera-se que o elétron desloca carga. 2a Questão (Ref.: 201401145181) Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 m resistividade é igual a 2,6 x 10 -6 Ω.cm e cuja área da seç comprimento deste fio. 20,15 cm 18,27 cm 16,24 cm 19,12 cm 15,26 cm (Ref.: 201401145182) Fórum de Dúvidas se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm 2 . Determine o valor do A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática. Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais. Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron. Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material. A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo extrínseco do tipo-n. Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material. se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de (Ref.: 201401145181) Fórum de Dúvidas se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm 2 . Determine o valor do Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Ω. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja . Determine o valor do através do método científico, Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no elétron no processo de transporte de carga é a velocidade Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da idade da luz em um processo de condução de Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Ω. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja . Determine o valor do 3a Questão (Ref.: 201401205815) Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam semicondutores de Silício do tipo P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5 livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um eleme que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem. Ba+2 As+5 B+3 Al+3 O-2 4a Questão (Ref.: 201401146636) Um pedaço de fio de alumínio tem resistência de 2 de alumínio, qual será sua resistência? ρ alunínio = 2,825 x 10 -6 Ω. ρ cobre = 1,723 x 10 -6 Ω.cm c) R = 0,328 Ω b) R = 1,22 Ω d) R = 0,122 Ω a) R = 3,28 Ω e) R = 2,83 Ω 5a Questão (Ref.: 201401145176) (Ref.: 201401205815) Fórum de Dúvidas Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserçãode átomos de Fó P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo +5 , diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um eleme substituir o Fósforo no processo de dopagem. (Ref.: 201401146636) Fórum de Dúvidas Um pedaço de fio de alumínio tem resistência de 2 Ω. Se pedaço de fio de cobre tem a mesmas dimensões do fio de alumínio, qual será sua resistência? Ω.cm à 20 ºC cm à 20 ºC (Ref.: 201401145176) Fórum de Dúvidas Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Se pedaço de fio de cobre tem a mesmas dimensões do fio Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 m seção reta igual a 0,38 mm 2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da ser utilizado. 4,75 x 10-6 Ω.cm 3,95 x 10-6 Ω.cm 3,21 x 10 -6 Ω.cm 6,45 x 10 -6 Ω.cm 7,81 x 10 -6 Ω.cm 6a Questão (Ref.: 201401286797) Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vib transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia quantizada denominada de fônon. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapt Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero. Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito. Provavelmente a energia cinética dos elétrons será campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e isolante quando submetidos a mesma diferença de potencial. Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm que a temperatura ambiente é igual a 20 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resist temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10 3 oC-1). 4,35 3,4 Ω se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a (Ref.: 201401286797) Fórum de Dúvidas Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vib transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). Com relação ao exposto, podemos afirmar que: Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero. Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito. Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material isolante sob campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e isolante quando submetidos a mesma diferença de potencial. Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a .m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma C (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10 4,35 Ω 3,4 Ω Ω. Para isso será utilizado um condutor de resistividade do material a Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional. Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vibração se transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An Com relação ao exposto, podemos afirmar que: Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero. Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito. maior em material isolante sob campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e isolante quando submetidos a mesma diferença de potencial. Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura. A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2.Sabendo-se vidade do cobre nesta temperatura é igual a ência ôhmica da linha para uma C (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10- 6,8 Ω 4,19 Ω 3,89 Ω 2a Questão (Ref.: 201401132151) Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm? Resistência Condutância Resistividade Indutância Condutividade 3a Questão (Ref.: 201401205845) Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica. Com relação aos semicondutores, Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente nas junções P Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores extrínsecos. A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem. Considera-se que o elétron desloca de condução de carga no interior de um condutor tipo A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro. 6,8 Ω 4,19 Ω 3,89 Ω (Ref.: 201401132151) Fórum de Dúvidas grandeza constante que está presente na Lei de Ohm? (Ref.: 201401205845) Fórum de Dúvidas Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica. Com relação aos semicondutores, podemos afirmar: Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas junções P-N. Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem. se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p. A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas te se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro. Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas 4a Questão (Ref.: 201401205841) A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma ρρρρ=ρρρρ0+ ββββT+αααα Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado. Reta. Hipérbole. Elipse. Círculo. Parábola. 5a Questão (Ref.: 201401205844) Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. of Electricity and Magnetism , Burnby Library, C Com relação aos semicondutores A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem. A condutividade elétrica de um elétricas somente se o semicondutor for do tipo Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas. Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a em um material. Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema. 6a Questão (Ref.: 201401641495) As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas, ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. Um resistor com coeficiente de variação de temperatura positivo de 4.10-3 ºC- (Ref.: 201401205841) Fórum de Dúvidas A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão ρρρρ=ρρρρ0 constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode ααααT2 , onde ρ0 , b e α€são constantes. Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado. (Ref.: 201401205844) Fórum de Dúvidas Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17). Com relação aos semicondutores é correto afirmar que: A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem. A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas. Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema. 201401641495) Fórum de Dúvidas As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas, ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entre outras. Um resistor com coeficiente de variação de -1 apresenta o valor de 5KΩ a 25 C º. Qual sua resistência na temperatura de Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, 0+ααααT, onde ρρρρ0 e αααα ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) rede cristalina do Silício de alta pureza é através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, (MEYER HERBERT W., A History onnecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17). A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas facilidade de transporte de cargas elétricas Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) As resistências de aquecimento são fabricadas em fios ou fitas e empregadas em fornos para siderúrgicas, ferros de passar e de soldar, eletrodomésticos,estufas entreoutras. Um resistor com coeficiente de variação de º. Qual sua resistência na temperatura de 75 C º? 4,25KΩ 3KΩ 25KΩ 1KΩ 6KΩ Qual é a principal característica dos materiais semicondutores? São somente condutores São somente isolantes Não são condutores e isolantes. São somente supercondutores. São condutores e isolantes. 2a Questão (Ref.: 201401205884) Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Considerando a figura a seguir, escolha a opção Qual é a principal característica dos materiais semicondutores? São somente condutores São somente isolantes condutores e isolantes. São somente supercondutores. São condutores e isolantes. (Ref.: 201401205884) Fórum de Dúvidas se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, ando a figura a seguir, escolha a opção correta. Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio 3a Questão (Ref.: 201401291980) O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício. Considerando a exposição anterio a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos". A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício. cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio (Ref.: 201401291980) Fórum de Dúvidas O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que. a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n. A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p. Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n. a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p. a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n. a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina 4a Questão (Ref.: 201401286808) Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste processo. Be+2 O-2 P+5 Ge+5 Na+ 5a Questão (Ref.: 201401205888) A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n. inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p. a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n. a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco. Gabarito Comentado (Ref.: 201401286808) Fórum de Dúvidas Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste (Ref.: 201401205888) Fórum de Dúvidas A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n. inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p. a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n. um condutor extrínseco. Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction,John Wiley & Sons, USA, 1997, Efeito Joule. Efeito Fischer. Efeito Hall. Efeito Tcherenkov. Lei de Ohm. 6a Questão (Ref.: 201401205862) O Germânio foi um dos elementos testados no início da microeletrônica para ser utilizado como semicondutor; porém, o mesmo possui algumas características diferentes com relação ao Silício; por exemplo, é muito comum em projetos de microcircuitos, utilizar como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m) Considerando-se o exposto anteriormente e sabendo semicondutor de Germânio em função da temperatura é dada por 1 aproximadamente, onde T correta abaixo: O componente só poderá trabalhar a temperatura ambiente de 25 corresponde a 298K na escala Kelvin. O componente poderá trabalhar a temperatura de 150oC, temperatura de 423K na escala Kelvin. O componente não apresentará limitações quanto a temperatura de trabalho. O componente possui temperatura limite de trabalho igual a 170 a 443K na escala Kelvin. O componente poderá trabalhar até a temperatura de 200 473K. Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta um pedaço de 1 m de fio, e elevando resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio. 2a Questão (Ref.: 201401132159) O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem que modo esta dependência é explicitada? Logarítmica (Ref.: 201401205862) Fórum de Dúvidas O Germânio foi um dos elementos testados no início da microeletrônica para ser utilizado como semicondutor; porém, o mesmo possui algumas características diferentes com relação ao Silício; por exemplo, é muito comum em projetos de microcircuitos, utilizar como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m) se o exposto anteriormente e sabendo-se que a condutividade elétrica do semicondutor de Germânio em função da temperatura é dada por é a temperatura de trabalho em Kelvin, marque a opção O componente só poderá trabalhar a temperatura ambiente de 25 corresponde a 298K na escala Kelvin. O componente poderá trabalhar a temperatura de 150oC, temperatura de 423K na escala Kelvin. O componente não apresentará limitações quanto a temperatura de trabalho. O componente possui temperatura limite de trabalho igual a 170 a 443K na escala Kelvin. O componente poderá trabalhar até a temperatura de 200 Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio. 5 m 15 m 10 m 13,5 m 12 m (Ref.: 201401132159) Fórum de Dúvidas O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada? Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) O Germânio foi um dos elementos testados no início da microeletrônica para ser utilizado como semicondutor; porém, o mesmo possui algumas características diferentes com relação ao Silício; por exemplo, é muito comum em projetos de microcircuitos, utilizar como condutividade elétrica máxima para o Germânio o valor de 100 (ohm.m) -1. se que a condutividade elétrica do semicondutor de Germânio em função da temperatura é dada por ln σσσσ = 14 - 4.000. T- é a temperatura de trabalho em Kelvin, marque a opção O componente só poderá trabalhar a temperatura ambiente de 25oC, que que corresponde a O componente não apresentará limitações quanto a temperatura de trabalho. O componente possui temperatura limite de trabalho igual a 170oC, que corresponde O componente poderá trabalhar até a temperatura de 200oC, que corresponde a Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se tante para 75 graus Celsius, verifica-se que a se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) uma dependência com a variação da temperatura. De Linear Trigonométrica Quadrática Exponencial 3a Questão (Ref.: 201401205915) Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, es alternativa correta: A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado Provavelmente tanto o material 1 como o 2 são cerâmicos. O corpo 1 trata-se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico. Provavelmente 1 e 2 são semicondutores. Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de movimentação, enquanto no corpo 2, isso não 4a Questão (Ref.: 201401641499) Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do os itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO: No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um substrato cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos processos. No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso e materiais cerâmicos. No filme de carbono o elemento resistivo é fabricado pela um substrato ou base. A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato. No fio enrolado há limitação quanto a resolução e desempenho de ruído. (Ref.: 201401205915) Fórum de Dúvidas Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram-se dois corpos, 1 suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, es A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado Provavelmente tanto o material 1 como o 2 são cerâmicos. se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico. Provavelmente 1 e 2 são semicondutores. Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de movimentação, enquanto no corpo 2, isso não ocorre. (Ref.: 201401641499) Fórum de Dúvidas Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO: No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um substrato cerâmico, sendo o filme de metal o mais barato dos processos. No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso No filme de carbono o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de carbono sobre A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato. No fio enrolado há limitação quanto a resolução e desempenho de ruído. Gabarito Comentado Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) se dois corpos, 1 e 2, suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa- se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a cargaconcentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, escolha a A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico. Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção com exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO: No filme de metal o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme de metal sobre um No CERMET o elemento resistivo é fabricado pela deposição de um filme composto de metal precioso deposição de um filme de carbono sobre A composição de carbono produz um potenciômetro relativamente barato. 5a Questão (Ref.: 201401641498) Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo composição de carbono e plástico fio enrolado e CERMET cerâmica e fio enrolado CERMET e filme de carbono filme de madeira (wood film) e filme de metal 6a Questão (Ref.: 201401205921) Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material mostrado na figura a seguir. Considerando razão entre a sua carga, Q submetido, ou seja, C=Q/V capacitor mostrado na figura. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). 0. Q0 = C. V C=Q0 / V C=Q´/V. (Ref.: 201401641498) Fórum de Dúvidas Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO: composição de carbono e plástico cerâmica e fio enrolado CERMET e filme de carbono filme de madeira (wood film) e filme de metal Gabarito Comentado (Ref.: 201401205921) Fórum de Dúvidas Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material mostrado na figura a seguir. Considerando-se que a capacitância, C Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está C=Q/V, assinale a opçãocorreta que fornece a capac capacitor mostrado na figura. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19). Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO: Fórum de Dúvidas (0) Saiba (0) Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como C, de um capacitor é a , ao qual o mesmo está que fornece a capacitância do (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John C=(Q0 + Q´) / V
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