MATERIAIS ELÉTRICOS aula 1 a 5

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1a Questão (Ref.: 201503419329)
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	Nas instalações, é comum vermos operários com vestimentas especiais, são os Equipamentos de Proteção Individual (EPI), que devem ser utilizados em diversas ocasiões, cada qual com sua especificidade.. No EPI de quem mexe com eletricidade, é fundamental a utilização de luvas de borracha de boa qualidade para promover o isolamento das mãos do operador em relação a um possível meio eletricamente carregado, pois se sabe que correntes da ordem de 20mA já podem causar parada respiratória. Entre os materiais que podem ser classificados quanto ao seu comportamento elétrico semelhante ao da borracha, podemos citar: 
		
	
	Silício, Ferro, água pura salgada.
	 
	Isopor, madeira e água destilada e deionizada.
	
	Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
	
	Madeira, borracha, vidro e isopor.
	
	Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Cloreto de Sódio.
	
	 2a Questão (Ref.: 201503419325)
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	Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e deseja instalá-lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do fio a ser utilizado, considere a opção mais adequada ao contexto descrito anteriormente.
		
	 
	Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule (geração de calor).
	
	Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que quanto menor esta área, menor a quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da seção reta do fio utilizado.
	
	O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais rapidamente transitarão em seu interior.
	
	Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio a ser comprado e nem o seu volume.
	
	Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistividade e, portanto, permitirá a fácil passagem de elétrons.
	
	 3a Questão (Ref.: 201503419328)
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	A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre a temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes.
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes.
		
	
	Madeira, borracha e água pura.
	
	Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
	 
	Arseneto de Gálio, madeira e borracha.
	
	Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio.
	
	Silício, Ferro, água pura.
	
	 4a Questão (Ref.: 201503419327)
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	Um aluno do curso de Engenharia, conhecedor das propriedades elétricas dos materiais, recebeu a tarefa de aumentar a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 20 ohms para 30 ohms. Considerando-se que não haverá variação na área da seção reta do material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 5m, pode-se dizer que:
		
	
	Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do fio.
	
	O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 33,3% o diâmetro do fio que compõe a bobina.
	 
	O novo comprimento deverá ser de 7,5m.
	
	O novo comprimento poderá estar entre 3,3m e 7,5m.
	
	O novo comprimento deverá ser de 3,3m.
	
	 5a Questão (Ref.: 201503419330)
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	Georg Simon Ohm (1787-1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde, seria conhecida como Lei de Ohm. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 3)
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
		
	
	V=R i.A/l
	
	V=N.i.E
	 
	V=R.i
	
	P=U.i
	
	F=m.a
	
	 6a Questão (Ref.: 201503419322)
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	Alunos do curso de Engenharia da UNESA realizaram um experimento básico representado na figura a seguir.
 
  
  
Entre os pontos A e B estabeleceram diversas diferenças de potencial, V, no condutor ôhmico designado por R, obtendo os valores de corrente, i, expressos na tabela a seguir.
 
	i (Ampère)
	2,60
	2,10
	2,00
	6,30
	V (volt)
	5,00
	4,30
	4,20
	12,60
 
Baseado nas informações anteriores, podemos concluir que a resistência do resistor ôhmico é melhor quantificada por.
 
 
		
	 
	2,0 ohms
	
	1,6 ohms
	
	0,5 ohms
	
	0,75 ohms
	
	2,5 ohms
	
	 7a Questão (Ref.: 201503419331)
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	Em 1827, Georg Simon Ohm (1787-1854), professor da Universidade de Munique, publicou em artigo a relação que mais tarde levaria seu nome, a Lei de Ohm. Contudo, foi somente nas décadas seguintes que o estudo adquiriu relevância e gerou outros conceitos como a condutividade e a resistividade (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism . Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 4).
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa o conceito de resistividade:
		
	
	V=R.i
	
	F=m.a
	
	V=N.i.E
	
	P=U.i
	 
	V=R i.A/l
	
	 8a Questão (Ref.: 201503358684)
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	Na temperatura de 25oC mediu-se o valor da resistência de um resistor e obteve-se 12,2 Ω. O material do qual é feito o resistor apresenta um coeficiente de temperatura igual a 0,0042 oC-1. Determine o valor da nova resistência na temperatura de 60oC.
		
	
	15,82 ohms
	 
	13,99 ohms
	
	9,23 ohms
	
	4,36 ohms
	
	11,65 ohms
	
	 1a Questão (Ref.: 201503419324)
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	Entre as diversas propriedades físicas associadas ao comportamento elétrico de um material, existe a resistividade, que é uma propriedade física intensiva, ou seja, não depende da geometria e nem da quantidade de massa apresentada pelo material. Matematicamente, a resistividade, r, está relacionada a resistência R do material através da relação r = R.A/l, onde A é a área da seção reta e l é o comprimento do material condutor, como ilustrado na figura a seguir.
 
 
 
 
 Considerando-se que houve necessidade de estirar (esticar) o condutor, o que triplicou o seu comprimento e reduziu a sua área a um quarto da original, assinale entre as respostas a seguir aquela que melhor representa a nova resistência do condutor em função da resistência anterior R.
		
	
	0,67R.
	 
	12R.
	
	0,75R.
	
	2,5R.
	
	8R.
	
	 2a Questão (Ref.: 201503358702)
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	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.0,65 cm2
	
	0,84 cm2
	 
	0,53 cm2
	
	0,72 cm2
	
	0,97 cm2
	
	 3a Questão (Ref.: 201503419332)
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	Com relação a facilidade do transporte de carga elétrica, os materiais são classificados em condutores, semicondutores ou isolantes, ou seja, todos possuem uma maior ou menor facilidade resistência a passagem de corrente elétrica. Esta propriedade é denominada resistência elétrica e é designada por R.
Considerando um condutor cilíndrico com uma diferença de potencial aplicada em sua extremidade, pode-se enunciar que a resistência elétrica varia com o comprimento e com a área do objeto em questão. Considerando as idéias enunciadas anteriormente, assinale a opção que contém a expressão correta comumente utilizada no cálculo de parâmetros e variáveis elétricas de um material.
		
	
	V=R i.A/l
	
	P=U.i3
	
	F=m.a.l
	
	V=N.i.E.l
	 
	R=V/i
	
	 4a Questão (Ref.: 201503358696)
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	Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,5 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2.
		
	
	2,22 ohms
	
	0,99 ohms
	 
	1,11 ohms
	
	3,33 ohms
	
	4,44 ohms
	
	 5a Questão (Ref.: 201503358703)
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	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	 
	0,27 cm2
	
	0,21 cm2
	
	0,19 cm2
	
	0,25 cm2
	
	0,23 cm2
	
	 6a Questão (Ref.: 201503358706)
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	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		
	
	0,01cm
	
	0,31 cm
	
	0,21 cm
	
	0,41 cm
	 
	0,11 cm
	
	 7a Questão (Ref.: 201503358701)
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	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	2,09 cm2
	
	3,09 cm2
	
	4,09 cm2
	 
	0,09 cm2
	
	1,09 cm2
	
	 8a Questão (Ref.: 201503505502)
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	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica.
Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	
	
	
	 1a Questão (Ref.: 201503358697)
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	Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,38 mm2.
		
	
	384,2 mili ohms
	
	399,9 mili ohms
	
	376,38 mili ohms
	
	354,6 mili ohms
	 
	347,4 mili ohms
	
	
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201503358705)
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	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		
	
	19,12 cm
	
	16,24 cm
	
	20,15 cm
	 
	18,27 cm
	
	15,26 cm
	
	 3a Questão (Ref.: 201503500293)
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	Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
		
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe.
	
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito.
	 
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	 4a Questão (Ref.: 201503358695)
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	Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 1,6 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2.
		
	
	13 mili ohms
	
	11 mili ohms
	 
	12 mili ohms
	
	10 mili ohms
	
	14 mili ohms
	
	 5a Questão (Ref.: 201503419337)
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	Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos.
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por s=p.I e I.mh, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e.mh é mobilidade dos buracos.
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3 átomos de Boro, considerando mh = 0,05m2/V.s
 
		
	
	50 (ohm.m) -1 
	
	200 (ohm.m) -1 
	 
	400 (ohm.m) -1 
	
	4 (ohm.m) -1
	
	100 (ohm.m) -1
 
	 6a Questão (Ref.: 201503419353)
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	Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não.
A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor:
		
	
	Volume, comprimento do condutor e impurezas.
	
	Temperatura, pressão e impurezas.
	 
	Temperatura, impureza e deformação mecânica.
	
	Temperatura, comprimento do condutor e pressão.
	
	Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica.
	
	 7a Questão (Ref.: 201503419349)
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	Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente elétrico.  Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os elétrons sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicase na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve este fenômeno é:
		
	
	Supercondutividade elétrica.
	
	Resistividade elétrica.
	 
	Mobilidade elétrica.
	
	Resistência elétrica.
	
	Condutividade elétrica.
	
	 8a Questão (Ref.: 201503419333)
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	Os metais apresentam em sua microestrutura uma periodicidade na disposição dos átomos que os classifica como materiais cristalinos. Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que influencia na velocidade de transporte dos eletros, ou seja, quanto maior o número de falhas na estrutura cristalina, maior a dificuldade de deslocamento dos elétrons. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.me, onde E é a intensidade do campo elétrico e me é a mobilidade elétrica do elétron.
Sabendo-se que em um experimento, utilizou-se um campo elétrico igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja mobilidade elétrica é igual a me=0,0012m2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o valor da velocidade de deslocamento dos elétrons.
		
	
	50 m/s
	 
	0,72 m/s.
	
	5 m/s
	
	500.000 m/s
	
	7,2 m/s
	
	 1a Questão (Ref.: 201503419368)
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	Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
 
Com relação aos semicondutores é correto afirmar que:
		
	 
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas.
	
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.
	
	A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
	
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
	
	 2a Questão (Ref.: 201503419369)
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	Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica.
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar:
		
	 
	A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de ¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem.
	
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro.
	
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p.
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores extrínsecos.
	
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente nas junções P-N.
	
	 3a Questão (Ref.: 201503985870)
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	A "Bell Telephone Laboratories" passou a década de 1940 tentando criar dispositivos eletrônicos comutadores que fossem mais eficientes e baratos que as válvulas utilizadas. Finalmente, em 1947, dois de seus pesquisadores, Walter H. Brittain e John Bardeen tiveram sucesso na criação de um dispositivo amplificador a partir de uma placa de silício imersa em solução salina; iniciava-se a era dos semicondutores. A modelagem física referente a estes materiais se desenvolveu bastante nos anos seguintes, originando conceitos como condutividade intrínseca, cuja expressão podemos descrever como   s = p | e | mb  + n | e | me.
Com relação aos termos presentes na expressão anterior, podemos identificá-los como nos itens a seguir, com EXCEÇÂO de.
		
	
	me - mobilidade dos elétrons.
	 
	n - número de átomos por metro cúbico.
	
	p - número de buracos por metro cúbico.
	
	| e |- módulo da carga dos elétrons.
	
	mb - mobilidade do buraco.
	
	 4a Questão (Ref.: 201503419364)
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	A resistividade de um material é uma propriedade física intensiva e, portanto, não depende da forma do material e nem da quantidade em que este se apresenta. Contudo, esta propriedade varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a resistividade obedece a expressão r=r0+aT, onde r0 e a ao constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura.
		
	
	Círculo.
	 
	Reta.
	
	Parábola.
	
	Elipse.
	
	Hipérbole.
	
	 5a Questão (Ref.: 201503419772)
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	Polarização, como mostra a figura a seguir, é o alinhamento de momentos dipolares atômicos ou moleculares, permanentes ou induzidos, com um campo elétrico aplicado externamente. Das opções abaixo, indique aquela que não representa um tipo de polarização:
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
		
	 
	Magnética.
	
	Eletrônica.
	
	Iônica.
	
	Eletrônica + iônica
	
	De orientação.
	
	 6a Questão (Ref.: 201503419792)
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	Semicondutores de Silício do tipo-p são obtidos a partir da inserção de átomos de Alumínio, Al, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Alumínio possui valência igual a 3, Al+3, diz-se que esta inserção promove o surgimento de buracos. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Alumínio no processo de dopagem.
		
	 
	B+3
	
	Na+
	
	Ba+2
	
	As+5
	
	O-2
	 7a Questão (Ref.: 201503419367)
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	Do ponto de vista tecnológico,  a fabricação de transistores a partir de semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para a evolução da eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho insatisfatório devido a impurezas como o Ouro e o Cobre, devido às precárias técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que:
		
	
	A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores.
	 
	A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.
	
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n ou extrínseco do tipo-p.
	
	Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar semicondutores.
	
	Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de carga negativas ou portadores de carga positivas.
	
	 8a Questão (Ref.: 201503419356)
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	Em semicondutores, devemos considerar que sempre que ¿criamos¿ uma carga negativa, automaticamente "criamos" uma carga positiva (leida conservação das cargas), que está associada ao conceito físico de vazio (volume deixado pela saída do elétron), "buraco" ou, em inglês, hole.
A condutividade elétrica nos semicondutores intrínsecos é dependente da movimentação dos portadores de carga negativos (elétrons) e positivos (buracos) da seguinte forma: σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh, onde σ é a condutividade elétrica do material (ohm.m)-1; onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3), respectivamente І e І é o módulo da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), µe e µh são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente.
Considerando o exposto, pode-se afirmar que:
		
	 
	Nos condutores extrínsecos do tipo-n, onde N é muito maior que P, pode-se aproximar a expressão por σ = P ІeІ µh.
	
	Nos condutores intrínsecos, raramente tem-se N=P e, portanto, deve-se manter a expressão  σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh.
	 
	Nos condutores intrínsecos, tem-se N=P e, portanto, pode-se escrever que σ = N ІeІ (µe + µh).
	
	A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.
	
	Nos condutores extrínsecos do tipo-p, onde P é muito maior que N, pode-se aproximar a expressão por σ = N ІeІ µh.
	
	 1a Questão (Ref.: 201503505504)
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	O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício.
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
		
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos".
	
	a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
	 
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
	
	 2a Questão (Ref.: 201503419412)
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	A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	
	Efeito Fischer.
	
	Efeito Tcherenkov.
	 
	Efeito Hall.
	
	Efeito Joule.
	
	Lei de Ohm.
	
	 3a Questão (Ref.: 201503419408)
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	Pode-se dizer sem medo de cometer um erro crasso que a indústria da microeletrônica se originou entre as décadas de 40 e 50 do século XX, quando foram criados os semicondutores intrínsecos de Silício, Gálio e Germânio e suas variações extrínsecas obtidas a partir da dopagem com elementos como o Boro e o Fósforo. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	 4a Questão (Ref.: 201503419409)
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	Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	 5a Questão (Ref.: 201503419372)
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	A quantidade de buracos e elétrons em um semicondutor é uma função da temperatura a que este é submetido. Baseado no gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013% (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering - An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
 
 
 
 
 
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
		
	
	A 400oC aproximadamente, as condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos se igualam.
	 
	As condutividades elétricas dos semicondutores extrínsecos e intrínsecos nunca se igualam.
	
	A uma dada temperatura, quanto menor a concentração de Boro, maior será a condutividade do semicondutor.
	 
	A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco aumenta acentuadamente com o aumento da temperatura. 
	
	A condutividade elétrica do semicondutor intrínseco diminui acentuadamente com o aumento da temperatura.
	
	 6a Questão (Ref.: 201503985881)
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	Em 1951 o primeiro transistor, uma aplicação direta dos semicondutores, foi apresentado ao mundo comercial, porém somente em 1954 foi possível a produção em escala deste dispositivo eletrônico, após resolverem o problema de impurezas de ouro e cobre nas matrizes de silício e germânio, Com relação ao material motivador dos acontecimentos anteriormente descritos, os semicondutores, podemos afirmar que um grande número de modelagens físico-matemáticas foram desenvolvidas, entre as quais a que se refere a condutividade elétrica dos semicondutores extrínsecos tipo-p, na qual se expressa a predominância da concentração dos portadores de carga positiva, ou seja, dos buracos.
Com relação a esta expressão, qual das opções a seguir oferece a MELHOR representação.
		
	
	s = n | e | mb  + p | e | me
	 
	s = p | e | mb
	 
	s = n | e | me
	
	s = p | e | mb  + n | e | me
	
	s =  ni | e | ( me+ mb )
	
	 7a Questão (Ref.: 201503841346)
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	Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)-1. Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 1020 m-3 e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse material são respectivamente 0,09 m2/V.S e 0,28 m2/V.S, a concentração de elétrons é:
		
	
	541,05 x 1019 m-3
	 
	618,57 x 1019 m-3
	
	412,88 x 1019 m-3
	
	715,78 x 1019 m-3
	
	140,25 x 1019 m-3
	
	 8a Questão (Ref.: 201503358687)
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	Mediu-se um valor de resistência igual a 5,66 mΩ na temperatura de 70oC. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material utilizado é igual a 0,0036 oC-1, determine o valor da resistência esperada na temperatura de 25oC.
		
	
	5,43 ohms
	
	7,46 ohms
	 
	4,87 ohms
	
	5,41miliohms
	
	6,57 ohms
	
	 1a Questão (Ref.: 201503419445)
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	Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-se que  a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opção correta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	
	C=Q0 / V
	 
	C=(Q0 + Q´) / V
	
	0.
	
	Q0 = C. V
	
	C=Q´/V.
	
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201503985890)
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	Ao projetarmos aparatos elétricos, devemos prever que existirão partes deste equipamento em que a condução elétrica é essencial e outras partes nas quais a condução não só é desnecessária, mas altamente inconveniente devido ao perigo de choque elétrico. Para excluir ou minimizar as possibilidades de descargas elétricas deletérias a vida, utilizam-se materiais isolantes como os polímeros e os cerâmicos, que possuem algumas propriedades características, entre as quais só NÃO podemos citar:
		
	
	Os cerâmicos possuem não só baixa condutividade elétrica, mas também baixa condutividade térmica.
	
	Os polímeros apresentam grande facilidade de se ajustar aos formatos solicitados, devido a grande ductilidade.
	 
	Os cerâmicos são materiais capazes de absorver energia sem fragmentação fácil, apresentando baixa fragilidade.
	
	Os cerâmicos existem em grande abundância na natureza, tendo como exemplos os nitretos e silicatos.
	
	Os polímeros são compostos de grandes cadeias moleculares, apresentando baixo ponto de fusão.
	
	 3a Questão (Ref.: 201503357447)
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	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	120 mV
	
	640 mV
	
	6,4 V
	 
	64 mV
	
	1,2 V
	
	 4a Questão (Ref.: 201503360605)
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	O Isolante tem a função de isolação entre o condutor interno e externo, porém esta é uma visão simplificada do que acontece na transmissão de um sinal. Qual das alternativas abaixo é a aquela totalmente incorreta no que tange a conformidade com o texto?
		
	
	A isolação é importante, e, para que tenhamos certeza sob a qualidade desta isolação devemos levar o material a laboratório e submetê-lo a testes apropriados para verificarmos suas características.
	
	Na transmissão de um sinal devemos lembrar que o "sinal" não é formado apenas pela corrente elétrica que ocorre devido a aplicação de um determinado nível de tensão nos condutores interno e externo.
	 
	Este meio a qual chamamos simplesmente de isolação não tem grande importância na qualificação de um cabo coaxial, além daquela de isolar os codutores internos e externos.
	
	Além da corrente elétrica, também deve ser considerado o campo elétrico e magnético que se estabelece na isolação em função desta corrente e nível de tensão.
	
	Muitas vezes uma simples inspeção visual do cabo que desejamos adquirir pode nos indicar alguma informação sobre a qualidade do mesmo.
	
	 5a Questão (Ref.: 201503272632)
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	Um fio condutor de comprimento inicial l, apresenta a 25 graus Celsius , uma resistência R = 90 Ohm; corta-se um pedaço de 1 m de fio, e elevando-se a temperatura do fio restante para 75 graus Celsius, verifica-se que a resistência ôhmica do mesmo é de 100 W. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material é de 4x10- 3 1/C , determine o comprimento inicial l do fio.
		
	
	5 m
	
	10 m
	
	15 m
	
	12 m
	 
	13,5 m
	
	 6a Questão (Ref.: 201503855022)
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	Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
		
	
	fio enrolado e CERMET
	
	cerâmica e fio enrolado
	 
	filme de madeira (wood film) e filme de metal
	
	composição de carbono e plástico
	
	CERMET e filme de carbono
	
	 7a Questão (Ref.: 201503359571)
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	Os diversos tipos de capacitores têm as seguintes características:
I. Os capacitores de mica são encontrados com valores altos de capacitância.
II. O capacitor de cerâmica suporta tensões elevadas até 3 kV.
III. O capacitor eletrolítico de alumínio é utilizado em fontes de alimentação.
IV. Os capacitores de polyester são capacitores caros que podem funcionar em altas frequências.
V. O capacitor eletrolítico de alumínio é um capacitor de alta capacitância e não suporta tensões elevadas.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
		
	
	a. Somente a afirmação V.
	
	c. As afirmações I e V.
	
	b. As afirmações II e III.
	 
	e. As afirmações II, III e V.
	
	d. As afirmações I, II e IV.
	
	 8a Questão (Ref.: 201503345683)
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	O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada?
	
	
	Quadrática
	 
	Linear
	
	Logarítmica
	
	Trigonométrica
	
	Exponencial