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MEMÓRIAS Um circuito que permite o armazenamento de um ou mais bits por tempo indeterminado é denominado de memória. Tais bits podem ser acessados (procedimento de leitura) ou substituídos (procedimento de escrita). As memórias podem ser somente de leitura (read) ou de leitura e escrita (read and write); por isso, temos tipos diferentes de memória para satisfazer cada caso específico. 2 MEMÓRIAS O desenvolvimento e expansão da tecnologia de fabricação de circuitos integrados para armazenamento de dados determinaram o grande avanço dos computadores digitais. Até 1970, as memórias de núcleo de ferrite eram de uso corrente. Entretanto, por causa de seu alto custo, grande consumo e limitações em velocidade foram substituídos pelas memórias a semicondutores que lideram o mercado até hoje. 3 MEMÓRIAS Entre as principais características para se avaliar as memórias, podemos destacar: Densidade: Número de bits armazenados por área física. Está relacionado à capacidade total de armazenamento. Velocidade: Se refere à rapidez com que os dados podem ser acessados (lidos) ou armazenados (escritos). Potência: Potência consumida ou dissipada pela memória. Custo: Custo para armazenamento por bit, ou seja, o valor do semicondutor dividido pelo número de bits que pode armazenar. 4 MEMÓRIAS No manuseio de memórias é comum o uso de expressões referentes aos modos de operação, aos terminais de entrada/saída, à capacidade de armazenamento e a sinais de controle. Escrita (Write): Termo usado para o procedimento de armazenamento de uma informação binária na memória. Numa operação de escrita, a informação colocada nas entradas de dados é copiada numa posição ou endereço da memória. Leitura (Read): Termo usado para o procedimento de obtenção, ou busca, de uma informação armazenada em uma memória. Numa operação de leitura, a informação é armazenada na posição correspondente às entradas de endereço e copiada nos bits de saída. 5 MEMÓRIAS Palavra (Word): Corresponde à informação formada por um grupo de bits armazenado em uma determinada posição de memória que chamamos de endereço. Endereços (Address): Correspondem aos terminais do circuito integrado usados para identificar uma certaposição de memória. Entrada de Dados (Data Input): Correspondem aos terminais do circuito integrado usados para introdução dos dados a serem armazenados. Saída de Dados (Data Output): Correspondem aos terminais do circuito integrado onde serão colocados os dados armazenados numa dada posição da memória, em uma operação de leitura. 6 MEMÓRIAS Byte: Termo usado para uma informação binária que contém 8 bits. Kilobyte: Termo usado para um conjunto de 1.024 bytes. Memória volátil: É aquela que perde seu conteúdo na ausência de alimentação. Memória fixa: É aquela que não perde seu conteúdo na ausência de alimentação. 7 MEMÓRIAS Habilitação do CI (Chip Enable): Um terminal do circuito integrado, quando polarizado convenientemente habilita ou desabilita a operação do chip provocando uma redução na potência dissipada e impedindo a operação de escrita e leitura. Normalmente tais entradas são designadas por CE (Chip Enable) quando a habilitação é com NL1 ou CE barrado quando a habilitação é com NL0. Alguns chips são designados por CS (Chip Select) em vez de CE, porém ambos têm a mesma finalidade. 8 MEMÓRIAS As memórias podem ser divididas em dois tipos: Memórias apenas de Leitura (ROM) e Memórias de Acesso Aleatório (RAM). As memórias ROM são do tipo fixa e permitem o acesso aleatório a qualquer um dos endereços. Permite apenas a leitura do conteúdo e é destinada a guardar uma informação de forma permanente. As memórias RAM são do tipo volátil e permitem o acesso aleatório a qualquer um dos endereços tanto para a escrita quanto para a leitura. São usadas para armazenar temporariamente as informações, tais como os programas dos usuários (principalmente de computador). 9 MEMÓRIAS ROM ROM (Read Only Memory): Essa foi o primeiro tipo de memória da família ROM que surgiu e a informação é gravada pelo fabricante através da queima de componentes (diodos, fusíveis ou transistores bipolares) em uma matriz conforme a solicitação do projetista. O funcionamento por queima de componentes é muito simples. Sempre que houver a necessidade de se gravar “1” mantém-se a integridade do componente, caso contrário queima-se o mesmo. Para uma memória constituída de fusíveis, quando se coloca “Vcc” no terminal de entrada de um fusível, na saída obtém-se NL1; no entanto, num fusível queimado, quando se coloca no seu terminal de entrada “Vcc”, na saída obtém-se NL0, formando assim a lógica de gravação de uma memória do tipo ROM. 10 MEMÓRIAS ROM A utilização da memória ROM tem duas grandes desvantagens: Como a gravação depende do fabricante, o projetista fica sujeito a morosidade da entrega da memória gravada. O custo é alto, viabilizando o uso da memória apenas para produtos produzidos em larga escala, pois a aquisição de memórias em compras maiores reduz o custo por unidade. 11 MEMÓRIAS ROM PROM (Programmable Read Only Memory): Esse tipo de memória soluciona os problemas levantados pelas desvantagens do uso da memória ROM, pois nesse caso a gravação é feita pelo próprio projetista. Essa gravação funciona da mesma maneira que na ROM, ou seja, por queima de componentes e evidentemente o armazenamento dos dados não ocorre durante o processo de fabricação do chip. O procedimento para a queima dos componentes é fornecido pelos fabricantes e específico para cada circuito. A gravação é executada através de um aparelho chamado “Gravador de PROM”, que tem como função a queima dos componentes conforme a tabela de gravação do projeto. 12 MEMÓRIAS ROM PROM (Programmable Read Only Memory): A memória PROM apresenta ainda uma grande desvantagem, pois uma vez programada (gravada) não pode ser apagada para correções ou nova utilização. Isto ocorre porque uma vez que houve a queima dos componentes é impossível a sua substituição. 13 MEMÓRIAS ROM EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) Essas memórias podem ser programadas e reprogramadas pelo usuário, ou seja, em caso de erros de programação o chip não precisa ser descartado, como nas memórias ROM e PROM. A programação (gravação) é feita pela aplicação de sinais elétricos convenientes em pinos do chip e indicados pelos fabricantes. A EPROM na verdade é um dispositivo com arquitetura similar às PROMs, mas do tipo MOS, onde o conjunto inteiro das informações armazenadas pode ser apagado através da aplicação de raios ultravioletas em uma janela de quartz localizada numa das faces do chip. 14 MEMÓRIAS ROM EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) Este raio deve possuir comprimento de onda em torno de 2.537 Å, uma potência própria indicada pelo fabricante e ser aplicado durante um intervalo de tempo situado entre 10 e 30 minutos. A gravação é feita através de circuitos eletrônicos especiais, ou seja, um aparelho chamado de “Gravador de EPROM”. Essa memória é implementada usando o princípio de armazenamento do tipo “Floating-gate Avalanche Injection MOS”. Num transistor PMOS, um potencial negativo aplicado ao gate produz um canal de condução de cargas positivas (buracos) entre a fonte e o dreno. 15 MEMÓRIAS ROM EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) No transistor FMOS, para causar a condução da fonte para o dreno e o conseqüente armazenamento de cargas negativas no gate, devemos aplicar um pulso da ordemde 25 V a 50 V na junção p-n (dreno / fonte). Cerca de 20 a 30 % da carga armazenada se perde depois de 20 anos. O pulso de programa é aplicado em um pino próprio do circuito no qual foram polarizadas as linhas de dados e endereços. A duração típica desse pulso é da ordem de 1 ms e são necessários aproximadamente 100 desses pulsos para cada linha de endereço da EPROM. O apagamento ocorre quando os elétrons armazenados retornam ao substrato pela exposição aos raios ultravioletas. 16 MEMÓRIAS ROM E2PROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) Neste tipo de memória, tanto a gravação como a desgravação é feita por sinais elétricos, ou seja, pode-se ler e escrever no próprio circuito em que a memória E2PROM (ou EEPROM) faz parte, sem ter que tirá-la para apagar e depois gravar no aparelho gravador e em seguida retornar ao circuito. O principal meio de implementação é o “Metal Oxide Semicondutor NMOS”. Na verdade é um MOS modificado onde é usado um capacitor de carga que alcança um tempo de armazenamento entre 20 e 30 anos. 17 MEMÓRIAS ROM E2PROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) Uma tensão elevada e da ordem de 20 V entre a porta e dreno provoca a indução de cargas nas portas flutuantes que ali permanecem quando a tensão é retirada. Uma tensão reversa apaga a carga armazenada. Desta forma, tanto a programação como o apagamento pode ser feito por endereços de memória. Não é preciso apagar toda a memória para corrigir algum dado ou usar a memória com novos valores. Também não é necessário retirar os chips dos soquetes conforme já comentado anteriormente. A memória E2PROM pode ser inteiramente gravada ou apagada em 10 ms. 18 MEMÓRIAS ROM E2PROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) Essa memória pode-se confundir com a RAM uma vez que pode ser lida e escrita no próprio circuito, porém a E2PROM quando gravada permanece com os dados armazenados mesmo que se retire sua alimentação, o que é característica básica de uma memória da família ROM, sem contar que a arquitetura também se baseia nos moldes da EPROM. 19 MEMÓRIAS ROM Memória FLASH Foi desenvolvida pelos engenheiros com o objetivo de fabricar uma memória não-volátil com a capacidade da E2PROM de apagamento elétrico no próprio circuito, mas com densidades e custos muito próximos dos apresentados pelas EPROMs, mantendo a alta velocidade de leitura de ambas. Estruturalmente, uma célula de memória flash é semelhante à célula da EPROM, apenas um pouco maior. O custo da memória flash é consideravelmente menor do que o da E2PROM, embora ainda não seja tão próximo do custo da EPROM. 20 MEMÓRIAS ROM Memória FLASH As memórias flash são assim chamadas em virtude dos seus tempos curtos de apagamento e de escrita. A maioria dos CIs flash usa uma operação de apagamento total, na qual todas as células do chip são apagadas simultaneamente. Algumas memórias flash mais recentes oferecem um modo de apagamento por setor, evitando assim ter de apagar e reprogramar todas as células quando apenas uma parte da memória precisa ser atualizada. 21 MEMÓRIAS ROM A figura seguinte ilustra uma comparação relativa entre as diversas memórias semicondutoras não voláteis. A flexibilidade de apagar e programar aumenta, assim como a complexidade e o custo do dispositivo. 22 DIMENSIONAMENTO DE MEMÓRIAS O dimensionamento de memórias é igual para qualquer tipo de memória, seja da família ROM ou da família RAM. Para melhor compreender o dimensionamento ou tamanho de memória, vamos exemplificar através das figuras seguintes: 23 DIMENSIONAMENTO DE MEMÓRIAS As figuras A e B representam uma determinada memória da família ROM totalmente fictícia. A figura A representa a forma como os bits são armazenados dentro da memória, ou seja, cada linha significa um endereço, que conforme o exemplo dado, vai de “0” a “2.047”, resultando num total de 2.048 endereços. Verifique que nesse exemplo cada endereço tem 10 bits, sendo que no total essa memória tem 20.480 bits. O dimensionamento é dado na seguinte formato: 24 DIMENSIONAMENTO DE MEMÓRIAS 25 DIMENSIONAMENTO DE MEMÓRIAS 26 Nesse exemplo então, a memória tem tamanho de 2.048 x 10, ou seja, 2.048 endereços sendo que em cada endereço tem 10 bits. Nesse exemplo, como existem 2.048 endereços então existe 2.048 pinos no chip para poder acessar cada um desses endereços? Claro que não, pois se você reparar na figura B (pinagem do circuito integrado) vai observar que existem 11 pinos para o endereçamento dos 2.048 endereços, que vai do pino A0 até o pino A10. Isso é possível devido a seguinte fórmula: DIMENSIONAMENTO DE MEMÓRIAS 27 O número de pinos de saída da memória depende de quantos bits existem por endereço, pois desta forma se houver 10 bits por endereço, esse invólucro terá 10 pinos de saída (Q), onde cada pino de saída representa um bit gravado no determinado endereço. Por exemplo: se for acionado o endereço 3 da memória fictícia anterior, devemos introduzir nos pinos de entrada o seguinte código: 00000000011 e a saída da memória será 0111011000. Não devemos esquecer de introduzir “0” no pino CE para poder habilitar a memória. Ainda com esse exemplo fictício, podemos mostrar as 3 maneiras de se dimensionar uma memória: 2.048 x 10 ou 2K x 10 ou 2^11 x 10 CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA A construção interna de uma memória da família ROM é feita pelo processo matricial conforme o desenho. 28 CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA No caso de memórias do tipo ROM ou PROM que funcionam por queima de componentes (diodo, fusível ou transistor bipolar), o seu princípio de construção é feito através do cruzamento de todos os endereços com todas as saídas pelo sistema matricial, onde cada cruzamento é constituído por um dos componentes a serem queimados conforme a conveniência. Já nos casos da EPROM ou da E2PROM também é pelo processo matricial descrito acima, só que em cada cruzamento fazem parte os transistores da família MOS que evidentemente neste caso não serão queimados e sim polarizados convenientemente. 29 CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA Verificando-se o exemplo da configuração interna da figura, nota- se que o cruzamento dos endereços com as saídas dá-se através de diodos (no caso ainda virgens). Sendo uma ROM ou PROM tanto pode ter nos cruzamentos diodos como fusíveis ou transistores que funcionarão pela queima dos mesmos. Se a memória for constituída internamente por transistores bipolares, o tempo de acesso é de aproximadamente 50 ns. Tempo de acesso significa o período decorrido desde o momento em que a memória foi endereçada até que a palavra esteja disponível na saída da memória. 30 CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA Exemplo: Determine como será a gravação de uma memória ROM 8 x 4, conforme a tabela seguinte: 31 CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA Resposta: O desenho abaixo representa uma memória ROM virgem de tamanho 8 x 4, ou seja, 8 endereços (3 pinos de entrada) por 4 bits por endereço (4 pinos de saída). Observe que o DEMUX tem a função de decodificar os 3 pinos de entrada (A2, A1 e A0) em 8 endereços, onde cada endereço corresponde a uma coluna e cada saída corresponde a uma linha. O cruzamento das colunas com as linhas é feito através dos diodos (ainda não queimados). 32 CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA A figura representa o circuito interno da memória ROM com os componentes já queimados segundo a tabela de gravação necessária para a realização do suposto projeto. Os diodos queimados estão ausentes no desenho e em seu lugaraparece uma pequena mancha que representa a queima do componente. 33 CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA Vamos introduzir nos pinos de entrada da memória os seguintes dados: A2 = 0, A1 = 0 e A0 = 0. Dessa maneira o DEMUX vai acoplar a sua entrada (Vcc) com a primeira saída (S0). Isto significa que S0 está em NL1 enquanto as demais saídas do DEMUX estão em NL0. Observe agora que o fio que sai de S0 está fazendo contato apenas com a 3º e 4º linhas através dos diodos, enquanto que a 1º e 2º linhas não fazem contato com o fio de S0, pois estes diodos foram queimados. Dessa maneira, o NL1 vai parar apenas nas saídas Q1 e Q0 do DEMUX, enquanto que Q3 e Q2 estão em NL0. 34 CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA Assim, temos: A2 = 0, A1 = 0 e A0 = 0 resultando em Q3 = 0, Q2 = 0, Q1 = 1 e Q0 = 1, conforme solicitado pela tabela de gravação do projeto. A cada combinação estabelecida nos pinos de entrada da memória, será chamada uma das saídas do DEMUX. Conforme a saída do DEMUX que foi acoplada ao Vcc, encontrará um conjunto de componentes inteiros e queimados de acordo com a conveniência da gravação e desta maneira teremos um conjunto de saídas da memória diferenciada para cada conjunto de entradas. 35 MEMÓRIAS RAM As memórias RAM (Random Access Memory) são do tipo volátil e permitem o acesso aleatório para escrita ou leitura, a qualquer um de seus endereços. Essa memória é usada para armazenar temporariamente as informações, tais como os programas e os dados do usuário de computador. Também é conhecida como memória read/write, porque permite a leitura e a escrita no próprio circuito em que está conectada, sem a necessidade de nenhum aparelho especial para gravação (escrita) como acontece com as memórias ROM, PROM e EPROM. O tempo de acesso para cada endereço da memória RAM é aproximadamente igual. É importante lembrar que quando se tira a alimentação de uma memória do tipo RAM, perde-se todo o conteúdo armazenado em seus endereços. 36 MEMÓRIAS RAM A figura abaixo ressalta as diferenças nos terminais de entrada entre as memórias ROM e RAM. Observe que a RAM tem a mais que a ROM um conjunto de bits de entrada de dados e um pino relativo a WE (write enable). O pino WE tem a finalizada de proporcionar a opção de ler ou escrever (read ou write). . 37 MEMÓRIAS RAM As memórias RAM têm dois tipos de possibilidades de entrada e saída de dados, ou seja, existe o tipo que os mesmos terminais em que se inserem os dados também se lêem, pois só é possível executar uma atividade de cada vez (ou se lê ou se escreve); já no outro tipo existe um conjunto de terminais para se escrever os dados e outro conjunto de terminais para se ler os dados, conforme apresentado na figura: Podemos dividir as memórias RAM em dois grupos: as estáticas e as dinâmicas. 38 RAM ESTÁTICA As células de memória RAM estática são essencialmente flip-flops que permanecem em um dado estado (armazenam um bit) indefinidamente, desde que a alimentação do circuito não seja interrompida. Estão disponíveis nas tecnologias MOS ou bipolar, mas a maioria das aplicações usa RAMs do tipo MOS (NMOS ou CMOS). Um exemplo de uma RAM estática comercial é a RAM 6264, de 8K x 8 com tempos de ciclo de leitura e de escrita de 12 ns e um consumo, em standby, de apenas 100 mW. 39 RAM ESTÁTICA A figura seguinte representa uma única célula de memória RAM. Célula é o nome dado ao circuito elétrico que tem a capacidade de armazenar um bit (0 ou 1) enquanto a memória estiver sendo alimentada. 40 RAM ESTÁTICA O outro desenho representa o conjunto completo de células de uma determinada RAM, onde para podermos acessar (ler ou escrever) um determinado bit, é necessário introduzir as coordenadas “X” e “Y”. 41 RAM ESTÁTICA Os transistores T1 e T2 funcionam como resistores e os demais transistores funcionam como chave (aberta ou fechada). Para gravarmos então uma determinada célula, é necessário endereçá-la fazendo-se X e Y irem ao nível lógico 1. Fazendo-se X = 1, conectamos a célula às linhas de dados. Para escrevermos na célula, fazemos WE = 0. Isto conecta o terminal de dados da entrada ao nó “D”, já que Tw, Ty1 e T5 estarão conduzindo. Se o dado de entrada está no 1 lógico, isto eleva a porta de T4 fazendo-o conduzir e torna D\ = 0. Se o dado de entrada for igual à 0 lógico, então T4 cortará e D\ será igual a 1. 42 RAM ESTÁTICA Para lermos o dado contido na célula, fazemos Tr =1. Isto conecta o terminal de saída de dados ao D\, desde que tenha sido endereçado corretamente, ou seja, T6, Ty2 e Tr estejam conduzindo. Assim, o complemento do nível do dado escrito na célula é lido. As memórias RAM gravam sempre o inverso do que é necessário, ou seja, quando se grava “1” lê-se “0” e quando se grava “0” lê- se “1”. Portanto devem-se inverter através de portas inversoras os dados antes de gravar (escrever) ou depois de ler para que se possa ter o conjunto de dados corretamente. 43 RAM ESTÁTICA Em geral, numa RAM há muitas células de memória conectadas às mesmas linhas de entrada e saída. 44 RAM ESTÁTICA Na memória representada na figura, há um total de (m x n) células, onde cada uma está conectando seis transistores. Observe que há “m” colunas de células, cada uma com um endereço Y diferente e “n” linhas de células, cada uma com um endereço X diferente. Há um único transistor de entrada Tw para conectar o terminal de dados da entrada à célula selecionada da memória, quando a instrução “write” é dada, e um único transistor Tr de saída para conectar a célula selecionada da memória ao terminal de saída de dados durante a operação “read”. 45 RAM DINÂMICA É um dispositivo de armazenamento volátil fabricado com tecnologia MOS, se destacando pela alta capacidade, baixo consumo e velocidade moderada. Na célula de memória dinâmica seguinte, a quantidade de transistores é reduzida de seis para quatro com uma correspondente economia de espaço e de potência em uma pastilha de silício. A célula é composta dos transistores T1, T2, T3 e T4. Os transistores Ty1 e Ty2, bem como Ta e Tb, servem a todas as células que tenham o mesmo endereço Y de coluna. Os transistores Tw e Tr são comuns a todas as células da memória. 46 RAM DINÂMICA 47 RAM DINÂMICA O estado da célula é armazenado nas capacitâncias espúrias C1 e C2, cujas presenças são essenciais. Esses capacitores ficam acessíveis aos terminais de dados quando as portas de transmissão Ty1 e Ty2, bem como T3 e T4 estão conduzindo pela elevação simultânea dos endereços X e Y ao 1 lógico. Em um estado da célula, a tensão em C1 é menor do que a tensão de limiar de T1, e consequentemente T1 conduz. De forma correspondente, C2 tem tensão zero e T2 está cortado. No outro estado, as tensões C1 e C2 e os estados de condução de T1 e T2 são invertidos. Tendo-se tido acesso à célula, podemos ler seu estado fazendo WE = 1. 48 RAM DINÂMICA Se não tivermos realizado uma operação de escrever por um tempo longo, então devido à fuga de carga do capacitor, a informação na célula poderá ser perdida. É necessário, portanto, reavivar (refresh) a célula periodicamente. Esta operação de reavivamento ou refresco é realizada, permitindo-se um breve acesso da tensão de alimentação Vcc à célula. Este acesso se torna disponível quando o endereço X e o terminal de refresh estão simultaneamente no nível lógico alto, de tal modo que T3 e T4, bem como Ta e Tb, estarão portanto conduzindo. Suponha agora que, inicialmente, T1 esteja conduzindo, T2 esteja cortado, a tensão em C1 seja Vc1 > VT1 (tensão de limiar) e Vc2 = 0. 49 RAM DINÂMICA Durante o intervalode refresh, Vcc é aplicado através de Tb e T4 a C1 que está em paralelo com T2. O transistor T2, entretanto, está cortado, e assim toda a corrente de Vcc irá diretamente a C1, permitindo que C1 recupere qualquer carga que tenha perdido devido a fugas. Similarmente, Vcc é aplicado a C2 que está em paralelo com T1. O transistor T1 está conduzindo e, assim, C2 não se carregará tão rapidamente quanto C1. Observe que durante o intervalo de refresh, Tb e T4 se comportam como carga para o transistor excitador T2 e que Ta e T3 se comportam como carga para T1. 50 RAM DINÂMICA A organização interna de uma memória com capacidade de armazenamento para 2^n endereços, cada um com “p” bits é mostrado na figura. 51 RAM DINÂMICA A célula superior esquerda da figura anterior armazena o primeiro bit do primeiro endereço, a próxima célula à direita desta armazena o segundo bit do primeiro endereço até a última célula da primeira fileira que armazena o p-ésimo bit do primeiro endereço e assim sucessivamente. Estas células são endereçadas através dos terminais do DEMUX. Se a memória contém “n” terminais para endereçamento, então existem 2^n endereços. Verifique que o DEMUX seleciona uma e somente uma das linhas de endereço. Os blocos com a marca I/O representam as entradas e saídas de dados da memória. Evidentemente que para ler ou escrever é necessário acessar WE com 1 ou 0. 52 COMPARAÇÕES A memória RAM dinâmica tem um terminal a mais que a estática devido a necessidade do refresh. A memória dinâmica gasta menos energia. Em um mesmo tamanho de chip, a RAM dinâmica é capaz de armazenar um número maior de bits do que a RAM estática, pois tem menos transistores. Com relação à utilização prática, a RAM estática é melhor pela simplicidade de aplicação, pois não é necessário se preocupar com o circuito de refresh. A RAM estática é indicada em projetos em que a velocidade e complexidade são mais críticas do que o custo, o espaço e o consumo. 53 COMPARAÇÕES A figura mostra que a RAM dinâmica apresenta um terminal a mais em relação a RAM estática, responsável pelo Refresh (reavivamento) a fim de não perder o conteúdo armazenado dentro das células. 54 COMPARAÇÕES Concluindo o estudo das memórias RAM, vamos exemplificar através da memória RAM estática 74.189 de dimensão 16 x 4. Como pode-se observar na figura, esta memória possui terminais para a entrada de dados (escrever) e terminais para a saída de dados (ler). 55 COMPARAÇÕES A tabela abaixo mostra os valores que devem ser inseridos nos terminais CE e WE para que se possa utilizar a memória para leitura e gravação. 56 EXERCÍCIOS 57 58
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