Sistemas Digitais Memórias

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MEMÓRIAS
Um circuito que permite o armazenamento de um ou
mais bits por tempo indeterminado é denominado de
memória.
Tais bits podem ser acessados (procedimento de
leitura) ou substituídos (procedimento de escrita).
As memórias podem ser somente de leitura (read) ou
de leitura e escrita (read and write); por isso, temos
tipos diferentes de memória para satisfazer cada caso
específico.
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MEMÓRIAS
O desenvolvimento e expansão da tecnologia de fabricação
de circuitos integrados para armazenamento de dados
determinaram o grande avanço dos computadores digitais.
Até 1970, as memórias de núcleo de ferrite eram de uso
corrente.
Entretanto, por causa de seu alto custo, grande consumo e
limitações em velocidade foram substituídos pelas
memórias a semicondutores que lideram o mercado até
hoje.
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MEMÓRIAS
Entre as principais características para se avaliar as
memórias, podemos destacar:
 Densidade: Número de bits armazenados por área física.
Está relacionado à capacidade total de armazenamento.
 Velocidade: Se refere à rapidez com que os dados
podem ser acessados (lidos) ou armazenados (escritos).
 Potência: Potência consumida ou dissipada pela
memória.
 Custo: Custo para armazenamento por bit, ou seja, o
valor do semicondutor dividido pelo número de bits que
pode armazenar.
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MEMÓRIAS
No manuseio de memórias é comum o uso de
expressões referentes aos modos de operação, aos
terminais de entrada/saída, à capacidade de
armazenamento e a sinais de controle.
 Escrita (Write): Termo usado para o procedimento de
armazenamento de uma informação binária na
memória. Numa operação de escrita, a informação
colocada nas entradas de dados é copiada numa
posição ou endereço da memória.
 Leitura (Read): Termo usado para o procedimento de
obtenção, ou busca, de uma informação armazenada
em uma memória. Numa operação de leitura, a
informação é armazenada na posição correspondente
às entradas de endereço e copiada nos bits de saída.
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MEMÓRIAS
 Palavra (Word): Corresponde à informação formada
por um grupo de bits armazenado em uma
determinada posição de memória que chamamos de
endereço.
 Endereços (Address): Correspondem aos terminais
do circuito integrado usados para identificar uma
certaposição de memória.
 Entrada de Dados (Data Input): Correspondem aos
terminais do circuito integrado usados para
introdução dos dados a serem armazenados.
 Saída de Dados (Data Output): Correspondem aos
terminais do circuito integrado onde serão colocados
os dados armazenados numa dada posição da
memória, em uma operação de leitura.
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MEMÓRIAS
 Byte: Termo usado para uma informação binária que
contém 8 bits.
 Kilobyte: Termo usado para um conjunto de 1.024
bytes.
 Memória volátil: É aquela que perde seu conteúdo na
ausência de alimentação.
 Memória fixa: É aquela que não perde seu conteúdo
na ausência de alimentação.
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MEMÓRIAS
 Habilitação do CI (Chip Enable): Um terminal do
circuito integrado, quando polarizado
convenientemente habilita ou desabilita a operação do
chip provocando uma redução na potência dissipada
e impedindo a operação de escrita e leitura.
 Normalmente tais entradas são designadas por CE
(Chip Enable) quando a habilitação é com NL1 ou CE
barrado quando a habilitação é com NL0. Alguns
chips são designados por CS (Chip Select) em vez de
CE, porém ambos têm a mesma finalidade.
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MEMÓRIAS
As memórias podem ser divididas em dois tipos:
Memórias apenas de Leitura (ROM) e Memórias de Acesso
Aleatório (RAM).
As memórias ROM são do tipo fixa e permitem o acesso
aleatório a qualquer um dos endereços. Permite apenas a
leitura do conteúdo e é destinada a guardar uma
informação de forma permanente.
As memórias RAM são do tipo volátil e permitem o acesso
aleatório a qualquer um dos endereços tanto para a escrita
quanto para a leitura. São usadas para armazenar
temporariamente as informações, tais como os programas
dos usuários (principalmente de computador).
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MEMÓRIAS ROM
ROM (Read Only Memory):
Essa foi o primeiro tipo de memória da família ROM que surgiu e a
informação é gravada pelo fabricante através da queima de
componentes (diodos, fusíveis ou transistores bipolares) em uma
matriz conforme a solicitação do projetista.
O funcionamento por queima de componentes é muito simples.
Sempre que houver a necessidade de se gravar “1” mantém-se a
integridade do componente, caso contrário queima-se o mesmo.
Para uma memória constituída de fusíveis, quando se coloca “Vcc”
no terminal de entrada de um fusível, na saída obtém-se NL1; no
entanto, num fusível queimado, quando se coloca no seu terminal
de entrada “Vcc”, na saída obtém-se NL0, formando assim a lógica
de gravação de uma memória do tipo ROM.
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MEMÓRIAS ROM
A utilização da memória ROM tem duas grandes
desvantagens:
 Como a gravação depende do fabricante, o projetista fica
sujeito a morosidade da entrega da memória gravada.
 O custo é alto, viabilizando o uso da memória apenas
para produtos produzidos em larga escala, pois a
aquisição de memórias em compras maiores reduz o
custo por unidade.
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MEMÓRIAS ROM
PROM (Programmable Read Only Memory):
 Esse tipo de memória soluciona os problemas levantados
pelas desvantagens do uso da memória ROM, pois nesse
caso a gravação é feita pelo próprio projetista.
 Essa gravação funciona da mesma maneira que na ROM, ou
seja, por queima de componentes e evidentemente o
armazenamento dos dados não ocorre durante o processo de
fabricação do chip.
 O procedimento para a queima dos componentes é fornecido
pelos fabricantes e específico para cada circuito. A gravação
é executada através de um aparelho chamado “Gravador de
PROM”, que tem como função a queima dos componentes
conforme a tabela de gravação do projeto.
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MEMÓRIAS ROM
PROM (Programmable Read Only Memory):
 A memória PROM apresenta ainda uma grande
desvantagem, pois uma vez programada (gravada) não
pode ser apagada para correções ou nova utilização.
 Isto ocorre porque uma vez que houve a queima dos
componentes é impossível a sua substituição.
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MEMÓRIAS ROM
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)
 Essas memórias podem ser programadas e reprogramadas
pelo usuário, ou seja, em caso de erros de programação o
chip não precisa ser descartado, como nas memórias ROM e
PROM. A programação (gravação) é feita pela aplicação de
sinais elétricos convenientes em pinos do chip e indicados
pelos fabricantes.
 A EPROM na verdade é um dispositivo com arquitetura similar
às PROMs, mas do tipo MOS, onde o conjunto inteiro das
informações armazenadas pode ser apagado através da
aplicação de raios ultravioletas em uma janela de quartz
localizada numa das faces do chip. 14
MEMÓRIAS ROM
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) 
Este raio deve possuir comprimento de onda em torno de 
2.537 Å, uma potência própria indicada pelo fabricante e 
ser aplicado durante um intervalo de tempo situado entre 
10 e 30 minutos. A gravação é feita através de circuitos 
eletrônicos especiais, ou seja, um aparelho chamado de 
“Gravador de EPROM”.
Essa memória é implementada usando o princípio de
armazenamento do tipo “Floating-gate Avalanche Injection
MOS”. Num transistor PMOS, um potencial negativo
aplicado ao gate produz um canal de condução de cargas
positivas (buracos) entre a fonte e o dreno.
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MEMÓRIAS ROM
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) 
No transistor FMOS, para causar a condução da fonte para o
dreno e o conseqüente armazenamento de cargas negativas no
gate, devemos aplicar um pulso da ordemde 25 V a 50 V na
junção p-n (dreno / fonte). Cerca de 20 a 30 % da carga
armazenada se perde depois de 20 anos.
O pulso de programa é aplicado em um pino próprio do circuito
no qual foram polarizadas as linhas de dados e endereços. A
duração típica desse pulso é da ordem de 1 ms e são
necessários aproximadamente 100 desses pulsos para cada
linha de endereço da EPROM. O apagamento ocorre quando os
elétrons armazenados retornam ao substrato pela exposição aos
raios ultravioletas.
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MEMÓRIAS ROM
E2PROM (Electrically Erasable Programmable Read Only
Memory)
Neste tipo de memória, tanto a gravação como a
desgravação é feita por sinais elétricos, ou seja, pode-se
ler e escrever no próprio circuito em que a memória
E2PROM (ou EEPROM) faz parte, sem ter que tirá-la para
apagar e depois gravar no aparelho gravador e em seguida
retornar ao circuito. O principal meio de implementação é o
“Metal Oxide Semicondutor NMOS”.
Na verdade é um MOS modificado onde é usado um
capacitor de carga que alcança um tempo de
armazenamento entre 20 e 30 anos.
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MEMÓRIAS ROM
E2PROM (Electrically Erasable Programmable Read Only
Memory)
Uma tensão elevada e da ordem de 20 V entre a porta e
dreno provoca a indução de cargas nas portas flutuantes
que ali permanecem quando a tensão é retirada. Uma
tensão reversa apaga a carga armazenada.
Desta forma, tanto a programação como o apagamento
pode ser feito por endereços de memória. Não é preciso
apagar toda a memória para corrigir algum dado ou usar a
memória com novos valores. Também não é necessário
retirar os chips dos soquetes conforme já comentado
anteriormente. A memória E2PROM pode ser inteiramente
gravada ou apagada em 10 ms.
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MEMÓRIAS ROM
E2PROM (Electrically Erasable Programmable Read Only
Memory)
Essa memória pode-se confundir com a RAM uma vez que
pode ser lida e escrita no próprio circuito, porém a
E2PROM quando gravada permanece com os dados
armazenados mesmo que se retire sua alimentação, o que
é característica básica de uma memória da família ROM,
sem contar que a arquitetura também se baseia nos
moldes da EPROM.
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MEMÓRIAS ROM
Memória FLASH
Foi desenvolvida pelos engenheiros com o objetivo de
fabricar uma memória não-volátil com a capacidade da
E2PROM de apagamento elétrico no próprio circuito, mas
com densidades e custos muito próximos dos
apresentados pelas EPROMs, mantendo a alta velocidade
de leitura de ambas.
Estruturalmente, uma célula de memória flash é semelhante
à célula da EPROM, apenas um pouco maior. O custo da
memória flash é consideravelmente menor do que o da
E2PROM, embora ainda não seja tão próximo do custo da
EPROM.
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MEMÓRIAS ROM
Memória FLASH
As memórias flash são assim chamadas em virtude dos
seus tempos curtos de apagamento e de escrita.
A maioria dos CIs flash usa uma operação de apagamento
total, na qual todas as células do chip são apagadas
simultaneamente. Algumas memórias flash mais recentes
oferecem um modo de apagamento por setor, evitando
assim ter de apagar e reprogramar todas as células
quando apenas uma parte da memória precisa ser
atualizada.
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MEMÓRIAS ROM
A figura seguinte ilustra uma comparação relativa entre as
diversas memórias semicondutoras não voláteis.
A flexibilidade de apagar e programar aumenta, assim
como a complexidade e o custo do dispositivo.
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DIMENSIONAMENTO DE MEMÓRIAS
O dimensionamento de memórias é igual para qualquer
tipo de memória, seja da família ROM ou da família RAM.
Para melhor compreender o dimensionamento ou tamanho
de memória, vamos exemplificar através das figuras
seguintes:
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DIMENSIONAMENTO DE MEMÓRIAS
As figuras A e B representam uma determinada memória da
família ROM totalmente fictícia. A figura A representa a forma
como os bits são armazenados dentro da memória, ou seja,
cada linha significa um endereço, que conforme o exemplo
dado, vai de “0” a “2.047”, resultando num total de 2.048
endereços.
Verifique que nesse exemplo cada endereço tem 10 bits,
sendo que no total essa memória tem 20.480 bits. O
dimensionamento é dado na seguinte formato:
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DIMENSIONAMENTO DE MEMÓRIAS
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DIMENSIONAMENTO DE MEMÓRIAS
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Nesse exemplo então, a memória tem tamanho de 2.048 x 10, ou
seja, 2.048 endereços sendo que em cada endereço tem 10 bits.
Nesse exemplo, como existem 2.048 endereços então existe
2.048 pinos no chip para poder acessar cada um desses
endereços?
Claro que não, pois se você reparar na figura B (pinagem do
circuito integrado) vai observar que existem 11 pinos para o
endereçamento dos 2.048 endereços, que vai do pino A0 até o
pino A10. Isso é possível devido a seguinte fórmula:
DIMENSIONAMENTO DE MEMÓRIAS
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O número de pinos de saída da memória depende de quantos
bits existem por endereço, pois desta forma se houver 10 bits
por endereço, esse invólucro terá 10 pinos de saída (Q), onde
cada pino de saída representa um bit gravado no determinado
endereço.
Por exemplo: se for acionado o endereço 3 da memória fictícia
anterior, devemos introduzir nos pinos de entrada o seguinte
código: 00000000011 e a saída da memória será 0111011000.
Não devemos esquecer de introduzir “0” no pino CE para poder
habilitar a memória.
Ainda com esse exemplo fictício, podemos mostrar as 3
maneiras de se dimensionar uma memória:
2.048 x 10 ou 2K x 10 ou 2^11 x 10
CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA
A construção interna de uma memória da família ROM é feita
pelo processo matricial conforme o desenho.
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CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA
No caso de memórias do tipo ROM ou PROM que funcionam por
queima de componentes (diodo, fusível ou transistor bipolar), o
seu princípio de construção é feito através do cruzamento de
todos os endereços com todas as saídas pelo sistema matricial,
onde cada cruzamento é constituído por um dos componentes a
serem queimados conforme a conveniência.
Já nos casos da EPROM ou da E2PROM também é pelo
processo matricial descrito acima, só que em cada cruzamento
fazem parte os transistores da família MOS que evidentemente
neste caso não serão queimados e sim polarizados
convenientemente.
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CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA
Verificando-se o exemplo da configuração interna da figura, nota-
se que o cruzamento dos endereços com as saídas dá-se através
de diodos (no caso ainda virgens). Sendo uma ROM ou PROM
tanto pode ter nos cruzamentos diodos como fusíveis ou
transistores que funcionarão pela queima dos mesmos. Se a
memória for constituída internamente por transistores bipolares, o
tempo de acesso é de aproximadamente 50 ns. Tempo de acesso
significa o período decorrido desde o momento em que a
memória foi endereçada até que a palavra esteja disponível na
saída da memória.
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CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA
Exemplo:
Determine como será a gravação de uma memória ROM 8 x 4,
conforme a tabela seguinte:
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CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA
Resposta:
O desenho abaixo representa uma memória ROM virgem de
tamanho 8 x 4, ou seja, 8 endereços (3 pinos de entrada) por 4
bits por endereço (4 pinos de saída). Observe que o DEMUX tem
a função de decodificar os 3 pinos de entrada (A2, A1 e A0) em 8
endereços, onde cada endereço corresponde a uma coluna e
cada saída corresponde a uma linha. O cruzamento das colunas
com as linhas é feito através dos diodos (ainda não queimados).
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CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA
A figura representa o circuito interno da memória ROM com os
componentes já queimados segundo a tabela de gravação
necessária para a realização do suposto projeto. Os diodos
queimados estão ausentes no desenho e em seu lugaraparece
uma pequena mancha que representa a queima do componente.
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CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA
Vamos introduzir nos pinos de entrada da memória os seguintes
dados: A2 = 0, A1 = 0 e A0 = 0. Dessa maneira o DEMUX vai
acoplar a sua entrada (Vcc) com a primeira saída (S0). Isto
significa que S0 está em NL1 enquanto as demais saídas do
DEMUX estão em NL0. Observe agora que o fio que sai de S0
está fazendo contato apenas com a 3º e 4º linhas através dos
diodos, enquanto que a 1º e 2º linhas não fazem contato com o
fio de S0, pois estes diodos foram queimados. Dessa maneira, o
NL1 vai parar apenas nas saídas Q1 e Q0 do DEMUX, enquanto
que Q3 e Q2 estão em NL0.
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CONFIGURAÇÃO INTERNA DA MEMÓRIA
Assim, temos: A2 = 0, A1 = 0 e A0 = 0 resultando em Q3 = 0,
Q2 = 0, Q1 = 1 e Q0 = 1, conforme solicitado pela tabela de
gravação do projeto. A cada combinação estabelecida nos pinos
de entrada da memória, será chamada uma das saídas do
DEMUX. Conforme a saída do DEMUX que foi acoplada ao Vcc,
encontrará um conjunto de componentes inteiros e queimados de
acordo com a conveniência da gravação e desta maneira teremos
um conjunto de saídas da memória diferenciada para cada
conjunto de entradas.
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MEMÓRIAS RAM
As memórias RAM (Random Access Memory) são do tipo volátil e
permitem o acesso aleatório para escrita ou leitura, a qualquer um
de seus endereços.
Essa memória é usada para armazenar temporariamente as
informações, tais como os programas e os dados do usuário de
computador. Também é conhecida como memória read/write,
porque permite a leitura e a escrita no próprio circuito em que
está conectada, sem a necessidade de nenhum aparelho especial
para gravação (escrita) como acontece com as memórias ROM,
PROM e EPROM.
O tempo de acesso para cada endereço da memória RAM é
aproximadamente igual. É importante lembrar que quando se tira
a alimentação de uma memória do tipo RAM, perde-se todo o
conteúdo armazenado em seus endereços.
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MEMÓRIAS RAM
A figura abaixo ressalta as diferenças nos terminais de entrada
entre as memórias ROM e RAM. Observe que a RAM tem a
mais que a ROM um conjunto de bits de entrada de dados e um
pino relativo a WE (write enable). O pino WE tem a finalizada de
proporcionar a opção de ler ou escrever (read ou write).
.
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MEMÓRIAS RAM
As memórias RAM têm dois tipos de possibilidades de entrada e
saída de dados, ou seja, existe o tipo que os mesmos terminais
em que se inserem os dados também se lêem, pois só é possível
executar uma atividade de cada vez (ou se lê ou se escreve); já
no outro tipo existe um conjunto de terminais para se escrever os
dados e outro conjunto de terminais para se ler os dados,
conforme apresentado na figura:
Podemos dividir as memórias RAM em dois grupos: as estáticas e
as dinâmicas.
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RAM ESTÁTICA
As células de memória RAM estática são essencialmente flip-flops
que permanecem em um dado estado (armazenam um bit)
indefinidamente, desde que a alimentação do circuito não seja
interrompida. Estão disponíveis nas tecnologias MOS ou bipolar,
mas a maioria das aplicações usa RAMs do tipo MOS (NMOS ou
CMOS).
Um exemplo de uma RAM estática comercial é a RAM 6264, de
8K x 8 com tempos de ciclo de leitura e de escrita de 12 ns e um
consumo, em standby, de apenas 100 mW.
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RAM ESTÁTICA
A figura seguinte representa uma única célula de memória RAM.
Célula é o nome dado ao circuito elétrico que tem a capacidade
de armazenar um bit (0 ou 1) enquanto a memória estiver sendo
alimentada.
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RAM ESTÁTICA
O outro desenho representa o conjunto completo de células de
uma determinada RAM, onde para podermos acessar (ler ou
escrever) um determinado bit, é necessário introduzir as
coordenadas “X” e “Y”.
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RAM ESTÁTICA
Os transistores T1 e T2 funcionam como resistores e os demais
transistores funcionam como chave (aberta ou fechada).
Para gravarmos então uma determinada célula, é necessário
endereçá-la fazendo-se X e Y irem ao nível lógico 1.
Fazendo-se X = 1, conectamos a célula às linhas de dados. Para
escrevermos na célula, fazemos WE = 0.
Isto conecta o terminal de dados da entrada ao nó “D”, já que Tw,
Ty1 e T5 estarão conduzindo.
Se o dado de entrada está no 1 lógico, isto eleva a porta de T4
fazendo-o conduzir e torna D\ = 0.
Se o dado de entrada for igual à 0 lógico, então T4 cortará e D\
será igual a 1.
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RAM ESTÁTICA
Para lermos o dado contido na célula, fazemos Tr =1.
Isto conecta o terminal de saída de dados ao D\, desde que tenha
sido endereçado corretamente, ou seja, T6, Ty2 e Tr estejam
conduzindo.
Assim, o complemento do nível do dado escrito na célula é lido.
As memórias RAM gravam sempre o inverso do que é necessário,
ou seja, quando se grava “1” lê-se “0” e quando se grava “0” lê-
se “1”. Portanto devem-se inverter através de portas inversoras os
dados antes de gravar (escrever) ou depois de ler para que se
possa ter o conjunto de dados corretamente.
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RAM ESTÁTICA
Em geral, numa RAM há muitas células de memória conectadas
às mesmas linhas de entrada e saída.
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RAM ESTÁTICA
Na memória representada na figura, há um total de (m x n)
células, onde cada uma está conectando seis transistores.
Observe que há “m” colunas de células, cada uma com um
endereço Y diferente e “n” linhas de células, cada uma com um
endereço X diferente. Há um único transistor de entrada Tw para
conectar o terminal de dados da entrada à célula selecionada da
memória, quando a instrução “write” é dada, e um único transistor
Tr de saída para conectar a célula selecionada da memória ao
terminal de saída de dados durante a operação “read”.
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RAM DINÂMICA
É um dispositivo de armazenamento volátil fabricado com
tecnologia MOS, se destacando pela alta capacidade, baixo
consumo e velocidade moderada. Na célula de memória
dinâmica seguinte, a quantidade de transistores é reduzida de
seis para quatro com uma correspondente economia de espaço
e de potência em uma pastilha de silício. A célula é composta
dos transistores T1, T2, T3 e T4. Os transistores Ty1 e Ty2, bem
como Ta e Tb, servem a todas as células que tenham o mesmo
endereço Y de coluna. Os transistores Tw e Tr são comuns a
todas as células da memória.
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RAM DINÂMICA
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RAM DINÂMICA
O estado da célula é armazenado nas capacitâncias espúrias C1
e C2, cujas presenças são essenciais.
Esses capacitores ficam acessíveis aos terminais de dados
quando as portas de transmissão Ty1 e Ty2, bem como T3 e T4
estão conduzindo pela elevação simultânea dos endereços X e Y
ao 1 lógico.
Em um estado da célula, a tensão em C1 é menor do que a
tensão de limiar de T1, e consequentemente T1 conduz. De forma
correspondente, C2 tem tensão zero e T2 está cortado.
No outro estado, as tensões C1 e C2 e os estados de condução
de T1 e T2 são invertidos. Tendo-se tido acesso à célula,
podemos ler seu estado fazendo WE = 1.
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RAM DINÂMICA
Se não tivermos realizado uma operação de escrever por um
tempo longo, então devido à fuga de carga do capacitor, a
informação na célula poderá ser perdida. É necessário, portanto,
reavivar (refresh) a célula periodicamente. Esta operação de
reavivamento ou refresco é realizada, permitindo-se um breve
acesso da tensão de alimentação Vcc à célula.
Este acesso se torna disponível quando o endereço X e o terminal
de refresh estão simultaneamente no nível lógico alto, de tal modo
que T3 e T4, bem como Ta e Tb, estarão portanto conduzindo.
Suponha agora que, inicialmente, T1 esteja conduzindo, T2 esteja
cortado, a tensão em C1 seja Vc1 > VT1 (tensão de limiar) e Vc2
= 0.
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RAM DINÂMICA
Durante o intervalode refresh, Vcc é aplicado através de Tb e T4 a
C1 que está em paralelo com T2. O transistor T2, entretanto, está
cortado, e assim toda a corrente de Vcc irá diretamente a C1,
permitindo que C1 recupere qualquer carga que tenha perdido
devido a fugas.
Similarmente, Vcc é aplicado a C2 que está em paralelo com T1.
O transistor T1 está conduzindo e, assim, C2 não se carregará tão
rapidamente quanto C1. Observe que durante o intervalo de
refresh, Tb e T4 se comportam como carga para o transistor
excitador T2 e que Ta e T3 se comportam como carga para T1.
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RAM DINÂMICA
A organização interna de uma memória com capacidade de
armazenamento para 2^n endereços, cada um com “p” bits é
mostrado na figura.
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RAM DINÂMICA
A célula superior esquerda da figura anterior armazena o primeiro
bit do primeiro endereço, a próxima célula à direita desta
armazena o segundo bit do primeiro endereço até a última célula
da primeira fileira que armazena o p-ésimo bit do primeiro
endereço e assim sucessivamente. Estas células são
endereçadas através dos terminais do DEMUX. Se a memória
contém “n” terminais para endereçamento, então existem 2^n
endereços. Verifique que o DEMUX seleciona uma e somente
uma das linhas de endereço. Os blocos com a marca I/O
representam as entradas e saídas de dados da memória.
Evidentemente que para ler ou escrever é necessário acessar WE
com 1 ou 0.
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COMPARAÇÕES
 A memória RAM dinâmica tem um terminal a mais que a
estática devido a necessidade do refresh.
 A memória dinâmica gasta menos energia.
 Em um mesmo tamanho de chip, a RAM dinâmica é capaz de
armazenar um número maior de bits do que a RAM estática,
pois tem menos transistores.
 Com relação à utilização prática, a RAM estática é melhor pela
simplicidade de aplicação, pois não é necessário se preocupar
com o circuito de refresh.
 A RAM estática é indicada em projetos em que a velocidade e
complexidade são mais críticas do que o custo, o espaço e o
consumo.
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COMPARAÇÕES
A figura mostra que a RAM dinâmica apresenta um terminal a
mais em relação a RAM estática, responsável pelo Refresh
(reavivamento) a fim de não perder o conteúdo armazenado
dentro das células.
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COMPARAÇÕES
Concluindo o estudo das memórias RAM, vamos exemplificar
através da memória RAM estática 74.189 de dimensão 16 x 4.
Como pode-se observar na figura, esta memória possui terminais
para a entrada de dados (escrever) e terminais para a saída de
dados (ler).
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COMPARAÇÕES
A tabela abaixo mostra os valores que devem ser inseridos nos
terminais CE e WE para que se possa utilizar a memória para
leitura e gravação.
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EXERCÍCIOS
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