prova p1 COLA

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%%HP: T(1);
"1)FET canal de depleção aberto.
O MESMO ESTÁ NORMAL A REGIÃO DE DEPLEÇÃO ESTÁ COMO SE HOUVESSE POLARIZAÇÃO ONDE ESSA BARREIRA DE DEPLEÇÃO NÃO TEM PORTADORES LIVRES,NNÃO PERMITINDO CONDUÇÃO ATRAVES DA REGIÃO.
2)FET CANAL DE DEPLEÇÃO FECHADO.
VDD VAI AUMENTANDO E COMEÇA A VARIAR A REGIÃO DE DEPLEÇÃO COMEÇA A AUMENTAR SEU COMPRIMENTO DO CANAL,QUANDO VDD E MAIOR QUE VP,OCORRE O ESTRANGULAMENTO(PINCK OFF) SE ELE CONTINUAR AUMENTANDO IRÁ SE ROMPER.
3)QUAL É A PRINCIPAL VANTAGEM DE UM AMPLIFICADOR COM FET?
R:SUA BAIXA CORRENTE DE DRENO.
4)O DIODO PORTA FONTE DE UM JFET CANAL P DEVERÁ?
R:POLARIZADO DIRETAMENTE
5)vantagens do FET?
R:Altissima impedancia de entrada e baixo ruido.
6)qual a diferenca do TBJ e do FET?
R:TBJ: corrente controlada, e pode lidar com grandes frcuencias poencias, comutadores, amplificadores e aplicações de comunicações. 
FET: fabricação controlado por tensão envolve um substrato, tal como isolante de dióxido de silício e metal para Terminais.
7)O que é IDSS?
R:corrente maxima que JFET pode produzir,na qual ocorre o estrangulamento do canal quando VGS=0.
7)DETERMINE VS PARA O CIRCUITO ABAIXO.
14V...2,2K... ........�
 . . .
 ... 0,39K
 ‰
 .
IDSS=6mA
VP=-6V
GRAFICO
VGS=-ID.RS
VGS=-4m.0.39K
VGS=-1,56V
NO GRAFICO IDG=3,5mA
VS=IDQ.RS
VS=3,5m.0,39K
VS=1,36V
8)DESEJA SE PROJETAR UM AMPLIFICADOR A FET,CUJA CARACTERISTICAS SÃO APRESENTADAS A SEGUIR. O PONTO DE TRABALHO DO CIRCUITO É ID=2mA E VDS=5V PEDE SE
OBS:VG=3V E IRB1EIRG=RB2=0,1mA E VDD=12V E VP=-4V E IDSS=10mA
a)ID=IDSS.(1-VGS/VP=ID/IDSS
=1-2/10=1-VGS/-4
VGS=-1,9V
b)VGG=VGS+RS.ID=VGG-VGS=RS.ID
RS=VGG-VGS/ID
RS=3-(-1,9)/2mA
RS=2,45K
RD=12-5/2mA=3,5
RD=3,5K-2,45K
RD=1,05K
c)VGG=RB2.IB2=RB2=VGG/IRB2
3/0,1m=30K
RB1.IRB2=9/0,1mA=90K
8)DADA A LEITURA VS=1,7 PARA O CIRCUITO ABAIXO,PEDE S
a)IDQ
b)VGSQ
c)IDS
d)VD
e)VDS
 18V
 .
 .
 2K
 .
 .
 ... 
 .....
 . .
 1M . VS=17
 . .
 0,51K
 .
VP=-4
a)IS=ID
VRS=ID.RS
ID=VRS/RS
ID=1,7/O,51K
ID=3,33mA
b)VGS=-TD.RS
VGS=-3.33m.0,51K
VGS=-1,7V
c)ID=IDSS(1+ID.RS/VP)²
IDSS=ID/}(1+ID.RS/VP)²
IDSS=10,7mA
d)VD=VDD-ID.RD
VD=18-3,33m.2K
VD=11,34
e)VDS=VDD-ID(RS+RD)
VDS=18-3,33m(0,1K+2K)
VDS=9,64V