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Questão 1/5 - Eletrônica Analógica Os diodos zener são usados em inúmeros circuitos tais como reguladores de tensão, circuitos de proteção e circuitos que precisem de uma referência de tensão que não seja afetada (ou seja fracamente afetada) pela temperatura. O circuito da figura representa um sistema de proteção. Em condições normais de funcionamento a tensão de entrada varia entre 0 e 30V. Definir a tensão do zener de proteção e o valor da corrente do fusível U1, sendo que a tensão na entrada pode atingir 100V (sobrepico de tensão - transitório), a tensão na carga (RL) não pode ultrapassar 6V e a corrente reversa que o zener suporta é de 1,5A. Nota: 0.0 A Tensão de zener VZ = 6V, corrente do fusível 1,5A. B Tensão de zener VZ = 4V, não precisa de fusível. C Tensão de zener VZ = 5,5V, não precisa de fusível. D Tensão de zener VZ = 6,5V, corrente do fusível 2A. E Tensão de zener VZ = 5,5V, corrente do fusível 1,4A. Questão 2/5 - Eletrônica Analógica Considere o circuito a seguir com os diodos ideais e com as entradas A, B, C e D podendo assumir somente os valores de tensão de 5 V (nível lógico 1) e 0 V (nível lógico zero). Determine a expressão lógica booleana para a saída Y. Nota: 20.0 A B C D Você acertou! E Questão 3/5 - Eletrônica Analógica O diodo do circuito é ideal: Determine o valor da tensão (V) e da corrente (I) no sentido convencional. Nota: 0.0 A V=5V, I=0,25mA B V=5V, I=2,5mA C V=2,5V, I=0,25mA D V=3V, I=0,3mA E V=3V, I=1,5mA Questão 4/5 - Eletrônica Analógica Todos os sistemas eletrônicos dependem de materiais semicondutores. O silício é o material semicondutor mais abundante na natureza. Mas para poder ser usado para a fabricação de dispositivos eletrônicos deve ser dopado com impurezas (átomos de outros elementos químicos). O silício puro deve ser contaminado para formar as junções p-n responsáveis pelas funcionalidades de todos os dispositivos eletrônicos. Considerando as características de uma junção p-n qual das seguintes afirmações é verdadeira? Nota: 0.0 A Os semicondutores têm portadores livres que permitem a condução de corrente em qualquer circunstância. B Os mecanismos de condução de corrente numa junção p-n são difusão e deriva. C Os elétrons de condução são a ausência de lacunas. D Uma junção p-n polarizada reversa permite circulação de corrente no circuito. E A barreira de potencial da junção aumenta com a polarização direta. Questão 5/5 - Eletrônica Analógica Os diodos do circuito são ideais: Determine para o circuito a seguir o valor da tensão (V) e da corrente (I) no sentido da flecha: Nota: 20.0 A V=5V, I=5mA B V=2V, I=2mA C V=3V, I=3mA D V=2,5V, I=1,5mA E V=3V, I=2mA Você acertou! Questão 1/5 - Eletrônica Analógica O inversor lógico de uma placa de circuitos digitais, com tecnologia TTL, deve acionar o relé, como mostrado na figura a seguir. Deseja-se especificar um transistor bipolar para fazer a conexão entre o inversor lógico e o relé. Calcular o valor da resistência RB e o valor mínimo do ganho de corrente ß para que o relé seja acionado quando o inversor TTL estiver com a saída no estado lógico "1". Nota: 20.0 A RB = 18,75 kOhm e ßmin = 175 B RB = 10,5 kOhm e ßmin = 100 C RB = 10,75 kOhm e ßmin = 250 D RB = 8,75 kOhm e ßmin = 100 Você acertou! E RB = 12,25 kOhm e ßmin = 250 Questão 2/5 - Eletrônica Analógica O circuito digital NOT é basicamente constituído por um transístor na configuração emissor comum. Se a resistência da base RB = 50kOhm, a de coletor RC = 1kOhm. Sendo o ß do transístor igual a 300 e VBEsat = 0,8V, qual é a tensão mínima do nível lógico “1” para que a saída faça a transição para “0” lógico? (tensão do “0” lógico é igual à tensão de coletor emissor de saturação do transistor VCEsat = 0,2V). Nota: 20.0 A 1,6V Você acertou! Portanto: Como: B 1,8V C 2V D 1,4V E 2,2V Questão 3/5 - Eletrônica Analógica O inversor lógico de uma placa de circuitos digitais, com tecnologia TTL, deve acionar o relé, como mostrado na figura a seguir. Deseja-se especificar um transistor bipolar para fazer a conexão entre o inversor lógico e o relé. Calcule o valor da resistência RC para que o relé seja acionado adequadamente, sem se danificar, quando o inversor TTL estiver com a saída no estado lógico "1". Nota: 20.0 A RC = 28 Ohms Você acertou! B 33 Ohms C 25 Ohms D 35 Ohms E 10 Ohms Questão 4/5 - Eletrônica Analógica Seja um FET cujas especificações são: e que foi submetido a uma tensão Determine a transcondutância do dispositivo. Nota: 20.0 A 10 mS B 5,7 mS C 5 mS D 1 mS E 2 mS Você acertou! Questão 5/5 - Eletrônica Analógica Para o circuito de configuração com polarização fixa a seguir, determine os valores referentes ao ponto quiescente: IBq, ICq e VCEq, considerando que o ganho de corrente ß é igual a 90. Nota: 20.0 A IBq = 31,9 µA; ICq = 2,87 mA; VCEq = 7,25 V B IBq = 33,4 µA; ICq = 3 mA; VCEq = 6,9 V C IBq = 28,5 µA; ICq = 2,87 mA; VCEq = 7,25 V D IBq = 30,4 µA; ICq = 2,74 mA; VCEq = 7,6 V Você acertou! E IBq = 31,9 µA; ICq = 3 mA; VCEq = 6,9 V Questão 1/5 - Eletrônica Analógica Para o circuito a seguir: Determine qual o valor da tensão VDS quando VGS = 0V e VGS = 5V Nota: 0.0 A VDS = 0V, VDS = 8V B VDS = 10V, VDS = 8V C VDS = 5,4V, VDS = 8V D VDS = 10V, VDS = 3V E VDS = 8,5V, VDS = 0V Questão 2/5 - Eletrônica Analógica Considerando o circuito a seguir. Qual será a resistência CC, se a temperatura cujo circuito está exposto é de 100 °C? Utilize os seguintes valores na sua análise:IGSS=20nA, VGS = 12V. Nota: 20.0 A 550 MOhms B 680 MOhms C 700 MOhms D 600 MOhms Você acertou! E 580 MOhms Questão 3/5 - Eletrônica Analógica Seja um FET cujas especificações são: e que foi submetido a uma tensão Determine a transcondutância do dispositivo. Nota: 20.0 A 10 mS B 5,7 mS C 5 mS D 1 mS E 2 mS Você acertou! Questão 4/5 - Eletrônica Analógica Um circuito foi projetado para operar em determinadas condições, onde VGS = 0V. Porém devido a uma alteração no circuito a tensão de porta foi modificada para -1 V. Qual a tensão dreno-fonte da nova configuração? Nota: 20.0 A 1,43V Você acertou! B 1,57V C 1,02V D 0V E 2,03V Questão 5/5 - Eletrônica Analógica O circuito abaixo é constituído por um MOSFET de modo depleção que está submetido a uma tensão VGS = 1V Determine a tensão dreno-fonte para tal configuração. Nota: 20.0 A 30V B 26,26V C 21,36 Você acertou! D 25,22V E 19,84V Questão 1/5 - Eletrônica Analógica Foi colocado um gerador de corrente na entrada não inversora do amplificador com a finalidade de anular a tensão de saída. Qual é o valor da corrente que cumpre com estas condições? Nota: 20.0 A I=-200uA B I=-150uA C I=-150,333uA D I=111,11uA E I=-111,11uA Você acertou! Questão 2/5 - Eletrônica Analógica Para o circuito apresentado sendo R = 15kOhms, Calcular a tensão vo. Nota: 20.0 A vo=-7,35V Você acertou! B vo=-7V C vo=-33V D vo=-5,3V E vo=3,7V Questão 3/5 - Eletrônica Analógica Na associação de amplificadores a seguir, Considerando as condições especificadas, calcular o valor de Vx. Nota: 20.0 A Vx=7,33V B Vx=8,97V C Vx=5,45V D Vx=6,73VE Vx=6,82V Você acertou! Questão 4/5 - Eletrônica Analógica No circuito a seguir, Qual seria o valor da resistência R para que vo seja -15V? Nota: 20.0 A R=35k B R=41k Você acertou! C R=45k D R=32k E R=120k Questão 5/5 - Eletrônica Analógica O circuito somador da figura tem uma tensão de saída vo = -6V. Qual é o valor da resistência R para que esta condição seja cumprida? Nota: 20.0 A R=1k Você acertou! B R=1,5k C R=2,1k D R=3k E R=3,3k Questão 1/5 - Eletrônica Analógica Considere que o IGBT do circuito a seguir está sendo comandado por pulsos. Deseja-se saber qual o tempo que o IGBT será submetido no estado “ligado” se a potência requerida for de 2 kW. A frequência de operação é de 1 kHz. Nota: 20.0 A ton = 0,248ms Você acertou! B ton = 0,328ms C ton = 0,245ms D ton = 0,254ms E ton = 0,2456ms Questão 2/5 - Eletrônica Analógica Um engenheiro projetou um circuito igual ao da figura abaixo. Determine a perda de potência durante o tempo de desligamento do IGBT. Considere que a frequência do chaveamento de controle é de 10 kHz, RL = 10 Ohms, o tempo no estado desligado é toff = 0,5us e a corrente de fuga do coletor para emissor é de 5 µA Nota: 20.0 A 750 mW B 0,15 mW C 15 mW D 7,5 µW Você acertou! E 6,25mW Questão 3/5 - Eletrônica Analógica Um professor de Engenharia pediu aos seus alunos que construíssem um circuito equivalente para o dispositivo IGBT. Para a construção o professor pediu para que os alunos desconsiderassem o efeito parasita. Assinale a alternativa que contém o circuito equivalente de um IGBT. Nota: 20.0 A B Você acertou! Através do conhecimento da estrutura de um IGBT, sabe-se que existem três camadas de semicondutores formando uma junção PNP. Esta mesma camada é encontrada em um transistor bipolar de potência, cuja base é conectada à região central e os terminais de coletor e emissor são conectados do mesmo modo que no BJT. Na parte superior da estrutura encontrasse uma camada que possui o mesmo modo de operação de um MOSFET, onde a corrente de dreno será injetada na região de arrastamento, região essa que corresponde à base do transistor PNP. Por sua vez, a corrente de dreno do MOSFET atuará como disparo do transistor. C D E Questão 4/5 - Eletrônica Analógica Ao analisarmos a curva característica de um IGBT, devemos saber onde estão localizadas as regiões de operação do dispositivo. Assinale a alternativa que contem a sequência correta das regiões de operação do IGBT, com base nas curvas características mostradas na figura abaixo. Nota: 20.0 A 1-Corte; 2-Saturação; 3-Avalanche B 1-Saturação; 2-Corte; 3-Avalanche Você acertou! C 1-Avalanche; 2-Corte; 3-Saturação D 1-Saturação; 2-Avalanche; 3-Corte E 1-Corte; 2-Avalanche; 3-Saturação Questão 5/5 - Eletrônica Analógica Em um determinado circuito constatou-se que o dispositivo responsável pelo controle da potência entregue a uma carga deve ser substituído. Assinale a alternativa que contém o circuito que pode ser empregado para substituir um TRIAC. Nota: 20.0 A B C D Você acertou! O TRIAC foi desenvolvido para controlar potências em corrente alternada e atuar em baixas frequências. Assim como os DIACs, o TRIAC pode conduzir correntes em ambos os sentidos. O controle é realizado com a injeção de um sinal na porta do dispositivo, de forma semelhante a um SCR. Portanto o circuito equivalente de um TRIAC é composto por dois SCR’s em antiparalelo, ou seja, o circuito representado na alternativa d. E
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