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UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL ESCOLA DE ENGENHARIA DISCIPLINA DE LABORATORIO DE ELETRONICA Curso Engenharia Elétrica Engenharia de Computação TRABALHO 3 Porta Lógica NAND usando CMOS Aluno: Leandro Tito Manjate Henrique Brandão Professor: Chrystian Remes Porto Alegre, ao 12 de Junho de 2017 Índice Introdução 3 Objetivo 4 Resumo Teórico 4 Portas Lógicas 4 Nível lógico 4 Lógica Positiva e Lógica Negativa 4 Portas CMOS: redes de Pull-Up e Pull-Down 5 Porta NAND 6 Tabela de verdade de porta NAND 6 Porta NAND usando CMOS 6 Atraso de propagação 7 Resultado e Discussão 7 Funcionamento de circuito 7 Simulação do circuito 8 Vantagens da Família CMOS 9 Desvantagem da Família CMOS 9 Dificuldades encontradas 9 Conclusão 10 Bibliografia 11 2 1 Introdução No presente relatório será projetado e discutido a porta lógica NAND utilizado o CMOS e o seu respectivo funcionamento. Durante o desenvolvimento do relatório será analisado as formas de onda na entrada e na saída, o atraso de transporte entre entrada e saída e por fim será feito as análise das perdas em cada um dos semicondutores. No projeto foram utilizado transistor MOS-FET genérico, o circuito foi alimentado por 5V ,as entrada A e B possuem o período de 1µs, razão cíclica de 50% e com desfasamento de 200ns entre si. As simulações foram feitas principalmente utilizando-se o Microcap 10 Evaluation Version. 3 2 Objetivo ● Verificação de funcionamento de portas lógicas usando CMOS. ● Desenvolvimento do raciocínio crítico. ● Desenvolvimento dos conhecimentos adquiridos nas aulas. 3 Resumo Teórico Em seguida será apresentado o resumo teórico da matéria que foi desenvolvido na experiência. 3.1 Portas Lógicas Uma porta lógica é um dispositivo ideal ou físico que programa uma função booleana; Ou seja, executa uma operação lógica em uma ou mais entradas binárias e produz uma única saída binária. Dependendo do contexto, o termo pode se referir a uma porta lógica ideal ou pode se referir a um dispositivo físico não ideal. As portas lógicas são implementadas principalmente usando diodos ou transistores que atuam como interruptores eletrônicos, mas também podem ser construídas usando tubos de vácuo, relés eletromagnéticos (lógica de relé), lógica fluídica, lógica pneumática, ótica, moléculas ou mesmo elementos mecânicos. Com amplificação, as portas lógicas podem ser conectados em cascata da mesma forma que as funções booleanas podem ser compostas, permitindo a construção de um modelo físico de toda a lógica booleana e, portanto, todos os algoritmos e matemáticas que podem ser descritos com a lógica booleana. As portas de lógica composta AND-OR-Invert (AOI) e OR-AND-Invert (OAI) são frequentemente utilizadas na concepção do circuito porque a sua construção utilizando MOSFET é mais simples e eficiente do que a soma das portas individuais. 3.1.1 Nível lógico Os circuitos lógicos realizam funções booleanas que utilizam os valores lógicos 0 e 1 para a resolução das suas funções. Nos circuitos integrados estes valores 0 e 1 são representados por níveis de tensão. O valor lógico 0 pode ser representado por uma faixa de valores de tensão e não necessariamente o valor de tensão de 0V, por exemplo, tensões entre 0V e 1,5V. O nível lógico 1 é representado por um intervalo de valores de tensões que apresenta um valor máximo e um valor mínimo, por exemplo, pode ser representado por tensões na ordem dos 3,5V a 5V. Entre as tensões 1,5V e 3,5V do exemplo dado para o nível 1 e para o nível 0 o nível lógico não está definido. 3.1.1.1 Lógica Positiva e Lógica Negativa Os circuitos digitais os níveis lógicos 0 e 1 são representados por níveis de tensão. Pode-se definir que o nível de tensão alto representa o nível lógico 1 e o nível de tensão baixo representa o nível lógico 0, neste caso se está a usar a lógica positiva. A lógica negativa é praticamente o inverso da lógica positiva, o nível de tensão alto é usado para definir o nível lógico 0 e o nível de tensão baixo é usado para definir o nível lógico 1. 4 Fig.1: a) Representação dos níveis na lógica positiva. b) Representação dos níveis na lógica negativa. Geralmente na lógica positiva o nível lógico 1 assume valores de tensão na ordem de +VCC enquanto que na lógica negativa este assume valores na ordem de – Vcc. 3.1.2 Portas CMOS: redes de Pull-Up e Pull-Down Existem diversas maneiras de se implementar portas lógicas utilizando-se transistores MOSFET. A mais utilizada delas é conhecida como CMOS e utiliza redes complementares de Pull-Up e Pull-Down as quais são responsáveis abrir ou fechar os caminhos entre o 1 lógico e a saída e entre o 0 lógico e a saída, respectivamente. Fig.1: Redes de Pull-Up e Pull-Down As redes de Pull-Up e Pull-Down devem possuir lógicas complementares de forma que sempre que o sinal 1 é liberado para a saída o 0 é bloqueado e vice-versa, fornecendo sempre uma saída definida e impedindo um curto-circuito. Em portas lógicas CMOS normalmente são usados transistores PMOS na rede de Pull-Up e NMOS na 5 rede de Pull-Down, uma vez que transistores PMOS não conduzem bem o 0 lógico e transistores NMOS não conduzem bem o 1 lógico. Isto faz com que só seja possível construir portas lógicas negadas como NAND, NOR e NOT sendo necessário colocar uma porta NOT na saída para implementar portas AND ou OR. 3.1.3 Porta NAND A porta NAND é uma das portas lógicas básicas para executar a operação digital nos sinais de entrada. É a combinação da porta AND seguida da porta NOT, isto é, é a operação oposta do porta AND, onde a porta lógica NAND é complementar da porta AND. A saída lógica da porta NAND é baixa (FALSA) somente quando as entradas são altas (VERDADEIRO). 3.1.3.1 Tabela de verdade de porta NAND A tabela de verdade da porta NAND é mostrada na figura. Na tabela de verdade, mostra-se que, quando as entradas de reboque A e B são altas, apenas a saída Y é baixa e, em todas as condições restantes, a saída é alta. Esta propriedade do portão NAND ajuda a detectar qualquer sinal ou falha do sensor em um grupo de sensores. A B Saída 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 3.1.3.2 Porta NAND usando CMOS Os transistores Q1 e Q3 se assemelham ao par complemento conectado em série do circuito inversor. Ambos são controlados pelo mesmo sinal de entrada (entrada A), o transistor superior está desligado e o transistor inferior está ligado quando a entrada é "alta" (1) e vice-versa. Os transistores Q2 e Q4 são controlados de forma semelhante pelo mesmo sinal de entrada (entrada B) e como eles também exibirão o mesmo comportamento on / off para os mesmos níveis de lógica de entrada. Os transistores superiores de ambos os pares (Q1 e Q2) têm seus terminais de fonte e drenagem paralelos, enquanto os transistores 6 inferiores (Q3 e Q4)estão conectados em série. O que isto significa é que a saída será "alta" (1) se o transistor superior saturar e irá "baixo" (0) somente se ambos os transistores inferiores saturarem. A seguinte seqüência de ilustrações mostra o comportamento deste portão NAND para as quatro possibilidades de níveis de lógica de entrada (00, 01, 10 e 11): 3.1.3.3 Atraso de propagação O atraso de propagação tp de uma porta define a rapidez com que ela responde a uma mudança em suas entradas. Ele expressa o atraso experimentado por um sinal ao passar por um portão. Ele é medido entre os pontos de transição de 50% das formas de onda de entrada e saída. A tPLH indica o atraso correspondente a passagem do nível lógico baixo, 0, para o nível lógico alto, 1. A tPHL indica o atraso correspondente a passagem do nível lógico alto, 1, para o nível lógico baixo, 0. O tempo de atraso na propagação (tp) pode ser definido como a média desses dois tempo. tp= * (tPLH + tPHL)2 1 4 Resultado e Discussão Em seguida serão discutidos os resultados obtidos no simulador e o dimensionamento do circuito. 4.1 Funcionamento de circuito O circuito montado no simulador segue-se O circuito funciona assim: quando as duas entradas estão com tensão baixa. Os dois n-MOSFETs ficam 7 na zona de corte isso deve se pelo facto de tensão Vgs<Vth nos dois transistor e os dois p-MOSFETs ficam na zona linear porque a tensão Vgs>Vth e a tensão Vds<Vgs. E a tensão de saída fica alta. Quanto a tensão de entrada B é alta e a tensão A é baixa, o n-MOSFET (M1) fica na zona linear e n-MOSFET (M6) fica na zona de corte, o p-MOSFET (M2) fica em corte e o MOSFET (M5) fica na zona linear. Assim fazendo que a tensão de saída ser alta. Quando a tensão A é alta e a tensão B baixa o n-MOSFET (M1) fica na zona corte e n-MOSFET (M6) fica de saturação e isso deve se pelo facto da tensão Vgs>Vth, o p-MOSFET (M2) fica na zona linear e o MOSFET (M5) fica na zona de corte. Assim fazendo que a tensão de saída ser alta. Quando as tensões A e B estão altas, os dois n-MOSFETs ficam na zona linear e os dois p-MOSFETs ficam na zona de corte consequentemente fazendo a tensão de saída ser baixa. 4.2 Simulação do circuito Simulando o circuito obtivemos o gráfico abaixo: As duas primeiras curvas são das entradas A e B e a terceira curva é a tensão de saída. Pelo gráfico podemos verificar que a tensão de saída é somente 0V quando as suas duas tensões de entrada são 5V e quando uma das tensões de entrada é 5V ou as duas são 0V a tensão de saída é 5V. Através dos gráficos das tensões de entrada e saída do circuito é possível observar os atrasos tPHL de cerca de 27 ns e tPLH de aproximadamente 67 ns, resultando no tP próximo de 47 ns. Observou-se também uma pequena queda para um valor menor que zero logo antes da subida cujo valor não é significativamente grande. O gráfico a seguir mostra a potência dissipada no circuito. 8 É possível observar que o circuito só dissipa potência da fonte e das entradas nos momentos em que os transistores mudam de estado. 4.3 Vantagens da Família CMOS · Baixo consumo; · Fabricação simples e barata; · Grande Fan – Out e ampla faixa de alimentação; · Não utiliza resistores; · Alta impedância de entrada; · Menor espaço de ocupação. 4.4 Desvantagem da Família CMOS Tempo de atraso de propagação relativamente maior em relação às outras famílias lógicas (Família TTL) o que diminui a velocidade de operação; Suscetível a danos provocados por cargas estáticas. 5 Dificuldades encontradas Encontramos dificuldades em explicar mais detalhadamente os atrasos e as perdas do circuito, entender porque o circuito só funciona satisfatoriamente no simulador quando os transistores PMOS têm os seus terminais de dreno e não de source ligados a fonte, ao contrário dos circuitos pesquisados. 9 6 Conclusão Tiramos como conclusão que o circuito quando Va e Vb são altos, isto é, a 5V, então os dois PMOS ficarão em circuito aberto e dois NMOS serão em curto-circuito. A saída Vout será ligada a terra e produzirá saída zero. Se alguma entrada for baixa (0 V), o PMOS correspondente será fechado e o NMOS será circuito aberto, o Vout é curto-circuito para Vdd, o que fornece alta saída. 10 7 Bibliografia ALL about circuit. (n.d.). Retrieved from CMOS Gate Circuitry: https://www.allaboutcircuits.com/textbook/digital/chpt-3/cmos-gate-circuitry/ Smith, S. Microelectronic circuit (Sixth Edition ed.). 11
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