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07/03/2018 AVA UNIVIRTUS
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Questão 1/5 - Eletrônica Analógica
Um engenheiro projetou um circuito igual ao da figura abaixo. 
Determine a perda de potência durante o tempo de 
desligamento do IGBT. 
 
Considere que a frequência do chaveamento de controle é de 10 
kHz, R = 10 Ohms, o tempo no estado desligado é t = 0,5us 
e a corrente de fuga do coletor para emissor é de 5 µA
Nota: 20.0
A 750 mW
B 0,15 mW
C 15 mW
D 7,5 µW
E 6,25mW
Questão 2/5 - Eletrônica Analógica
Considere que o IGBT do circuito a seguir está sendo 
comandado por pulsos. 
 
L off
Você acertou!
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Deseja-se saber qual o tempo que o IGBT será submetido no 
estado “ligado” se a potência requerida for de 2 kW. A 
frequência de operação é de 1 kHz.
Nota: 20.0
A t = 0,248ms
B t = 0,328ms
C t = 0,245ms
D t = 0,254ms
E t = 0,2456ms
Questão 3/5 - Eletrônica Analógica
O IGBT no circuito a seguir é controlado por um sinal de 
chaveamento com frequência de 6 kHz. A tensão de 
alimentação V do circuito é de 220 V. Sabendo que V = 
on
Você acertou!
on
on
on
on
S CE sat
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2V, R = 5 Ohms , e o tempo de condução é t = 1us,
 
 
determine a perda de potência no IGBT durante o tempo no 
estado de condução (“ligado” - P ).
Nota: 20.0
A P = 87,2mW
B P = 45,232mW
C P = 57,55mW
D P = 523,2mW
E P = 781,2mW
Questão 4/5 - Eletrônica Analógica
Ao analisarmos a curva característica de um IGBT, devemos 
saber onde estão localizadas as regiões de operação do 
dispositivo. 
 
on
on
on
on
on
on
Você acertou!
on
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Assinale a alternativa que contem a sequência correta das 
regiões de operação do IGBT, com base nas curvas 
características mostradas na figura abaixo.
Nota: 20.0
A 1-Corte; 2-Saturação; 3-Avalanche
B 1-Saturação; 2-Corte; 3-Avalanche
C 1-Avalanche; 2-Corte; 3-Saturação
D 1-Saturação; 2-Avalanche; 3-Corte
E 1-Corte; 2-Avalanche; 3-Saturação
Questão 5/5 - Eletrônica Analógica
Analise as afirmações sobre os IGBTs abaixo.
Assinale a alternativa que contem a sequência correta.
 ( ) O IGBT é um dispositivo controlado por tensão
 ( ) A velocidade de chaveamento de um IGBT é superior à 
alcançada pelos MOSFETs.
 ( ) Um IGBT possui as características de comutação de um 
Você acertou!
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BJT bom como a elevada impedância de entrada dos MOSFETs
 ( ) O IGBT foi projetado para aplicações em baixa corrente
 ( ) O IGBT é um dispositivo de 3 terminais denominados 
Coletor, Porta e Emissor
Nota: 20.0
A V-F-F-F-F
B F-F-V-V-V
C V-V-F-F-V
D V-F-V-F-V
E V-F-F-F-V
Você acertou!
V) CORRETO
 (F) FALSO - A velocidade de chaveamento
de um IGBT é superior à alcançada pelos
TJBs, porém inferior aos MOSFETs.
 (V) CORRETO
 (F) FALSO - Os IGBTs foram projetados para
aplicações que demandam altas correntes.
 (V) CORRETO
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