Dispositivos Eletronicos

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DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS IFMA/DESU/DEE PROGRAMA DE ENSINO 
 
DEE PÁGINA - 1 - 
 
 
INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO MARANHÃO 
DIRETORIA DE ENSINO SUPERIOR 
DEPARTAMENTO DE ELETROELETRÔNICA 
 
Disciplina: Dispositivos Eletrônicos 
Código: EE398A 
Pré-requisitos: Circuitos Elétricos I & Eletricidade e Magnetismo 
Carga Horária Semestral: 75 horas 
Carga Horária Semanal: 5 horas 
Créditos: 05 
PROGRAMA DE ENSINO 
EMENTA 
Física e propriedades dos semicondutores. Junção PN. Estudo das características e aplicações do diodo de junção. 
Diodo Zener. Outros componentes semicondutores de dois terminais. Transistor de Junção Bipolar e Transistor Efeito 
de Campo. Amplificadores transistorizados: ganho, eficiência, distorção, resposta em freqüência, impedância de 
entrada e saída, configurações e estabilidade. Implementações de portas lógicas. 
 
OBJETIVO GERAL 
Descrever, analisar e projetar circuitos eletrônicos utilizando diodos e transistores. 
 
CONTEÚDO PROGRAMÁTICO 
1. Teoria de Semicondutores. 
1.1 Materiais intrínsecos e extrínsecos; 
1.2 Junção PN; 
1.3 Polarização direta e reversa; 
2. Diodos semicondutores. 
2.1 Modelos do diodo; 
2.2 Análise de circuitos com diodos; 
2.3 Circuitos retificadores; 
2.4 Ceifadores, Grampeadores e multiplicadores de tensão; 
3. Diodo Zener. 
3.1 Parâmetros e polarização; 
3.2 Circuitos reguladores de tensão; 
3.3 Circuitos modificadores de forma de onda; 
4. Outros componentes semicondutores de dois terminais. 
4.1 Diodo Emissor de Luz; 
4.2 Diodo Varicap; 
4.3 Diodo Schotcky; 
4.4 Diodo Schockley; 
4.5 Diodo Túnel; 
4.6 Foto-diodo; 
4.7 Varistores e Termistores. 
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5. Transistores de Junção Bipolar. 
5.1 Estrutura e funcionamento; 
5.2 Regiões de operação; 
5.3 Polarização de transistores; 
5.4 Característica exponencial; 
5.5 Configurações EC, BC & CC; 
5.6 Características Estáticas, Capacitâncias internas e efeitos de segunda ordem; 
5.7 Amplificadores de pequenos sinais com TJB 
5.8 Resposta em freqüência dos circuitos transistorizados com TJB 
6. Transistores de Efeito de Campo. 
6.1 Estrutura e operação do JFET; 
6.2 Estrutura e operação do MOS; 
6.3 Regiões de operação; 
6.4 Circuitos de polarização; 
6.5 Característica de lei quadrática; 
6.6 Amplificadores de pequenos sinais com FET; 
6.7 Resposta em freqüência dos circuitos transistorizados com FET 
 
 
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 
 
[1] SEDRAS & SMITH. Microeletrônica. Ed. Makron Books. 4ª ed. 2000; 
[2] CLARKE, K. Kenneth; HESS, Donald T. Communication Circuits: Analysis and Design. Addison-Wesley Publishing 
Company. 1978; 
[3] CUTLER, Phillip. Teoria dos dispositivos de estado sólido: Com Problemas Ilustrativos. MCGraw-Hill do Brasil, 
1977. 
[4] MILMAN & HALKIAS. Eletrônica. Vol. 1 e 2. Ed. MCGraw-Hill. 2ª ed. 1981. 
[5] LURCH, E. Norman. Fundamentos de Eletrônica. Vol. 1 e 2. Livros Técnicos e Científicos Editora S.A. 1984; 
[6] MARQUES, Angelo Eduardo B.; CRUZ, Eduardo César Alves ;Júnior, Salomão Choueri, . Dispositivos 
semicondutores: Diodos e Transistores. Ed. Érica. 1996; 
[7] BOYLESTAD,Robert; NASHELSKY, Louis. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. Prentice-Hall do Brasil. 8ª 
ed. 2004; 
[8] MALVINO. Eletrônica. Vol 1 e 2. MCGraw-Hill. 4ª ed. 2001; 
[9] BOGAT, Theodore. Dispositivos e CircuitosEletrônicos Vol. 1 e 2. Ed. Makron Books. 3ª ed. 2004; 
[10] ROSS, John. LALOND, David. Princípios de Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. Makron Books. 1ª ed. 1999. 
 
 
 
 
 
 COORDENADOR DO CURSO