4 imperfeicoes cristalinas

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Ciências dos Materiais
4- FORMAÇÃO E IMPERFEIÇÕES 
CRISTALINAS
1
ASSUNTO
- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (discordâncias)
- Defeitos de interface (grão e 
maclas)
- Defeitos volumétricos (inclusões, 
precipitados)
Prof. Davi Pereira Garcia
Ciências dos Materiais
O QUE É UM DEFEITO? 
É uma imperfeição ou um "erro" no arranjo periódico regular dos 
átomos em um cristal. 
Podem envolver uma irregularidade 
• na posição dos átomos
• no tipo de átomos
O tipo e o número de defeitos dependem do material, do meio 
ambiente, e das circunstâncias sob as quais o cristal é processado. 
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Ciências dos Materiais
IMPERFEIÇÕES 
ESTRUTURAIS
- IMPORTÂNCIA-
3Prof. Davi Pereira Garcia
Ciências dos Materiais
Solidificação dos Metais
• Os metais são fundidos para produzir peças acabadas 
e semi-acabadas.
• Dois passos de solidificação
Nucleação: Formação de núcleos estáveis.
Crescimento de núcleos: Formação de estrutura de grãos.
• Gradientes térmicos definem a forma de cada grão
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Liquido
Nucleo
Cortorno de Grão
Grãos
Cristais que irão
formar grãos
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Formação Solução Solida 
• Dois mecanismos principais: Homogêneos e heterogêneos.
• Nucleação Homogênea: 
Primeiro e caso mais simples.
O próprio metal fornecerá átomos para formar núcleos.
Metal, quando significativamente resfriado, tem vários átomos de 
movimento lento que se ligam uns aos outros para formar núcleos.
Rede de átomos abaixo do tamanho crítico é chamado de embrião.
Se o conjunto de átomos atingir tamanho crítico, eles crescem em cristais. Se 
não eles irão se dissolver.
Cluster de átomos que são mais ricos do que o tamanho crítico são 
chamados núcleo.
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Energias envolvidas na nucleação 
homogênea.
Volume de energia livre Gv
• Liberada pela transformação de 
líquido para sólido.
• ΔGv é a mudança na energia livre 
por unidade de volume entre 
líquido e sólido.
• Mudança de energia livre para 
um núcleo esférico de raio r é 
dada por
Energia de superfície Gs
• Necessário para formar nova 
superfície sólida
• ΔGs é a energia necessária para 
criar uma superfície. γ é 
especifico da energia de 
superfície.
Então
• ΔGs é a energia de retardo da 
transformação.
 2s 4G r
vGrr 
3
3
4

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Energia Livre Total
• Energia Livre total é dada por:
 23 4
3
4
rGrG vT 
Nucleo
Acima do raio
Critico r*
Abaixo do raio 
Critico r*
A energia é 
diminuída 
pelo crescimento 
dos cristais
Energia é 
diminuída pela
redissolução
VG
r


2
*
Quando r=r*, d(ΔGT)/dr = 0
r*
r
ΔG
+
- ΔGv
ΔGs
ΔGT
r*
7
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Raio crítico versus superresfriamento
• Quanto maior o grau de superresfriamento, maior a 
mudança na energia livre do volume ΔGv
• ΔGs não muda de forma significativa.
• À medida que o superresfriamento ΔT aumenta, o tamanho 
raio do núcleo crítico diminui. 
• A relação entre o raio critico e o superresfeiamento é dada 
por: 
TH
T
r
f
m


2
*
r* = critical radius of nucleus
γ = Surface free energy
ΔHf = Latent heat of fusion
Δ T = Amount of undercooling.
8
Ciências dos Materiais
Nucleação Homogênea
• A nucleação ocorre no liquido na superfície da estrutura de 
um material. Ex:- impurezas insolúveis.
• Essas estruturas, chamadas agentes nucleantes, reduzem a 
energia livre necessária para formar núcleo estável.
• Os agentes de nucleação também diminuem o tamanho crítico.
• É necessária uma menor quantidade de superresfriamento para 
solidificar.
• Usado excessivamente em indústrias.
Liquido
Solido
Agente 
nucleantes
θ
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Growth of Crystals and Formation of
Grain Structure
• Núcleo crescem em cristais em diferentes orientações.
• Os limites de crescimento de cristais ocorre quando os 
cristais se juntam em solidificação completa.
• Cristais solidificados são chamados de grãos em metais .
• Os grãos são separados por contornos de grãos. 
• Quanto maior o numero
de sítios nucleantes, 
maior o número de grãos 
formados. 
Nuclei growing into grains
Forming grain boundaries
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Tipos de Grãos
• Grãos Equiaxais:
• Cristais, menores em tamanho, crescem igualmente em 
todas as direções.
• Formado nos locais de alta concentração do núcleos.
• Exemplo: - Parede do molde a frio
• Grãos Colunares: 
 Longos e grosseiros.
 Crescer predominantemente em uma direção.
 Formado nos locais de arrefecimento lento
 E gradiente de temperatura íngreme.
 Exemplo: - Grãos que estão longe da
parede do molde.
Columnar Grains
Equiaxed Grains
Mold
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• (a) Esquema da estrutura de grão de um metal solidificado em um molde frio.
(b) Seção transversal de um lingote da liga de alumínio 1100 (99,0% Al) fundido pelo processo Properzi (processo de 
fundição centrifuga). Note-se a consistência com que os grãos colunares cresceram perpendicularmente às paredes do 
molde. Fonte: Fundamentos de Engenharia e Ciência dos Materiais. Smith
Prof. Davi Pereira Garcia 12
(“
M
e
ta
ls
 H
a
n
d
b
o
o
k
”,
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, 
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. 
1
6
4
.)
Ciências dos Materiais
Fundição nas Industrias
• Nas indústrias, o metal fundido em peças semi-acabadas ou 
acabadas.
Direct-Chill semicontinuous
Casting unit for aluminum
Continuous casting
Of steel ingots
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Iron Smelting: Video
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Fundição nas Industrias
• Nas indústrias, o metal fundido em peças semi-acabadas ou 
acabadas.
Direct-Chill semicontinuous
Casting unit for aluminum
Continuous casting
Of steel ingots
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Estrutura do grãos produzidos na 
industria
• Para produzir lingotes fundidos com tamanho de grão 
pequeno, refinadores de grãos são adicionados.
• Exemplo: - Para liga de alumínio, é adicionada uma 
pequena quantidade de titânio, boro ou zircónio. 
(a) (b)
Grain structure of
Aluminum cast
with (a) and
without (b)
grain refiners.
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Solidificação Cristais 
• Para algumas aplicações (por exemplo: Lâminas de turbinas a gás -
ambiente de alta temperatura), são necessários cristais individuais.
• Cristais únicos têm alta resistência à fluência.
• A cabeça de solidificação é conduzida através de cristal solidificante para 
crescer monocristal.
• A taxa de crescimento é mantida lenta de modo que a temperatura na 
interface sólido-líquido é ligeiramente abaixo do ponto de fusão.
Growth of single
crystal for turbine
airfoil.
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Processo Czochralski
• Este método é usado para produzir monocristal de silício 
para dispositivos eletrônicos.
• Um cristal semente é mergulhado em silício fundido e 
rodado.
• O cristal semente é retirado lentamente enquanto o silício 
adere ao cristal semente e cresce como um único cristal.
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IMPERFEIÇÕES ESTRUTURAIS
• Apenas uma pequena fração dos sítios atômicos são imperfeitos
Menos de 1 em 1 milhão
• Menos sendo poucos eles influenciam muito nas propriedades dos 
materiais e nem sempre de forma negativa
19Prof. Davi Pereira Garcia
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Soluções Metálicas Solidas
• As ligas metálicas são usadas na maioria das aplicações de 
engenharia.
• A liga é uma mistura de dois ou mais metais e não-metais.• Exemplo:
 Latão é liga binária de 70% Cu e 30% Zn. 
 Iconel é uma superliga a base de niquel com mais 10 elementos.
• Solução sólida é um tipo simples de liga em que os 
elementos estão dispersados ​​em uma única fase.
20
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Solução Sólida Substitucional
• Os átomos do soluto substituem o átomo do solvente em 
uma estrutura de cristal.
• A estrutura permanece inalterada.
• A rede pode ficar ligeiramente distorcida devido à mudança 
no diâmetro dos átomos.
Porcentagem de soluto no solvente
pode variar de fração até 100%
Solvent atoms
Solute atoms
21
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Solução Sólida Substitucional (Cont..)
• A solubilidade dos sólidos será maior quando:
 Diâmetro dos átomos não diferem em mais de 15%
 As estruturas cristalinas forem semelhantes.
 Não haver muita diferença na eletronegatividade (outros compostos 
serão formados).
 Tenha valência próximas .
• Exemplos:-
Sistema
Diferença 
de Raio 
Atômico 
Diferença 
Eletronega
tividade
Solubilida
de no 
sólido
Cu-Zn 3.9% 0.1 38.3%
Cu-Pb 36.7% 0.2 0.17%
Cu-Ni 2.3% 0 100%
22
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23
IMPERFEIÇÕES ESTRUTURAIS
Exemplos de efeitos da presença 
de imperfeições
o O processo de dopagem em semicondutores visa 
criar imperfeições para mudar o tipo de 
condutividade em determinadas regiões do material
o A deformação mecânica dos materiais promove a 
formação de imperfeições que geram um aumento 
na resistência mecânica (processo conhecido como 
encruamento) 
o Wiskers de ferro (sem imperfeições do tipo 
discordâncias) apresentam resistência maior que 
70GPa, enquanto o ferro comum rompe-se a 
aproximadamente 270MPa.
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IMPERFEIÇÕES ESTRUTURAIS
• São classificados de acordo com sua geometria ou dimensões
24Prof. Davi Pereira Garcia
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IMPERFEIÇÕES ESTRUTURAIS
• Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2 
posições atômicas
• Defeitos lineares uma dimensão
• Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras) duas 
dimensões 
• Defeitos volumétricos três dimensões
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1- DEFEITOS PONTUAIS
• Vacâncias ou vazios
• Átomos Intersticiais
• Schottky
• Frenkel
26
Ocorrem em sólidos iônicos
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VACÂNCIAS OU VAZIOS
• Envolve a falta de um 
átomo
• São formados durante a 
solidificação do cristal ou 
como resultado das 
vibrações atômicas (os 
átomos deslocam-se de 
suas posições normais)
27Prof. Davi Pereira Garcia
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VACÂNCIAS OU VAZIOS
• O número de vacâncias aumenta exponencialmente com a temperatura
Nv= N exp (-Qv/KT)
Nv= número de vacâncias
N= número total de sítios atômicos
Qv= energia requerida para formação de vacâncias
K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou 
8,62x10-5 eV/ at.K
28Prof. Davi Pereira Garcia
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INTERSTICIAIS
• Envolve um átomo extra no 
interstício (do próprio cristal)
• Produz uma distorção no 
reticulado, já que o átomo 
geralmente é maior que o espaço 
do interstício
• A formação de um defeito 
intersticial implica na criação de 
uma vacância, por isso este 
defeito é menos provável que 
uma vacância
29Prof. Davi Pereira Garcia
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INTERSTICIAIS
30
Átomo intersticial pequeno
Átomo intersticial grande
Gera maior distorção na rede
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IMPUREZAS NOS SÓLIDOS
• Um metal considerado puro sempre tem impurezas (átomos 
estranhos) presentes
99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3
• A presença de impurezas promove a formação de defeitos pontuais
31Prof. Davi Pereira Garcia
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LIGAS METÁLICAS
• As impurezas (chamadas elementos de liga) são adicionadas 
intencionalmente com a finalidade:
- aumentar a resistência mecânica
- aumentar a resistência à corrosão
- Aumentar a condutividade elétrica
- Etc.
32Prof. Davi Pereira Garcia
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A ADIÇÃO DE IMPUREZAS PODE 
FORMAR
• Soluções sólidas < limite de 
solubilidade
• Segunda fase > limite de 
solubilidade
A solubilidade depende :
• Temperatura
• Tipo de impureza
• Concentração da impureza
33Prof. Davi Pereira Garcia
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34
Termos usados
Elemento de soluto
liga ou Impureza (< quantidade)
Matriz ou solvente 
Hospedeiro (>quantidade)
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35
SOLUÇÕES SÓLIDAS
A estrutura cristalina do material que 
atua como matriz é mantida e não 
formam-se novas estruturas
As soluções sólidas formam-se mais 
facilmente quando o elemento de liga 
(impureza) e matriz apresentam 
estrutura cristalina e dimensões 
eletrônicas semelhantes
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SOLUÇÕES SÓLIDAS
• Nas soluções sólidas as impurezas podem ser:
- Intersticial
- Substitucional
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Ordenada
Desordenada
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37
SOLUÇÕES 
SÓLIDAS 
INTERSTICIAIS
Os átomos de impurezas ou os elementos de 
liga ocupam os espaços dos interstícios
Ocorre quando a impureza apresenta raio 
atômico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metálicos tem geralmente 
fator de empacotamento alto as posições 
intersticiais são relativamente pequenas
Geralmente, no máximo 10% de impurezas 
são incorporadas nos interstícios
INTERSTICIAL
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38
rC= 0,071 nm= 0,71 A
rFe= 0,124 nm= 1,24 A
EXEMPLO DE SOLUÇÃO SÓLIDA 
INTERSTICIAL
Fe + C solubilidade máxima do C no 
Fe é 2,1% a 910 C (Fe CFC)
O C tem raio atômico bastante pequeno 
se comparado com o Fe
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Solubilidade do Carbono no 
Ferro
• O carbono é mais solúvel no 
Ferro CCC ou CFC, 
considerando a temperatura 
próxima da transformação 
alotrópica?
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ccc
cfc
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TIPOS DE SOLUÇÕES SÓLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
SUBSTITUCIONAL 
ORDENADA
SUBSTITUCIONAL 
DESORDENADA
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FATORES QUE INFLUEM NA FORMAÇÃO DE 
SOLUÇÕES SÓLIDAS SUBSTITUCIONAIS
REGRA DE HOME-ROTHERY
• Raio atômico deve ter uma diferença de no máximo 15%, 
caso contrário pode promover distorções na rede e assim formação 
de nova fase
• Estrutura cristalina mesma
• Eletronegatividade próximas
• Valência mesma ou maior que a do 
hospedeiro
41Prof. Davi Pereira Garcia
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EXEMPLO DE SOLUÇÃO SÓLIDA 
SUBSTICIONAL
• Cu + Ni são solúveis em todas as 
proporções
42
00
Cu Ni
Raio atômico 0,128nm=1,28 A 0,125 nm=1,25A
Estrutura CFC CFC
Eletronegatividade 1,9 1,8
Valência +1 (as vezes +2) +2
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2- DEFEITOS LINEARES: 
DISCORDÂNCIAS
• As discordâncias estão associadas com a cristalização e a deformação 
(origem: térmica, mecânica e supersaturação de defeitos pontuais)
• A presença deste defeito é a responsável pela deformação, falha e ruptura 
dos materiais
43Prof. Davi Pereira Garcia
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2- DEFEITOS LINEARES: 
DISCORDÂNCIAS
• Podem ser:
- Aresta
- Hélice
- Mista
44Prof. Davi Pereira Garcia
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VETOR DE BURGER (b)
• Dá a magnitude e a direção de distorção da rede
• Corresponde à distância de deslocamento dos átomos ao redor da 
discordância
45Prof. Davi Pereira Garcia
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2.1- DISCORDÂNCIA EM ARESTA
• Envolve um SEMI-planoextra
de átomos
• O vetor de Burger é 
perpendicular à direção da linha 
da discordância
• Envolve zonas de tração e 
compressão
46Prof. Davi Pereira Garcia
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DISCORDÂNCIAS EM ARESTA
47
Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ
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DISCORDÂNCIAS EM ARESTA
48
Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ
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2.2- DISCORDANCIA EM HÉLICE
• Produz distorção na rede
• O vetor de burger é paralelo à 
direção da linha de discordância
49Prof. Davi Pereira Garcia
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DISCORDANCIA EM HÉLICE
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Discordância Mista
51Prof. Davi Pereira Garcia
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2.2- DISCORDANCIA EM HÉLICE
52
DISCORDÂNCIA EM HÉLICE NA SUPERFÍCIE DE 
UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS 
SÃO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS. 
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
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DISCORDÂNCIAS NO TEM
53Prof. Davi Pereira Garcia
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54
CONSIDERAÇÕES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordâncias 
podem ser controlados pelo grau de deformação 
(conformação mecânica) e/ou por tratamentos 
térmicos 
Com o aumento da temperatura há um aumento na 
velocidade de deslocamento das discordâncias 
favorecendo o aniquilamento mútuo das mesmas e 
formação de discordâncias únicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em 
torno das discordâncias formando uma atmosfera de 
impurezas
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CONSIDERAÇÕES GERAIS
• O cisalhamento se dá mais facilmente nos planos de maior 
densidade atômica, por isso a densidade das mesmas depende da 
orientação cristalográfica 
• As discordâncias geram vacâncias
• As discordâncias influem nos processos de difusão
• As discordâncias contribuem para a deformação plástica
55Prof. Davi Pereira Garcia
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3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
• Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimensões) e normalmente 
separam regiões dos materiais de diferentes estruturas cristalinas ou 
orientações cristalográficas
56Prof. Davi Pereira Garcia
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3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
• Superfície externa
• Contorno de grão
• Fronteiras entre fases
• Maclas ou Twins
• Defeitos de empilhamento
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3.1- DEFEITOS NA SUPERFÍCIE 
EXTERNA 
• É o mais óbvio
• Na superfície os átomos não estão completamente ligados 
• Então o estado energia dos átomos na superfície é maior que no interior do 
cristal
• Os materiais tendem a minimizar está energia
• A energia superficial é expressa em erg/cm2 ou J/m2)
58Prof. Davi Pereira Garcia
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3.2- CONTORNO DE GRÃO 
• Corresponde à região que separa dois ou mais cristais de orientação diferente 
um cristal = um grão
• No interior de cada grão todos os átomos estão arranjados segundo um único 
modelo e única orientação, caracterizada pela célula unitária
59Prof. Davi Pereira Garcia
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Monocristal e Policristal
Monocristal: Material com apenas uma orientação cristalina, ou 
seja, que contém apenas um grão
Policristal: Material com mais de uma orientação cristalina, ou 
seja, que contém vários grãos
60Prof. Davi Pereira Garcia
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LINGOTE DE ALUMÍNIO 
POLICRISTALINO
61Prof. Davi Pereira Garcia
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GRÃO
• A forma do grão é controlada:
- pela presença dos grãos circunvizinhos
• O tamanho de grão é controlado
- Composição química
- Taxa (velocidade) de cristalização ou solidificação
62Prof. Davi Pereira Garcia
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FORMAÇÃO DOS GRÃOS
63
A forma do grão é controlada:
- pela presença dos grãos 
circunvizinhos
O tamanho de grão é 
controlado
- Composição
- Taxa de cristalização ou 
solidificação
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CONSIDERAÇÕES GERAIS SOBRE 
CONTORNO DE GRÃO
• Há um empacotamento ATÔMICO menos eficiente
• Há uma energia mais elevada
• Favorece a nucleação de novas fases (segregação)
• favorece a difusão
• O contorno de grão ancora o movimento das discordâncias
64Prof. Davi Pereira Garcia
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Discordância e Contorno de Grão
A passagem de uma discordância através do 
contorno de grão requer energia
65
DISCORDÂNCIA
O contorno de grão ancora o movimento das discordância pois 
constitui um obstáculo para a passagem da mesma, LOGO 
QUANTO MENOR O TAMANHO DE GRÃO
.........A RESISTÊNCIA DO MATERIALProf. Davi Pereira Garcia
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CONTORNO DE PEQUENO ÂNGULO
• Ocorre quando a desorientação 
dos cristais é pequena
• É formado pelo alinhamento de 
discordâncias
66Prof. Davi Pereira Garcia
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OBSERVAÇÃO DOS GRÃOS E 
CONTORNOS DE GRÃO
• Por microscopia (ÓTICA OU ELETRÔNICA)
• utiliza ataque químico específico para cada material
O contorno geralmente é mais reativo
67Prof. Davi Pereira Garcia
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68
GRÃOS VISTOS NO 
MICROSCÓPIO ÓTICO
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Ciências dos Materiais
Virtual Lab Modules
• Click on the following figures to open the virtual lab 
modules related to polishing the specimen for 
Metallography.
69
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Effect of Etching
Unetched 
Steel
200 X
Etched 
Steel
200 X
Unetched 
Brass
200 X
Etched 
Brass
200 X
70
Ciências dos Materiais
Virtual Lab Modules
• Click on the following figures to open the virtual lab modules 
related to etching the specimen.
71
Ciências dos Materiais
Virtual Lab Modules
• Click on the following figures to open the virtual lab modules 
related to metallographic observation.
72
Ciências dos Materiais
TAMANHO DE GRÃO
• O tamanho de grão influi nas propriedades dos materiais
• Para a determinação do tamanho de grão utiliza-se cartas padrões
ASTM
ou 
ABNT
73Prof. Davi Pereira Garcia
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DETERMINAÇÃO DO TAMANHO 
DE GRÃO (ASTM)
• Tamanho: 1-10
• Aumento: 100 X
N= 2 n-1
N= número médio de grãos por polegada quadrada
n= tamanho de grão
74
Quanto maior o número menor o 
tamanho de grão da amostra
Prof. Davi Pereira Garcia
Ciências dos Materiais
Existem vários softwares comerciais de 
simulação e determinação do tamanho 
de grão
75Prof. Davi Pereira Garcia
Ciências dos Materiais
Measuring ASTM Grain Size Number
• Click the Image below to play the tutorial.
76
Ciências dos Materiais
Average Grain Diameter
• Average grain diameter more directly represents 
grain size.
• Random line of known length is drawn on 
photomicrograph.
• Number of grains intersected is counted.
• Ratio of number of grains intersected to length of 
line, nL is determined.
d = C/nLM 
C=1.5, and M is 
magnification
3 inches 5 grains.
77
Ciências dos Materiais
Virtual Lab Module
• Click on the following figures to open the virtual lab modules 
related to grain size measurement.
78
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CRESCIMENTO DO GRÃO com a 
temperatura
79
Em geral, por questões termodinâmicas (energia) 
os grãos maiores crescem em 
detrimento dos menores 
Prof. Davi Pereira Garcia
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TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GÊMEOS
• É um tipo especial de 
contorno de grão
• Os átomos de um lado do 
contorno são imagens 
especulares dos átomos do 
outro lado do contorno
• A macla ocorre num plano 
definido e numa direção 
específica,dependendo da 
estrutura cristalina
80Prof. Davi Pereira Garcia
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ORIGENS DOS TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GÊMEOS
• O seu aparecimento está 
geralmente associado com A 
PRESENÇA DE:
- tensões térmicas e mecânicas
- impurezas
- Etc.
81Prof. Davi Pereira Garcia
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4- IMPERFEIÇÕES 
VOLUMÉTRICAS
• São introduzidas no processamento do material e/ou na fabricação 
do componente
82Prof. Davi Pereira Garcia
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4- IMPERFEIÇÕES 
VOLUMÉTRICAS
- Inclusões Impurezas estranhas
- Precipitados são aglomerados de partículas cuja composição difere 
da matriz
- Fases forma-se devido à presença de impurezas ou elementos de liga (ocorre quando 
o limite de solubilidade é ultrapassado)
- Porosidade origina-se devido a presença ou formação de gases
83Prof. Davi Pereira Garcia
Ciências dos Materiais
Inclusões
84
INCLUSÕES DE ÓXIDO DE COBRE (Cu2O) EM COBRE DE ALTA PUREZA (99,26%)
LAMINADO A FRIO E RECOZIDO A 800o C. 
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Inclusões
85
SULFETOS DE MANGANÊS (MnS) EM AÇO RÁPIDO. 
Prof. Davi Pereira Garcia
Ciências dos Materiais
86
As figuras abaixo apresentam a superfície de ferro puro durante o seu 
processamento por metalurgia do
pó. Nota-se que, embora a sinterização tenha diminuído a quantidade 
de poros bem como melhorado
sua forma (os poros estão mais arredondados), ainda permanece uma 
porosidade residual.
COMPACTADO DE PÓ DE 
FERRO,COMPACTAÇÃO 
UNIAXIAL EM MATRIZ DE 
DUPLO EFEITO, A 550 MPa 
COMPACTADO DE PÓ DE FERRO 
APÓS SINTERIZAÇÃO 
A 1150oC, POR 120min EM 
ATMOSFERA DE HIDROGÊNIO
Prof. Davi Pereira Garcia
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EXEMPLO DE PARTÍCULAS DE 
SEGUNDA FASE 
87
A MICROESTRUTURA É COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLÍTICA.
CADA GRÃO DE PERLITA, POR SUA VEZ, É CONSTITUÍDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE
DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO). 
Prof. Davi Pereira Garcia
Ciências dos Materiais
88
microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases 
precipitadas
Prof. Davi Pereira Garcia