prova AV1

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2017­5­25 Estácio
http://bquestoes.estacio.br/entrada.asp?p0=102161250&p1=201503524531&p2=2355742&p3=CCE0252&p4=102900&p5=AV1&p6=02/05/2017&p10=633670… 1/4
Avaliação: CCE0252_AV1_201503524531 » MATERIAIS ELÉTRICOS
Tipo de Avaliação: AV1
Aluno: 201503524531 ­ MARIA DE FATIMA CANDIDO DE FREITAS
Professor: JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS Turma: 9001/AA
Nota da Prova: 10,0 de 10,0  Nota do Trab.:    Nota de Partic.:  Data: 02/05/2017 22:28:28
  1a Questão (Ref.: 201503737186) Pontos: 1,0  / 1,0
Alunos do curso de Engenharia da UNESA realizaram um experimento básico representado na f igura a seguir.
 
  
  
Entre os pontos A e B estabeleceram diversas diferenças de potencial, V, no condutor ôhmico designado por R, obtendo os valores
de corrente, i, expressos na tabela a seguir.
 
i (Ampère) 2,60 2,10 2,00 6,30
V (volt) 5,00 4,30 4,20 12,60
 
Baseado nas informações anteriores, podemos concluir que a resistência do resistor ôhmico é melhor quantif icada por.
 
 
1,6 ohms
2,5 ohms
0,75 ohms
0,5 ohms
  2,0 ohms
  2a Questão (Ref.: 201503737194) Pontos: 1,0  / 1,0
Georg Simon Ohm (1787­1854) foi um pesquisador e professor de origem germânica. Integrante do corpo docente da Universidade de
Munique, publicou em 1827 um artigo no qual divulgava o resultado de seu trabalho com condutores metálicos. Entre as informações
relevantes, havia uma relação entre a diferença de potencial aplicada a um condutor e a corrente gerada que, décadas mais tarde,
seria  conhecida  como  Lei  de  Ohm.  (MEYER  HERBERT W.,  A  History  of  Electricity  and  Magnetism  .  Connecticut,  Norw alk,  1972,
Chapter 3)
Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa esta relação:
F=m.a
V=R i.A/l
  V=R.i
V=N.i.E
P=U.i
  3a Questão (Ref.: 201503676561) Pontos: 1,0  / 1,0
Um resistor é construído u�lizando‐se um material cuja resis�vidade é igual a 44 x 10‐6 Ω.cm na forma de
um fio cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção
reta do fio igual a 0,38 mm2.
2017­5­25 Estácio
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384,2 mili ohms
  347,4 mili ohms
376,38 mili ohms
399,9 mili ohms
354,6 mili ohms
  4a Questão (Ref.: 201503737203) Pontos: 1,0  / 1,0
Na  fabricação de  semicondutores,  é  comum a  inserção de átomos com valência menor ou maior  a dos átomos que constituem a
matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam­se semicondutores de Silício do tipo­n são obtidos a partir da inserção de átomos
de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5,
diz­se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um
elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
Ba+2
  As+5
 
O­2
 
B+3
 
Al+3
 
  5a Questão (Ref.: 201503818112) Pontos: 1,0  / 1,0
A grande maioria dos metais são materiais cristalinos, ou seja, possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma
periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Quando submetemos este tipo de
material a um campo elétrico, os elétrons livres iniciam movimento orientado pela força elétrica que os
compele. Baseado nestas informações, como denomina­se a velocidade desenvolvida essas partículas.
  velocidade de deslocamento.
Velocidade de arraste.
Velocidade hiperstática.
Velocidade quântica.
Velocidade elétrica.
  6a Questão (Ref.: 201503818185) Pontos: 1,0  / 1,0
Existem diversas formas de energia que percorrem a rede cristalina de um condutor metálico. Em um condutor
que possui sua temperatura elevada, por exemplo, seus átomos apresentam alta energia térmica, o que
aumenta amplitude de vibração dos mesmos. Quando estabelecemos um campo elétrico através do mesmo, os
elétrons livres colidem com a estrutura atômica provocando ainda mais o aumento da amplitude vibracional.
Como todos os átomos estão conectados através de ligações atômicas, o aumento da amplitude de vibração se
transfere de um átomo para o outro, provocando o surgimento de uma onda de alta freqüência e energia
quantizada denominada de fônon. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering: An
Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 20). Com relação ao exposto, podemos afirmar que:
Em um isolante a energia cinética dos elétrons tende ao infinito.
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será igual em material condutor e isolante quando
submetidos a mesma diferença de potencial.
Em um material condutor a energia cinética dos elétrons tende a zero.
  Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material condutor campo elétrico de
mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
Provavelmente a energia cinética dos elétrons será maior em material isolante sob campo elétrico de
mesma intensidade ao aumentarmos a temperatura.
2017­5­25 Estácio
http://bquestoes.estacio.br/entrada.asp?p0=102161250&p1=201503524531&p2=2355742&p3=CCE0252&p4=102900&p5=AV1&p6=02/05/2017&p10=633670… 3/4
  7a Questão (Ref.: 201503818196) Pontos: 1,0  / 1,0
Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando
assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz
de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado
nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste
processo.
O­2
Na+
Ge+5
Be+2
  P+5
  8a Questão (Ref.: 201504159210) Pontos: 1,0  / 1,0
Uma amostra de um determinado semicondutor a uma dada temperatura tem condutividade de 280 (Ω.m)­1.
Sabendo que a concentração de buracos é de 2 x 1020 m ­3 e que a mobilidade de buracos e elétrons nesse
material são respectivamente 0,09 m2/V.S e 0,28 m2/V.S, a concentração de elétrons é:
412,88 x 1019 m ­3
140,25 x 1019 m ­3
541,05 x 1019 m ­3
  618,57 x 1019  m­3
715,78 x 1019 m ­3
  9a Questão (Ref.: 201504172886) Pontos: 1,0  / 1,0
Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando
os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
fio enrolado e CERMET
cerâmica e fio enrolado
CERMET e filme de carbono
composição de carbono e plástico
  filme de madeira (wood film) e filme de metal
  10a Questão (Ref.: 201504303754) Pontos: 1,0  / 1,0
Ao projetarmos aparatos elétricos, devemos prever que existirão partes deste equipamento em que a condução
elétrica é essencial e outras partes nas quais a condução não só é desnecessária, mas altamente inconveniente
devido  ao  perigo  de  choque  elétrico.  Para  excluir  ou  minimizar  as  possibilidades  de  descargas  elétricas
deletérias  a  vida,  utilizam­se  materiais  isolantes  como  os  polímeros  e  os  cerâmicos,  que  possuem  algumas
propriedades características, entre as quais só NÃO podemos citar:
Os cerâmicos possuem não só baixa condutividade elétrica, mas também baixa condutividade térmica.
Os polímeros são compostos de grandes cadeias moleculares, apresentando baixo ponto de fusão.
  Os cerâmicos são materiais capazes de absorver energia sem fragmentação fácil, apresentando baixa
fragilidade.
Os cerâmicos existem em grande abundância na natureza, tendo como exemplos os nitretos e silicatos.
Os polímeros apresentam grande facilidade de se ajustar aos formatos solicitados, devido a grande
ductilidade.
2017­5­25 Estácio
http://bquestoes.estacio.br/entrada.asp?p0=102161250&p1=201503524531&p2=2355742&p3=CCE0252&p4=102900&p5=AV1&p6=02/05/2017&p10=633670… 4/4