TESTE CONHECIMENTO MATERIAL ELETRICO 3

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1a Questão 
 
 
 Semicondutores de Silício do tipo-p são obtidos a partir da inserção de 
átomos de Alumínio, Al, na rede cristalina do Silício; a este processo 
chamamos de dopagem. Como o Alumínio possui valência igual a 3, Al+3, diz-
se que esta inserção promove o surgimento de buracos. Baseado nestas 
informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia 
substituir o Alumínio no processo de dopagem. 
 
 As+5 
 
Na
+
 
 
O
-2
 
 B+3 
 
Ba
+2
 
 
 
 
 
Ref.: 201601471981 
 
 
 
 2a Questão 
 
 
 Com o advento da tecnologia dos semicondutores, durante a década de 40, o 
transistor não só substituiu os tubos a vácuo, mas tornou possível a 
miniaturização dos componentes eletrônicos, originando um ramo 
inteiramente novo da Eletrônica denominado Microeletrônica. 
Com relação aos semicondutores, podemos afirmar: 
 
 Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade de 20m/s aproximadamente em 
um processo de condução de carga no interior de um condutor tipo-p. 
 A obtenção de um semicondutor extrínseco exige técnicas de inserção de 
¿impurezas¿ de difícil execução denominadas dopagem. 
 Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente 
semicondutores extrínsecos. 
 A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de 
cargas elétricas somente se o semicondutor for intrínseco, ou seja, puro. 
 Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de 
cargas elétricas somente nas junções P-N. 
 
 
 
 
Ref.: 201601471971 
 
 
 
 3a Questão 
 
 
 Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais 
são inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-
se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores 
do tipo-n. A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em 
função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de 
cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , 
que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), 
respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no 
qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a 
concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a 
expressão anterior para: 
 
 
A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma 
mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade. 
 σ = N ІeІ (µe + µh). 
 σ = P ІeІ µh. 
 
σ = 2 P ІeІ µh 
 
σ = N ІeІ µh. 
 
 
 
 
Ref.: 201601552860 
 
 
 
 4a Questão 
 
 
 A grande maioria dos metais são materiais cristalinos, ou seja, possuem seus átomos 
¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu 
volume. Quando submetemos este tipo de material a um campo elétrico, os elétrons livres 
iniciam movimento orientado pela força elétrica que os compele. Baseado nestas 
informações, como denomina-se a velocidade desenvolvida essas partículas. 
 
 Velocidade de arraste. 
 velocidade de deslocamento. 
 Velocidade elétrica. 
 Velocidade quântica. 
 Velocidade hiperstática. 
 
 
 
 
Ref.: 201602038486 
 
 
 
 5a Questão 
 
 
 Em 1949, William O. Shockley, pesquisador da "Bell Telephone Laboratories", publicou no 
"Bell System Technnical Journal" um artigo estabelecendo a teoria referente ao 
comportamento de transistores, uma aplicação direta dos semicndutores. Estava claro que 
o aparecimento destes novos materiais havia desencadeado um imediato avanço na 
modelagem físico-matemática associada ao assunto, nos oferecendo expressões como a 
condutividade intrínseca, dada por p | e | b n | e | e.. 
Com relação a expressão anterior, só NÃO PODEMOS afirmar que: 
 
 Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos elétrons. 
 Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga 
positiva. 
 Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos buracos. 
 Condutividade intrínseca depende do campo elétrico criado pelos elétrons. 
 Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga 
negativa. 
 
 
 
 
Ref.: 201601471980 
 
 
 
 6a Questão 
 
 
 Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de 
alta pureza é através da evaporação dos elementos de interesse em 
adequadas câmaras de vácuo, técnica de fabricação utilizada primeiramente 
em 1955. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , 
Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17). 
 
Com relação aos semicondutores é correto afirmar que: 
 
 
Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas. 
 Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente 
semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no 
sistema. 
 Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de 
cargas elétricas em um material. 
 A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de 
cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro. 
 A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil 
execução denominadas dopagem. 
 
 
 
 
Ref.: 201601963693 
 
 
 
 7a Questão 
 
 
 Que átomos de impureza são utilizados na dopagem do silício para formar um 
semicondutor tipo n? 
 
 Átomos com 1 elétron na camada de valência. 
 Átomos com 2 elétrons na camada de valência. 
 Átomos com 3 elétrons na camada de valência. 
 Átomos com 4 elétrons na camada de valência. 
 
Átomos com 5 elétrons na camada de valência. 
 
 
 
 
Ref.: 201601471979 
 
 
 
 8a Questão 
 
 
 Do ponto de vista tecnológico, a fabricação de transistores a partir de 
semicondutores dopados, foi estrategicamente decisivo para a evolução da 
eletrônica moderna. Os primeiros transistores apresentavam desempenho 
insatisfatório devido a impurezas como o Ouro e o Cobre, devido às precárias 
técnicas de refinamento da década de 1950. Foi somente em 1954, que um 
pesquisador da Bell Laboratories, William G. Pfann, engenheiro metalúrgico, 
desenvolveu um método adequado para a requerida purificação destes 
materiais (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , 
Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17). 
Com relação aos semicondutores, é possível afirmar que: 
 
 Os semicondutores intrínsecos possuem impurezas que acrescentam portadores de 
carga negativas ou portadores de carga positivas. 
 A temperatura não altera as propriedades elétricas dos semicondutores. 
 A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-n 
ou extrínseco do tipo-p. 
 Qualquer impureza oriunda de elementos de boa qualidade servem para dopar 
semicondutores. 
 A resistividade do semicondutor aumenta com a concentração de impurezas.