RELATORIO POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR

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Prática 6: Polarização do transistor – modo ativo
Resumo – este experimento tem o objetivo de evidenciar algumas características dos transistores bipolares de junção (TBJ’s), neste caso, o transistor utilizado será o BC337. A característica de maior interesse é seu funcionamento no modo ativo, ou seja, tanto na região de saturação, como na região ativa.
Palavras-Chave – Transistor, Região Ativa, TBJ, Tensão, Circuitos, Corrente Continua.
I. INTRODUÇÃO
Um transistor é composto por duas junções pn, a junção emissor-base (JEB) e a junção coletor-base (JCB). Dependendo da condição de polarização (direta ou reversa) de cada uma dessas junções, são obtidos diferentes modos de operação do TBJ.
O modo ativo, que também é conhecido como modo ativo direto, é aquele em que o transistor é utilizado para operar como um amplificador. Neste modo a JEB é polarizada diretamente, enquanto a JCB é polarizada reversamente.
	
II. DESENVOLVIMENTO PRÁTICO
	Neste experimento dois circuitos foram propostos para análise, sendo eles:
 
Fig. 1. Primeiro circuito do experimento.
Fig. 2. Segundo circuito do experimento.
	Para ambos os casos, os circuitos foram montados em uma protoboard, logo em seguida algumas medidas foram tomadas dos mesmos, tais como, a corrente de Coletor (IC), a corrente de Base (IB), corrente de emissor (IE), a diferença de potencial entre a Base e o Emissor (VBE), a diferença de potencial entre o Coletor e o Emissor (VCE), assim como as tensões de coletor e emissor (VC e VE respectivamente).
	Após ter medido os valores supracitados, também se realizou o cálculo teórico dos mesmos, utilizando o valor de β = 317 para obter maior precisão dos dados, pois o datasheet do transistor nos permite utilizar qualquer valor entre 100 e 400, dispondo tais valores em tabelas (que se encontram na seção III deste documento), de modo a compara-los.
	
III. RESULTADOS EXPERIMENTAIS E DISCUSSÃO DOS RESULTADOS OBTIDOS
	Após medir e calcular todos os valores de tensão e corrente para a primeira parte do experimento, obteve-se a seguinte tabela:
TABELA I
Dados experimentais do circuito 1, tensão e corrente sobre o transistor 
	
	Medido
	Teórico
	Corrente do Coletor (mA)
	1,08
	0,958
	Corrente da Base (mA)
	0,00034
	0,0003
	Corrente do Emissor (mA)
	1,09
	0,96
	Tensão Coletor-Emissor (V)
	5,705
	6,196
	Tensão Base-Emissor (V)
	0,581
	0,7
	Tensão Coletor (V)
	7,000
	7,497
	Tensão Emissor (V)
	1,303
	1,301
	 
Após medir e calcular todos os valores de tensão e corrente para a segunda parte do experimento, obteve-se a seguinte tabela:
TABELA II
Dados experimentais do circuito 2, tensão e corrente sobre o transistor 
	
	Medido
	Teórico
	Corrente do Coletor (mA)
	1,680
	1,617
	Corrente da Base (mA)
	1,746
	1,883
	Corrente do Emissor (mA)
	3,530
	3,500
	Tensão Coletor-Emissor (V)
	0,002
	0,200
	Tensão Base-Emissor (V)
	0,712
	0,700
	Tensão Coletor (V)
	4,236
	4,400
	Tensão Emissor (V)
	4,235
	4,200
IV. CONCLUSÃO
A partir dos resultados obtidos no experimento,
foi possível analisar o comportamento de um transistor operando no modo ativo e na saturação, que consiste na polarização da junção emissor-base que resulta na
circulação da corrente por esta junção. Através dessa análise pode-se comparar os valores teóricos com os experimentais, que foi condizente com a proposta do experimento.
	
REFERÊNCIAS 
[1]	SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth Carless. Microeletrônica. 5.ed. São Paulo, SP: Pearson Prentice Hall, 2007. 848 p. ISBN 9788576050223