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EPS Alunos01

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17/05/2018 EPS: Alunos
http://simulado.estacio.br/alunos/ 1/3
Um resistor é construído u�lizando-se um material cuja resis�vidade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm na forma de
um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção
reta do fio igual a 0,38 mm2.
Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que
conhecemos como corrente elétrico. Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os
elétrons sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito
que melhor descreve este fenômeno é:
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a
matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de
átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual
a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que
apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem.
MATERIAIS ELÉTRICOS
 CCE0252_A2_201512924229_V1 
 
 
Lupa Calc.
 
 
Vídeo
 
PPT
 
MP3
 
Aluno: DIONE SANTOS DOS SANTOS Matrícula: 201512924229
Disciplina: CCE0252 - MAT.ELÉTRICOS Período Acad.: 2018.1 (G) / EX
 
 
Prezado (a) Aluno(a),
 
Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que este exercício é opcional, mas não valerá ponto para sua avaliação.
O mesmo será composto de questões de múltipla escolha (3).
Após a finalização do exercício, você terá acesso ao gabarito. Aproveite para se familiarizar com este modelo de questões que será
usado na sua AV e AVS.
 
1.
399,9 mili ohms
354,6 mili ohms
 347,4 mili ohms
384,2 mili ohms
376,38 mili ohms
 
 
2.
 Resistividade elétrica.
Condutividade elétrica.
Resistência elétrica.
Supercondutividade elétrica.
 Mobilidade elétrica.
 
 
3.
O-2
Ba+2
 
B+3
 
 
As+5
 
Al+3
17/05/2018 EPS: Alunos
http://simulado.estacio.br/alunos/ 2/3
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será u�lizado um fio cilíndrico cuja
resis�vidade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do
comprimento deste fio.
Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial,
permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos.
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada
por s=p.I e I.mh, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C,
e .
mh é mobilidade dos buracos.
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com
5.1022/m3 átomos de Boro, considerando mh = 0,05m2/V.s
 
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será u�lizado um condutor de seção reta igual a
0,38 mm2 e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da resis�vidade do material a ser u�lizado.
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a
0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
 
 
 
4.
 5,33 cm
8,33 cm
7,33 cm
4,33 cm
6,33cm
 
 
5.
200 (ohm.m) -1
 
4 (ohm.m) -1
50 (ohm.m) -1
 
100 (ohm.m) -1
 
 
400 (ohm.m) -1
 
 
 
6.
5,21 x 10-6 Ω.cm
 3,65 x 10-6 Ω.cm
4,12 x 10-6 Ω.cm
7,12 x 10-6 Ω.cm
6,13 x 10-6 Ω.cm
 
 
7.
1,88x 10-6 Ω.cm
17/05/2018 EPS: Alunos
http://simulado.estacio.br/alunos/ 3/3
Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos
padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido
através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a
velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift
velocity, cuja melhor expressão é dada por:
0,99 x 10-6 Ω.cm
1,11 x 10-6 Ω.cm
1,22x 10-6 Ω.cm
 1,44 x 10-6 Ω.cm
 
Gabarito Coment.
 
8.
V=N.i.IpI.mh
 v=E.me
v=s/t
V=R.i
r.=W.A/l
 
 
 
 
 
 
Legenda: Questão não respondida Questão não gravada Questão gravada

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