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17/05/2018 EPS: Alunos http://simulado.estacio.br/alunos/ 1/3 Um resistor é construído u�lizando-se um material cuja resis�vidade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico. Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,38 mm2. Um campo elétrico aplicado a um material condutor, motiva os elétrons a se movimentarem de forma ordenada, criando o que conhecemos como corrente elétrico. Contudo, este deslocamento não é ordenado e muito menos retilíneo, mas sim com os elétrons sofrendo espalhamento em imperfeições microscópicas e na própria rede cristalina do condutor. O conceito que melhor descreve este fenômeno é: Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Fósforo no processo de dopagem. MATERIAIS ELÉTRICOS CCE0252_A2_201512924229_V1 Lupa Calc. Vídeo PPT MP3 Aluno: DIONE SANTOS DOS SANTOS Matrícula: 201512924229 Disciplina: CCE0252 - MAT.ELÉTRICOS Período Acad.: 2018.1 (G) / EX Prezado (a) Aluno(a), Você fará agora seu EXERCÍCIO DE FIXAÇÃO! Lembre-se que este exercício é opcional, mas não valerá ponto para sua avaliação. O mesmo será composto de questões de múltipla escolha (3). Após a finalização do exercício, você terá acesso ao gabarito. Aproveite para se familiarizar com este modelo de questões que será usado na sua AV e AVS. 1. 399,9 mili ohms 354,6 mili ohms 347,4 mili ohms 384,2 mili ohms 376,38 mili ohms 2. Resistividade elétrica. Condutividade elétrica. Resistência elétrica. Supercondutividade elétrica. Mobilidade elétrica. 3. O-2 Ba+2 B+3 As+5 Al+3 17/05/2018 EPS: Alunos http://simulado.estacio.br/alunos/ 2/3 Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será u�lizado um fio cilíndrico cuja resis�vidade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio. Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos. A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por s=p.I e I.mh, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e . mh é mobilidade dos buracos. Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3 átomos de Boro, considerando mh = 0,05m2/V.s Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será u�lizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da resis�vidade do material a ser u�lizado. Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado. 4. 5,33 cm 8,33 cm 7,33 cm 4,33 cm 6,33cm 5. 200 (ohm.m) -1 4 (ohm.m) -1 50 (ohm.m) -1 100 (ohm.m) -1 400 (ohm.m) -1 6. 5,21 x 10-6 Ω.cm 3,65 x 10-6 Ω.cm 4,12 x 10-6 Ω.cm 7,12 x 10-6 Ω.cm 6,13 x 10-6 Ω.cm 7. 1,88x 10-6 Ω.cm 17/05/2018 EPS: Alunos http://simulado.estacio.br/alunos/ 3/3 Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por: 0,99 x 10-6 Ω.cm 1,11 x 10-6 Ω.cm 1,22x 10-6 Ω.cm 1,44 x 10-6 Ω.cm Gabarito Coment. 8. V=N.i.IpI.mh v=E.me v=s/t V=R.i r.=W.A/l Legenda: Questão não respondida Questão não gravada Questão gravada
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