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Avaliação: CCE0252_AV1_201301163961 » MATERIAIS ELÉTRICOS
	Tipo de Avaliação: AV1
	Aluno: 201301163961 - CARLOS HENRIQUE ALVES MARTINS
	Professor:
	JOAO MARQUES DE MORAES MATTOS
	Turma: 9002/B
	Nota da Prova: 8,0 de 8,0         Nota do Trab.: 0        Nota de Partic.: 2        Data: 06/10/2014 19:17:32
	
	 1a Questão (Ref.: 201301421506)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica. Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201301340564)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Um aluno do curso de Engenharia, conhecedor das propriedades elétricas dos materiais, recebeu a tarefa de aumentar a resistência de uma bobina elétrica, que deve passar de 20 ohms para 30 ohms. Considerando-se que não haverá variação na área da seção reta do material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 5m, pode-se dizer que:
		
	
	O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 33,3% o diâmetro do fio que compõe a bobina.
	 
	O novo comprimento deverá ser de 7,5m.
	
	O novo comprimento deverá ser de 3,3m.
	
	O novo comprimento poderá estar entre 3,3m e 7,5m.
	
	Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do fio.
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201301421485)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	A grande maioria dos metais são materiais cristalinos, ou seja, possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Quando submetemos este tipo de material a um campo elétrico, os elétrons livres iniciam movimento orientado pela força elétrica que os compele. Baseado nestas informações, como denomina-se a velocidade desenvolvida essas partículas.
		
	
	Velocidade elétrica.
	
	Velocidade hiperstática.
	
	Velocidade quântica.
	
	Velocidade de arraste.
	 
	velocidade de deslocamento.
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201301421530)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
		
	
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe.
	 
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201301340596)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para:
		
	 
	σ = P ІeІ µh.
	
	σ = 2 P ІeІ µh
	
	σ = N ІeІ µh.
	
	A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.
	
	σ = N ІeІ (µe + µh).
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201301340607)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A microeletrônica surgiu nas décadas de 40 e 50, com as técnicas de fabricação de semicondutores de altíssima pureza e dopados com elementos como o Fósforo e o Boro. Atualmente, percebe-se que o processo de miniaturização de componentes eletrônicos tem seus limites; partes dos semicondutores estão se tornando tão finas que estão perdendo as características previstas em projeto, ou seja, aquilo que deveria apresentar maior resistência elétrica, não está se comportando desta forma. A atual expectativa é que a incipiente nanotecnologia venha a suprir às necessidades de maior miniaturização.
Com relação aos semicondutores, é correto afirmar que:
		
	
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos de Silício
	
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que possuem impurezas.
	
	Através do Efeito Hall determina-se que a mobilidade do elétron em um semicondutor submetido a uma diferença de potencial é próxima a velocidade da luz.
	 
	O Efeito Hall é utilizado para se determinar o portador de carga majoritário e a sua mobilidade em um semicondutor extrínseco.
	
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
	
	
	 7a Questão (Ref.: 201301421569)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste processo.
		
	
	O-2
	
	Ge+5
	
	Na+
	
	Be+2
	 
	P+5
	
	
	 8a Questão (Ref.: 201301340649)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	
	Lei de Ohm.
	
	Efeito Joule.
	 
	Efeito Hall.
	
	Efeito Tcherenkov.
	
	Efeito Fischer.
	
	
	 9a Questão (Ref.: 201301278684)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	1,2 V
	
	120 mV
	
	640 mV
	 
	64 mV
	
	6,4 V
	
	
	 10a Questão (Ref.: 201301340650)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão =R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção reta do condutor no formato cilíndrico) e nem l (comprimento do condutor),ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
		
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
	 
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC, pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.