Avaliação Parcial Estácio 2018 AP MATERIAIS ELÉTRICOS

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06/06/2018 EPS: Alunos
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Acertos: 10,0 de 10,0 Data: 05/06/2018 23:11:56 (Finalizada)
 
1a Questão (Ref.:201501549692) Acerto: 1,0 / 1,0
Um aluno do curso de Engenharia, conhecedor das propriedades elétricas dos materiais, recebeu a tarefa de aumentar a resistência de
uma bobina elétrica, que deve passar de 20 ohms para 30 ohms. Considerando-se que não haverá variação na área da seção reta do
material e que o comprimento inicial do fio que compõe a bobina é de 5m, pode-se dizer que:
 O novo comprimento deverá ser de 7,5m.
O valor de resistência requerido só poderá ser obtido aumenta-se em 33,3% o diâmetro do fio que compõe a
bobina.
Não é possível alterar o valor da resistência através da variação do comprimento do fio.
O novo comprimento deverá ser de 3,3m.
O novo comprimento poderá estar entre 3,3m e 7,5m.
 
2a Questão (Ref.:201501489066) Acerto: 1,0 / 1,0
Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será u�lizado um fio cilíndrico cuja
resis�vidade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta
deste fio.
 0,09 cm2
1,09 cm2
3,09 cm2
4,09 cm2
2,09 cm2
 
3a Questão (Ref.:201501549704) Acerto: 1,0 / 1,0
Na fabricação de semicondutores, é comum a inserção de átomos com valência menor ou maior a dos átomos que constituem a matriz do
semicondutor. Neste contexto, fabricam-se semicondutores de Silício do tipo-n são obtidos a partir da inserção de átomos de Fósforo, P, na
rede cristalina do Silício; a este processo chamamos de dopagem. Como o Fósforo possui valência igual a 5, P+5, diz-se que esta inserção
promove o surgimento de elétrons livres. Baseado nestas informações, marque a opção que apresenta um elemento que poderia substituir
o Fósforo no processo de dopagem.
 As+5
 
O-2
 
B+3
 
Al+3
 
Ba+2
 
4a Questão (Ref.:201501549718) Acerto: 1,0 / 1,0
Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da
quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não.
A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da
geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a
resistividade e a condutividade elétrica de um condutor:
 Temperatura, impureza e deformação mecânica.
Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica.
Temperatura, pressão e impurezas.
Volume, comprimento do condutor e impurezas.
Temperatura, comprimento do condutor e pressão.
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5a Questão (Ref.:201501550155) Acerto: 1,0 / 1,0
Materiais cristalinos possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu
volume. Esta estrutura, aliada aos defeitos microestruturais que porventura se originam no processo de fabricação, não permitem o
deslocamento retilíneo dos elétrons livres quando submetidos a um campo elétrico. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas
partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.me, onde E é a
intensidade do campo elétrico e me é a mobilidade elétrica do elétron.
Uma conseqüência da interação entre os defeitos da rede cristalina e os elétrons é:
Diminuição da resistência elétrica do material
Deformação mecânica do material.
 Geração de calor.
Aumento da resistividade elétrica do material.
Aumento da aceleração eletrônica.
 
Gabarito Coment.
 
6a Questão (Ref.:201502116239) Acerto: 1,0 / 1,0
Em 1949, William O. Shockley, pesquisador da "Bell Telephone Laboratories", publicou no "Bell System Technnical Journal"
um artigo estabelecendo a teoria referente ao comportamento de transistores, uma aplicação direta dos semicndutores.
Estava claro que o aparecimento destes novos materiais havia desencadeado um imediato avanço na modelagem físico-
matemática associada ao assunto, nos oferecendo expressões como a condutividade intrínseca, dada por s = p | e
| mb + n | e | me..
Com relação a expressão anterior, só NÃO PODEMOS afirmar que:
Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos buracos.
Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga positiva.
 Condutividade intrínseca depende do campo elétrico criado pelos elétrons.
Condutividade intrínseca depende da concentração dos portadores de carga negativa.
Condutividade intrínseca depende da mobilidade dos elétrons.
 
7a Questão (Ref.:201501549777) Acerto: 1,0 / 1,0
A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as
opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials
Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
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Efeito Fischer.
Lei de Ohm.
Efeito Joule.
Efeito Tcherenkov.
 Efeito Hall.
 
8a Questão (Ref.:201501476043) Acerto: 1,0 / 1,0
Qual é a principal caracterís�ca dos materiais semicondutores?
 São condutores e isolantes.
São somente supercondutores.
São somente isolantes
São somente condutores
Não são condutores e isolantes.
 
 
9a Questão (Ref.:201501489075) Acerto: 1,0 / 1,0
Deseja-se construir um capacitor de 18 nF u�lizando-se duas placas paralelas com 240 cm2 de área cada uma e
espaçadas de 0,02 mm. Determine o valor da constante dielétrica do material a ser u�lizado.
2,1
 1,7
1,3
1,9
1,5
 
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10a Questão (Ref.:201501489936) Acerto: 1,0 / 1,0
Os diversos tipos de capacitores têm as seguintes características:
I. Os capacitores de mica são encontrados com valores altos de capacitância.
II. O capacitor de cerâmica suporta tensões elevadas até 3 kV.
III. O capacitor eletrolítico de alumínio é utilizado em fontes de alimentação.
IV. Os capacitores de polyester são capacitores caros que podem funcionar em altas frequências.
V. O capacitor eletrolítico de alumínio é um capacitor de alta capacitância e não suporta tensões elevadas.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
b. As afirmações II e III.
d. As afirmações I, II e IV.
a. Somente a afirmação V.
c. As afirmações I e V.
 e. As afirmações II, III e V.