Avaliação de Ciência dos Materiais

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Avaliação Parcial:  V.1 
	Aluno(a): PASSEI DIRETO
	Matrícula: 
	Acertos: 8,0 de 10,0
	Data: 09/05/2018 17:28:41 (Finalizada)
	
	
	1a Questão (Ref.:201601505637)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre a temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes.
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes.
		
	
	Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
	
	Silício, Ferro, água pura.
	 
	Arseneto de Gálio, madeira e borracha.
	
	Madeira, borracha e água pura.
	
	Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio.
	
	
	
	2a Questão (Ref.:201601505634)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Considere que você tenha comprado um forno para tratamento térmico em metais e deseja instalá-lo. Sabendo que você não pode alterar o comprimento do fio a ser utilizado, considere a opção mais adequada ao contexto descrito anteriormente.
		
	
	Como a resistividade não varia com as dimensões do condutor, não importa a área da seção reta do fio a ser comprado e nem o seu volume.
	
	Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistividade e, portanto, permitirá a fácil passagem de elétrons.
	
	O fio que apresentar menor seção reta é o mais indicado, uma vez que quanto menor o volume para o trânsito dos elétrons, mais ordenados estes estarão na formação da corrente elétrica e mais rapidamente transitarão em seu interior.
	 
	Deverá ser comprado o fio de maior área de seção reta, uma vez que este apresentará menor resistência a passagem de elétrons e, portanto, apresentará menor perda energia por Efeito Joule (geração de calor).
	
	Deverá ser comprado o fio de menor área de seção reta, uma vez que quanto menor esta área, menor a quantidade do material a ser utilizado e menor o custo da instalação, não importando a área da seção reta do fio utilizado.
	
	
	
	3a Questão (Ref.:201601445006)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,38 mm2.
		
	
	354,6 mili ohms
	 
	399,9 mili ohms
	
	384,2 mili ohms
	 
	347,4 mili ohms
	
	376,38 mili ohms
	
	
	
	4a Questão (Ref.:201601505642)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Os metais apresentam em sua microestrutura uma periodicidade na disposição dos átomos que os classifica como materiais cristalinos. Contudo, esta organização a nível atômico tem suas falhas, o que influencia na velocidade de transporte dos eletros, ou seja, quanto maior o número de falhas na estrutura cristalina, maior a dificuldade de deslocamento dos elétrons. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas (elétrons livres), criou-se o conceito de velocidade de deslocamento (drift velocity, em Inglês), dada por vd=E.e, onde E é a intensidade do campo elétrico e e é a mobilidade elétrica do elétron.
Sabendo-se que em um experimento, utilizou-se um campo elétrico igual a E=600V/m e condutor elétrico de alumínio cuja mobilidade elétrica é igual a e=0,0012m2/V.s, escolha a opção que melhor reflete o valor da velocidade de deslocamento dos elétrons.
		
	
	7,2 m/s
	 
	0,72 m/s.
	
	50 m/s
	
	500.000 m/s
	
	5 m/s
	
	
	
	5a Questão (Ref.:201601505668)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Semicondutores modernos são constituídos de substratos de Silício nos quais são inseridos elementos com valências diferentes do próprio Silício, criando-se as variações conhecidas como semicondutores do tipo-p e semicondutores do tipo-n. A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh fornece a condutividade em função da carga do elétron (1,6 x 10 -19 C), onde N e P são as densidades de cargas negativas e positivas por volume (Número de cargas/m3) e de µe e µh , que são as mobilidades elétricas dos elétrons e dos buracos (m2/V m), respectivamente. Considerando- se um semicondutor extrínseco de Silício, no qual a concentração de portadores de cargas positivas é muito maior que a concentração de portadores de cargas negativas, podemos simplificar a expressão anterior para:
		
	
	σ = N ІeІ µh.
	
	A expressão σ = N ІeІ µe + P ІeІ µh é imutável e nunca deve ser aproximada para uma forma mais simplificada sob pena de alterar-se gravemente a precisão da condutividade.
	
	σ = N ІeІ (µe + µh).
	
	σ = 2 P ІeІ µh
	 
	σ = P ІeІ µh.
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	6a Questão (Ref.:201601997390)
	Acerto: 0,0  / 1,0
	Que átomos de impureza são utilizados na dopagem do silício para formar um semicondutor tipo n?
		
	
	Átomos com 1 elétron na camada de valência.
	
	Átomos com 4 elétrons na camada de valência.
	 
	Átomos com 2 elétrons na camada de valência.
	
	Átomos com 3 elétrons na camada de valência.
	 
	Átomos com 5 elétrons na camada de valência.
	
	
	
	7a Questão (Ref.:201601444996)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Mediu-se um valor de resistência igual a 5,66 mΩ na temperatura de 70oC. Sabendo-se que o coeficiente de temperatura do material utilizado é igual a 0,0036 oC-1, determine o valor da resistência esperada na temperatura de 25oC.
		
	
	5,41miliohms
	
	5,43 ohms
	 
	4,87 ohms
	
	6,57 ohms
	
	7,46 ohms
	
	
	Gabarito Coment.
	
	
	
	
	8a Questão (Ref.:201602072178)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Semicondutores, como a palavra sugere, podem apresentar comportamento condutor ou isolante, dependendo da temperatura de utilização, no caso de condutores intrínsecos. Entre os materiais mais utilizados com estas características, encontram-se o germânio, o silício e o arseneto de gálio. No intuito de entender o comportamento destes materiais, diversas teorias físicas foram criadas, introduzindo conceitos novos, como a mobilidade elétrica de elétrons, e, e de buracos, b.
Com relação ao conceito de mobilidade elétrica, assinale a opção CORRETA:
		
	
	e = b
	
	e =1/2 b
	
	e =2 b
	 
	e > b
	
	e < b
	
	
	
	9a Questão (Ref.:201601505753)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta.
		
	
	Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância igual a 2F está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V
	 
	Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
	
	Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C.
	
	A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como mostra a expressão C=Q/V.
	
	Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial iguais a 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente.10a Questão (Ref.:201601941331)
	Acerto: 1,0  / 1,0
	Atualmente há diversos exemplos quanto à natureza do elemento resistivo de um potenciômetro. Considerando os itens abaixo, assinale a opção que contem exemplo quanto à natureza do elemento resistivo INCORRETO:
		
	 
	filme de madeira (wood film) e filme de metal
	
	CERMET e filme de carbono
	
	cerâmica e fio enrolado
	
	fio enrolado e CERMET
	
	composição de carbono e plástico