Relatório de LEL I - CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR BIPOLAR

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UDESC - UNIVERSIDADE DO ESTADO DE SANTA CATARINA
CENTRO DE CIÊNCIAS TECNOLÓGICAS - CCT
DEPARAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I - TURMA A
PROFESSOR: MARCOS FÁBIO VIEIRA
RELATÓRIO DE LEL PRÁTICA – CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR BIPOLAR
BRUNO BERTOLDI
EDUARDO FALCHETTI SOVRANI
JOINVILLE/SC
2014-02
PARTE EXPERIMENTAL:
CARACTERÍSTICAS DOS TRANSISTORES
Meça com o ohmímetro e anote na Tabela 1, a resistência direta e reversa entre a base e o emissor e entre a base e o coletor do Transistor.
	
	Base e Emissor
	Base e Coletor
	Resistência Direta
	1,035 
	0,9802 
	Resistência Reversa
	>20M
	>20M
Tabela 1 – Resistência de Junção do Transistor
Os valores obtidos para a resistência direta e reversa foram obtidos utilizando um ohmímetro na menor escala possível (2K).
Os valores para a resistência reversa ultrapassaram a maior escala o multímetro.
Monte o circuito da Erro! Fonte de referência não encontrada..
Variar a tensão vBE através do potenciômetro de 1K, conforme a Tabela 2. Para cada caso meça e anote a corrente de base, mantendo constante, através do potenciômetro de 100, a tensão VCE = 3V.
	VBE (V)
	0
	0,55
	0,575
	0,6
	0,625
	0,65
	0,675
	0,7
	0,725
	0,75
	IB (mA)
	0
	0,009
	0,018
	0,041
	0,074
	0,142
	0,291
	0,610
	1,434
	2,693
Tabela 2 – Levantamento das Características de Entrada do Transistor
Ajuste a corrente de base em 0 mA através do potenciômetro de 1K. Varie a tensão VCE conforme a Tabela 3, através do potenciômetro de 100. Para cada caso meça e anote o valor da corrente IC.
	VCE (V)
	0
	1
	2
	3
	4
	5
	IB (mA)
	IC (mA)
	0
	0
	0
	0
	0
	0
	0
	
	0,01
	0,36
	0,38
	0,41
	0,45
	0,46
	0,05
	
	0,02
	0,80
	0,82
	0,88
	0,99
	1,01
	0,10
	
	0,02
	1,23
	1,28
	1,35
	1,44
	1,55
	0,15
	
	0,03
	1,67
	1,72
	1,83
	1,94
	2,09
	0,20
Tabela 3 - Levantamento das Características de Saída do Transistor
QUESTÕES
Como você testaria um transistor com o ohmímetro?
O procedimento mais correto para testar um transistor, consiste primeiramente em identificar a base, coletor e emissor através do DataSheet. Passar o ohmímetro para a escala de diodo. Se o transistor for NPN, ligar a ponteira vermelha na base, caso contrário ligar a ponteira preta. A ponteira que sobra deve ser ligada no coletor ou no emissor, deve resultar em um valor entre 0,4 e 0,9VDC, correspondente a queda de tensão das junções PN. Invertendo a ligação, o multímetro mostrará uma leitura correspondente a um circuito aberto. Entre o emissor e o coletar, independente a polaridade, o multímetro deverá marcar uma medida de circuito aberto.
Utilizando o ohmímetro na escala de resistência ao invés da escala de diodo, obverva-se que a leitura não é constante, dependendo da escala escolhida, pois para calcular a resistência o multímetro aplica uma tensão que pode variar dependendo da escala, e devido ao processo construtivo do transistor, a medida da resistência se altera.
6.2.2 Com os dados da Tabela 2, construa a característica de entrada do transistor iC = f(vBE). Use papel milimetrado para o gráfico.
Com os dados da Tabela 3, construa a característica de saída do transistor iC = f(vCE). Use papel milimetrado para o gráfico.
Escolha cinco pontos da característica de saída e para cada um calcule o parâmetro (fora da saturação). Calcule também os valores de correspondente. Anote no próprio esboço da função característica.
Temos que e que 
No primeiro gráfico Ic=0 e Ib=0 sempre. Portanto e são zero.
No segundo gráfico Ib = 0,05 e o ponto escolhido foi Ic = 0,44.
 Substituindo nas duas equações dadas acima e calculando, temos que:
e = 8,8 
No terceiro gráfico Ib = 0,10 e o ponto escolhido foi ic = 0,9.
Substituindo nas duas equações dadas acima e calculando, temos que:
e = 9
No quarto gráfico Ib = 0,15 e o ponto escolhido foi ic = 1,5.
Substituindo nas duas equações dadas acima e calculando, temos que:
 e = 10
No quinto gráfico Ib= 0,2 e o ponto escolhido foi ic = 2.
Substituindo nas duas equações dadas acima e calculando, temos que:
 e = 10
QUESTIONÁRIO
 O experimento se mostrou válido? Explique por que?
O experimento se mostrou válido uma vez que as curvas que foram levantadas para a descrição matemática/física dos transistores estudados ficaram muito próximas dos modelos estabelecidos. Mantendo-se VCE foi possível obter os dados para a construção da curva de entrada de IB vs VBE, para quando a corrente na base era variada. No levantamento da curva de entrada, diversos gráficos para um dado valor de VCE foram obtidos, e mantiveram as características esperadas de operacionalidade.
Comente os resultados, erros encontrados e possíveis fontes de erros.
Os erros pertinentes ao experimento se devem a baixa resolução dos equipamentos utilizados que não medem adequadamente os valores de menor intensidade. As fontes utilizadas, multímetros e outros dispositivos apresentam resistências internas, e cada qual um diferente do outro, resultando em um possível erro considerável para leituras de valores menores. Caso um dos componentes seja ligado errado e esquente demasiadamente, sua operacionalidade pode ser afetada.