Exercício de fixação 2 Materiais Eletricos

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Exercício: CCE0252_EX_A2_201201004624 
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	Aluno(a): SAMUEL MATOS CORREIA
	Matrícula: 201201004624
	
	Data: 07/08/2014 15:43:36 (Finalizada)
	
	 1a Questão (Ref.: 201201104661)
	
	Um resistor é construído utilizando-se um material cuja resistividade é igual a 1,6 x 10-6 Ω.cm na forma de um fio cilíndrico.  Determine o valor do resistor para um comprimento de 0,3 metros e uma área da seção reta do fio igual a 0,4 mm2.
		
	
	14 mili ohms
	 
	12 mili ohms
	 
	10 mili ohms
	
	11 mili ohms
	
	13 mili ohms
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201201104665)
	
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
		
	
	1,11 x 10-6 Ω.cm
	
	1,22x 10-6 Ω.cm
	
	0,99 x 10-6 Ω.cm
	 
	1,44 x 10-6 Ω.cm
	 
	1,88x 10-6 Ω.cm
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201201165313)
	
	O Silício é o elemento chave na indústria voltada a microeletrônica. Em substratos de Silício são montados microcircuitos com uma infinidade de componentes, observáveis as vezes somente em microscópios eletrônicos. Entre as opções a seguir, determine a que melhor representa somente conceitos corretos.
		
	 
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas; já os semicondutores extrínsecos são aqueles que apresentam impurezas.
 
	 
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
	
	A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
 
	
	 
 Os semicondutores do tipo-p são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de menor valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Fósforo (P+5) na matriz de Silício (Si+4).
	
	Os semicondutores do tipo-n são aqueles obtidos através da inserção de impurezas de maior valência na matriz cristalina composta pelo elemento principal, como, por exemplo o Boro (B+3) na matriz de Silício (Si+4).
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201201246214)
	
	A grande maioria dos metais são materiais cristalinos, ou seja, possuem seus átomos ¿dispostos¿ de forma periódica em uma rede tridimensional que se repete através de seu volume. Quando submetemos este tipo de material a um campo elétrico, os elétrons livres iniciam movimento orientado pela força elétrica que os compele. Baseado nestas informações, como denomina-se a velocidade desenvolvida essas partículas.
		
	
	Velocidade hiperstática.
	 
	Velocidade quântica.
	
	Velocidade de arraste.
	 
	velocidade de deslocamento.
	
	Velocidade elétrica.
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201201165316)
	
	Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por:
		
	
	v=s/t
	 
	v=E.e
	
	V=R.i
	
	V=N.i.IpI.h
	
	=W.A/l
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201201165321)
	
	A Física é a ciência que ¿olha o mundo¿ e tenta explicá-lo através do método científico, cuja linguagem principal é a Matemática.
Entre as opções a seguir, marque aquela que melhor define um conceito físico utilizado no entendimento das propriedades elétricas dos materiais.
		
	 
	A concentração de impurezas determina se um semicondutor é extrínseco do tipo-p ou extrínseco do tipo-n.
	
	Considera-se que o elétron desloca-se na velocidade da luz em um processo de condução de carga.
	 
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.
	
	Condutividade elétrica expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas em função da temperatura do material.
	
	Velocidade de deslocamento do elétron no processo de transporte de carga é a velocidade obtida a partir do deslocamento retilíneo do elétron.