materias eletricos

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1a Questão (Ref.: 
	
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,5 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	0,97 cm2
	
	0,84 cm2
	
	0,72 cm2
	 
	0,53 cm2
	
	0,65 cm2
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 
	
	Como conhecedores da moderna teoria que rege os fenômenos elétricos, devemos diferenciar os conceitos de resistividade elétrica e resistência elétrica.
Com relação aos conceitos anteriores, PODEMOS afirmar:
		
	
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas NÃO variam com a temperatura do condutor.
	
	Somente resistividade elétrica varia com a temperatura.
	 
	A resistência elétrica quando varia com a temperatura o faz de forma linear.
	
	Somente resistência elétrica varia com a temperatura.
	 
	Tanto a resistividade quanto a resistência elétricas variam com a temperatura do condutor.
		
	
	
	 3a Questão (Ref
	
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	0,23 cm2
	 
	0,25 cm2
	
	0,19 cm2
	
	0,21 cm2
	 
	0,27 cm2
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201201878472)
	
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 44 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		
	
	0,41 cm
	
	0,21 cm
	
	0,31 cm
	 
	0,01cm
	 
	0,11 cm
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201201878450)
	
	Na temperatura de 25oC mediu-se o valor da resistência de um resistor e obteve-se 12,2 Ω. O material do qual é feito o resistor apresenta um coeficiente de temperatura igual a 0,0042 oC-1. Determine o valor da nova resistência na temperatura de 60oC.
		
	
	11,65 ohms
	 
	15,82 ohms
	
	4,36 ohms
	 
	13,99 ohms
	
	9,23 ohms
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201201878467)
	
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 125 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 89,1 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	2,09 cm2
	
	4,09 cm2
	 
	0,09 cm2
	 
	1,09 cm2
	
	3,09 cm2
		
	1a Questão (Ref.: 201202020098)
	
	Existem na teoria diversos processos de fabricação de semicondutores, tanto do tipo p quanto do tipo n. Quando assumimos teoricamente a possibilidade de inserir átomos de Arsênio, cuja valência é 5, As+5, em uma matriz de Silício, cuja valência é 4, Si+4, promovemos o surgimento de "buracos" na estrutura cristalina. Baseado nestas informações, escolha a opção que apresenta um elemento que poderia substituir o Arsênio neste processo.
		
	 
	Ge+5
	 
	P+5
	
	O-2
	
	Na+
	
	Be+2
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201201939178)
	
	A concentração de elementos dopantes é um parâmetro essencial na fabricação de semicondutores extrínsecos. Identifique, entre as opções a seguir, aquela que identifica um fenômeno físico que pode fornecer esta informação. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	
	Efeito Tcherenkov.
	
	Lei de Ohm.
	
	Efeito Joule.
	
	Efeito Fischer.
	 
	Efeito Hall.
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201201865444)
	
	Qual é a principal característica dos materiais semicondutores?
		
	
	São somente condutores
	 
	São condutores e isolantes.
	
	São somente supercondutores.
	
	São somente isolantes
	
	Não são condutores e isolantes.
 
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201201939146)
	
	Alguns componentes eletrônicos fazem uso de semicondutores extrínsecos e intrínsecos conjuntamente, sendo necessário que na temperatura de trabalho, o semicondutor intrínseco possua condutividade inferior a condutividade do extrínseco. No gráfico a seguir, no qual no eixo horizontal tem-se temperatura (oC e K) e no eixo vertical tem-se a condutividade elétrica (ohm.m) -1, podem-se observar curvas de evolução da condutividade de um semicondutor intrínseco de Silício, denominado no gráfico de intrinsic, e de dois semicondutores extrínsecos com concentrações de Boro de 0,0052% e 0,0013%. Baseado nestas informações, marque a opção correta. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Baseado no gráfico, podemos afirmar que:
 
 
 
		
	
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco provavelmente apresentará problemas referentes a condutividade.
	 
	Em nenhuma temperatura exposta no gráfico, haverá problemas de inversão de condutividade elétrica.
	 
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico montado com os condutores intrínseco e extrínseco provavelmente funcionará sem problemas referentes a condutividade.
	
	A temperatura de 100oC, o componente eletrônico terá que ser montado utilizando-se somente os condutores extrínsecos mostrados no gráfico.
	
	A partir das informações expostas no gráfico, percebe-se que em todas as temperaturas a condutividade elétrica do semicondutor intrínseco é superior a dos semicondutores extrínsecos.
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201201939157)
	
	O tipo de carga predominante e a concentração das mesmas em um semicondutor (elétrons ou buracos) pode ser determinada através de um experimento chamado Efeito Hall. Deste experimento, obtém-se a constante de Hall, RH, que, por sua vez, está relacionada a n, quantidade de elétrons por m3 do semicondutor, por  n=(RH I e I)-1, onde  l e l =1,6.10 -19C.
Considerando-se um corpo de prova feito de Alumínio, com RH=-3,16 . 10 -11, determine a quantidade aproximada de portadores de carga (em módulo) por m3.
		
	 
	2,0 1029.
	
	1,5 . 1026
	
	20 . 1015
	
	20 . 1030
	
	1,5 . 1025
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201202025270)
	
	O século XX foi marcado por inúmeros avanços tecnológicos, entre os quais os advento dos semicondutores extrínsecos, essenciais na fabricação de microcomponentes eletrônicos. Uma das técnicas de produção desses semicondutores é a eletro inserção de átomos de valências diferentes de +4 na matriz do Silício.
Considerando a exposição anterior, PODEMOS afirmar que.
		
	 
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício não origina um condutor extrínseco.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo p.
	
	a inserção de átomos de Fósforo na matriz de Silício origina um condutor extrínseco com "buracos".
	 
	a inserção de átomos de Boro na matriz de Silício origina um condutor extrínseco tipo n.
		
	Capacitância é uma grandeza física associada a dispositivos denominados de capacitores e que possuem a finalidade de armazenar carga. Do ponto de vista quantitativo, define-se capacitância, C, de um capacitor como a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V. No sistema internacional de unidades (SI), a capacitância é medida em Farad (F). Considerando o exposto, determine a opção correta.
		
	
	Um capacitor que tenha acumulado uma carga de 0,010C e que possui capacitância igual a 2Festá submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 0,05V
	
	Dois capacitores idênticos submetidos respectivamente a diferenças de potencial iguais a 2V e V/2 terão 2C e 1C de carga respectivamente.
	
	Um capacitor que possui capacitância igual a 0,06F e está submetido a uma diferença de potencial igual a submetido a 2V acumula uma carga de 0,003C.
	 
	Um capacitor submetido a 120V e que tenha acumulado uma carga de 0,008C possui capacitância igual a 0,00007 F.
	 
	A capacitância do capacitor sempre varia com a corrente elétrica do circuito, como mostra a expressão C=Q/V.
		
	
	
	 2a Questão (Ref.: 201201877213)
	
	Um condutor de cobre com seção reta circular, 12 metros de comprimento e raio de 1,5 mm é percorrido por um acorrente de 2,2 A. Determine a diferença de potencial sobre este condutor. Considere a condutividade do cobre igual a 5,8 x 107 S/m.
		
	
	640 mV
	 
	6,4 V
	
	1,2 V
	
	120 mV
	 
	64 mV
		
	
	
	 3a Questão (Ref.: 201201939179)
	
	A resistividade de um material expressa a resistência que este apresenta a passagem de correta elétrica. Apesar de estar relacionada a resistência elétrica R através da expressão =R.A/l, é uma constante do material e não varia com A (área da seção reta do condutor no formato cilíndrico) e nem l (comprimento do condutor), ou seja, quando aumentamos o comprimento, a resistência aumenta e quando aumentamos a área da seção reta, a resistência diminui, mantendo, desta forma, a resistividade constante. A resistividade varia, no entanto, com a temperatura do condutor. Considerando o exposto, marque a opção correta.
		
	 
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade tende à zero.
	
	A resistividade elétrica de um material isolante é a mesma na terra, a 30oC,ou no Pólo Norte, a -30oC, pois é uma constante e depende apenas da natureza do mesmo.
		
	
	
	 4a Questão (Ref.: 201201939205)
	
	Em uma experiência típica envolvendo eletricidade, consideram-se dois corpos, 1 e 2, suspensos por fios isolantes, aos quais foram fornecidas cargas elétricas iguais. Observa-se que o corpo 1 adquire carga em toda a sua superfície, enquanto o corpo 2 mantém a carga concentrada no ponto de carregamento. Considerando as informações, escolha a alternativa correta:
		
	
	O corpo 1 trata-se de um isolante elétrico, enquanto o corpo 2 é um condutor elétrico.
	 
	Uma explicação para tal fenômeno é que no corpo 1, as cargas possuem liberdade de movimentação, enquanto no corpo 2, isso não ocorre.
	
	Provavelmente 1 e 2 são semicondutores.
	
	Provavelmente tanto o material 1 como o 2 são cerâmicos.
	
	A diferença entre um condutor e um isolante é que o primeiro pode ser carregado
		
	
	
	 5a Questão (Ref.: 201201939211)
	
	Capacitores são dispositivos projetados para armazenar carga elétrica e que tem esta capacidade ampliada quando inserimos entre suas placas um material dielétrico, como mostrado na figura a seguir. Considerando-se que  a capacitância, C, de um capacitor é a razão entre a sua carga, Q, e a diferença de potencial, V, ao qual o mesmo está submetido, ou seja, C=Q/V, assinale a opçãocorreta que fornece a capacitância do capacitor mostrado na figura.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
		
	 
	C=(Q0 + Q´) / V
	
	Q0 = C. V
	
	0.
	 
	C=Q0 / V
	
	C=Q´/V.
		
	
	
	 6a Questão (Ref.: 201201939206)
	
	Capacitor é um sistema composto por dois condutores (chamados de armaduras ou de placas) separados por um dielétrico (isolante). Considera-se, de forma simplificada, que a carga deste sistema quando submetido a uma diferença de potencial é a carga em módulo de uma das placas, ou seja, se uma placa tem carga +Q e a outra possui carga ¿Q, dizemos que o capacitor tem carga Q.
 
Considerando o exposto, indique a opção correta.
 
		
	
	A condutividade elétrica de um dielétrico deve ser alta, uma vez que deve haver condução de carga em seu interior.
	
	Um sistema constituído por duas placas condutoras paralelas submetidas a uma diferença de potencial e com vácuo entre elas não pode ser considerado um capacitor.
	
	A borracha, o cerâmico genérico e o aço inoxidável são elementos tipicamente encontrados como dielétricos.
	 
	Em um sistema constituído de uma pessoa (o corpo é um condutor) sobre uma prancha de madeira que se encontra sobre um terreno (condutor), podemos dizer que se poderia formar um capacitor onde a pessoa e a terra seriam as armaduras do capacitor e a prancha seria o dielétrico.
	
	A resistividade de um material dielétrico é da mesma ordem de grandeza que a resistividade de um material condutor.
		
		Em meados do século XX, materiais denominados de semicondutores foram desenvolvidos e fabricados em escala industrial, permitindo uma enorme evolução no âmbito da eletrônica de utensílios eletrodomésticos.
A condutividade do semicondutor resultante da dopagem (incorporação de outro elemento em sua rede cristalina) é dada por=p.I e I.h, onde p é a concentração de buracos por metro cúbico, I e I é o módulo da carga do elétron, dado por 1,6.10-19C, e .h é mobilidade dos buracos.
Baseado nas informações anteriores, calcule a condutividade do semicondutor de Silício resultante da dopagem com 5.1022/m3 átomos de Boro, considerando h = 0,05m2/V.s
 
	
	Quest.: 1
	
	
	
	
	
	
	200 (ohm.m) -1
 
	
	 
	4 (ohm.m) -1
	
	
	100 (ohm.m) -1
 
	
	
	50 (ohm.m) -1
 
	
	 
	400 (ohm.m) -1
 
	
	
	
		2.
		Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por:
		Quest.: 2
	
	
	
	 
	v=E.e
	
	
	v=s/t
	
	
	V=R.i
	
	
	V=N.i.IpI.h
	
	 
	=W.A/l
	
	
	
		3.
		Na Física, distingue-se entre propriedades extensivas e propriedades intensivas. As primeiras são uma função da geometria e da quantidade de massa do corpo, enquanto as outras, não.
A resistividade e a condutividade elétricas são propriedades físicas intensivas da matéria, ou seja, não dependem da quantidade e da geometria do material em questão; porem, são afetadas por alguns fatores. Entre as opções a seguir, determine que fatores influenciam a resistividade e a condutividade elétrica de um condutor:
		Quest.: 3
	
	
	
	
	Volume, comprimento do condutor e impurezas.
	
	
	Temperatura, comprimento do condutor e pressão.
	
	
	Deformação mecânica, volume e pressão atmosférica.
	
	
	Temperatura, pressão e impurezas.
	
	 
	Temperatura, impureza e deformação mecânica.
	
	
	
		4.
		Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 10 mm. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
		Quest.: 4
	
	
	
	 
	4,75 x 10-6 Ω.cm
	
	
	3,21 x 10-6 Ω.cm6,45 x 10-6 Ω.cm
	
	
	3,95 x 10-6 Ω.cm
	
	
	7,81 x 10-6 Ω.cm
	
	
	
		5.
		Devemos atentar para o fato de que resistividade elétrica e resistência elétrica são conceitos relacionados porém diferentes. O primeiro revela uma propriedade intensiva do material, não variando com a quantidade de massa e nem com a geometria do material em questão. Já a resistência elétrica de um material varia com a sua geometria e consequentemente com a quantidade do mesmo. Considerando o exposto, marque a opção CORRETA.
		Quest.: 5
	
	
	
	 
	Podemos estimar a resistência elétrica de um material conhecendo-se sua resistividade elétrica e a massa que o compõe.
	
	
	Nada podemos afirmar sobre a resistividade do isolante sem conhecer suas dimensões.
	
	 
	À medida que um isolante tende para o estado de isolante perfeito, sua resistividade pode ser considerada infinita.
	
	
	À medida que um condutor tende para o estado de condutor perfeito, sua resistividade tende ao infinito.
	
	
	Quanto maior o comprimento de um fio isolante, maior é a sua resistividade.
	
	
	
		6.
		Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e cuja área da seção reta é igual a 0,38 mm2. Determine o valor do comprimento deste fio.
		Quest.: 6
	
	
	
	
	15,26 cm
	
	 
	18,27 cm
	
	
	19,12 cm
	
	
	16,24 cm
	
	
	20,15 cm